如果>1T的爐子要大量增碳，一般前輩們的建議是不要一次性的投入，局部碳飽和會(huì)造成C損上升，應(yīng)當(dāng)分批隨爐料一同投下，盡量用爐料把增碳劑壓入鐵水中以減少燒損，留1450°C后再進(jìn)行。所謂的先增碳后增硅，必須盡量保證增碳劑己吸收完畢才做增硅操作。不同種類的鑄鐵，根...

適用于感應(yīng)爐熔煉時(shí)使用，依據(jù)工藝要求具體方法有為： ①中頻電爐熔煉，可按配比或碳當(dāng)量要求隨爐料加入電爐中下部位，回收率可達(dá) 95%以上； ②鐵液熔清后碳量不足調(diào)整碳分時(shí)，先打凈爐中熔渣，再加增碳劑，通過鐵液升溫，電磁攪拌和人工攪拌使碳溶解吸收，回收率可在 9...

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導(dǎo)體, 導(dǎo)熱特性優(yōu)于任何其它半導(dǎo)體材料。事實(shí)上, 在室...

使用增碳劑的增碳過程包括溶解擴(kuò)散過程和氧化損耗過程。增碳劑的粒度大小不同，溶解擴(kuò)散速度和氧化損耗速度也就不同。而增碳劑吸收率的高低就取決于增碳劑溶解擴(kuò)散速度和氧化損耗速度的綜合作用：在一般情況下，增碳劑顆粒小，溶解速度快，損耗速度大；增碳劑顆粒大，溶解速度慢...

由于相比硅基半導(dǎo)體在材料特性上有所差異，SiC(碳化硅)半導(dǎo)體具備比硅基半導(dǎo)體更好的高頻、大功率、高輻射性能。碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料在電阻爐內(nèi)經(jīng)高溫冶煉而成。目前我國工業(yè)生產(chǎn)的碳...

在壓球化劑作球化處理之前，都要先燙包。由于沖天爐的熔化速度快，當(dāng)一包球鐵澆注完畢后，再處理下一包時(shí)，包內(nèi)溫度還很高，鐵水倒入澆包內(nèi)降溫少，所以再進(jìn)行球化處理時(shí)，出爐溫度與電爐相比較可以稍低些，對(duì)球化處理質(zhì)量（球化劑的熔化及吸收、澆注溫度），影響不大或沒有影...

選用石墨粉做增碳劑，吹入量為40kg/t，預(yù)期能使鐵液含碳量從2%增到3%。隨著鐵液碳含量逐漸升高，碳量利用率下降，增碳前鐵液溫度1600℃，增碳后平均為1299℃。噴石墨粉增碳，一般采用氮?dú)庾鲚d體，但在工業(yè)生產(chǎn)條件下，用壓縮空氣更方便，而且壓縮空氣中的氧燃...

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導(dǎo)體, 導(dǎo)熱特性優(yōu)于任何其它半導(dǎo)體材料。事實(shí)上, 在室...

用于鑄造，鑄鐵、鑄鋼，鑄件會(huì)有對(duì)碳的一個(gè)要求，那么增碳劑顧名思義就是來增加鐵液中的碳含量，又比如說，在熔煉中常用爐料為生鐵、廢鋼、回爐料，生鐵的碳含量高，但是卻采購價(jià)格相對(duì)廢鋼來說是要高出一節(jié)的，所以增加廢鋼投放量，降低生鐵投放量，加增碳劑，能起到一定的降低...

從出口的123家出口企業(yè)分析，出口數(shù)量在2000噸以上的企業(yè)有29家，這29家出口量之和為11.77萬噸，占出口總量的71.4%；這29家主營企業(yè)除2家出口價(jià)格有所上升外，其他均有大幅下滑，單價(jià)降幅較高的達(dá)73.6%；出口數(shù)量在1000-2000噸位之間的企...

中國碳化硅出口市場以亞洲和北美洲為主，出口份額分別占到全球出口份額的70.25%和23.76%，共出口到59個(gè)國別和地區(qū)，比2011年增加了6個(gè)。出口數(shù)量在千噸以上的國別和地區(qū)依次為日本、美國、韓國、、泰國、新加坡、印度、土耳其、墨西哥和德國，這10個(gè)國家和...

使用增碳劑不只能夠補(bǔ)足冶煉過程中碳的燒損，確保鋼鐵碳含量的要求，還可以用于爐后調(diào)整。作為感應(yīng)電爐融化鐵水的重要原料，增碳劑的質(zhì)量和用法，直接影響了鐵水的狀態(tài)。增碳劑種類繁多，工藝各異，有木質(zhì)碳類，焦炭類，石墨類等等。其中在各個(gè)類別下又分為很多小種類。值得一提的...

中頻爐熔煉灰鐵的重中之重是控制增碳劑的重要作用，重要技術(shù)是鐵水增碳。增碳率越高，鐵水的冶金性能越好。這里所說的增碳率，是鐵水中以增碳劑形式加入的碳，而不是爐料中帶入的碳。生產(chǎn)實(shí)踐表明，在爐料配比中生鐵比例高，白口傾向大；增碳劑比例增大， 白口傾向減小。這就要求...

與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場強(qiáng)是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應(yīng)用，如電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。另外，SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項(xiàng)指標(biāo)均優(yōu)于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達(dá)600℃...

碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性的晶體生長工藝則是其中較重要的技術(shù)。之前，這項(xiàng)技術(shù)只掌握在美國人手里，且長期對(duì)我國技術(shù)封鎖。過去，我國的半導(dǎo)體材料長期依賴國外進(jìn)口，由此帶來的問題就是半導(dǎo)體材料價(jià)格昂貴、渠道不穩(wěn)，隨時(shí)都可能面對(duì)禁運(yùn)的風(fēng)險(xiǎn)，而且產(chǎn)品...

碳化硅半導(dǎo)體材料的革新：碳化硅基功率器件性能優(yōu)于硅基器件，更高效，更節(jié)能，更輕便！隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的日益普及，需要在高溫和苛刻的電流循環(huán)條件下，對(duì)二極管操作進(jìn)行各種耐久性測試，以評(píng)估其性能。毫無疑問，功率電子器件作為基本元器件，將在未來幾年中持續(xù)發(fā)展。而...

受焦炭價(jià)格不斷上升、環(huán)保以及用戶對(duì)鑄件質(zhì)量要求越來越高等因素的影響，電爐在很多地方已經(jīng)取代了沖天爐。又由于生鐵價(jià)格的不斷上升，廢鋼在社會(huì)上沉淀存留量較多而價(jià)格較低，所以這幾年普遍的用廢鋼加增碳劑的方法生產(chǎn)球鐵及灰鐵。如果工藝操作正確，不但可以提高鑄件的綜合...

鐵液中的硅對(duì)增碳效果有較大的影響。硅含量高的鐵液增碳性不好。有人讓鐵液中Si的質(zhì)量分?jǐn)?shù)在0.6%~2.1%的范圍內(nèi)變化，并添加的A，B兩種增碳劑，觀察加入增碳劑后增碳時(shí)間的區(qū)別，其結(jié)果如圖3所示，鐵液中Si的質(zhì)量分?jǐn)?shù)高時(shí)，增碳速度慢。 正如鐵液中的硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)...

據(jù)介紹，越是接近于構(gòu)成共晶晶核的物質(zhì)，即使所添加的石墨與共晶石墨的結(jié)晶度有些不同，與其他能夠推斷為形成石墨重要的物質(zhì)相比較，勢必禍合度要大些。從此觀點(diǎn)出發(fā)，可以認(rèn)為：懸浮的微細(xì)石墨粒子有利于生成石墨重要，可起到防止鑄鐵過冷和白口化的作用。 增碳劑粒度...

在壓球化劑作球化處理之前，都要先燙包。由于沖天爐的熔化速度快，當(dāng)一包球鐵澆注完畢后，再處理下一包時(shí)，包內(nèi)溫度還很高，鐵水倒入澆包內(nèi)降溫少，所以再進(jìn)行球化處理時(shí)，出爐溫度與電爐相比較可以稍低些，對(duì)球化處理質(zhì)量（球化劑的熔化及吸收、澆注溫度），影響不大或沒有影...

中頻爐熔煉灰鐵的重中之重是控制增碳劑的重要作用，重要技術(shù)是鐵水增碳。增碳率越高，鐵水的冶金性能越好。這里所說的增碳率，是鐵水中以增碳劑形式加入的碳，而不是爐料中帶入的碳。生產(chǎn)實(shí)踐表明，在爐料配比中生鐵比例高，白口傾向大；增碳劑比例增大， 白口傾向減小。這就要求...

碳化硅、氮化鎵的市場潛力還遠(yuǎn)未被全部挖掘：5G、智慧交通、新能源已經(jīng)成為全球發(fā)展的方向，但作為上游材料的氮化鎵、碳化硅的市場潛力其實(shí)還遠(yuǎn)未被全部挖掘。因?yàn)槿绻麖漠a(chǎn)業(yè)鏈中游來看，我國第三代半導(dǎo)體器件市場有著巨大的增長空間，或能成為倒逼上游材料發(fā)展的一大動(dòng)力。半...

碳化硅二極管，較初的二極管非常簡單，但隨著技術(shù)的發(fā)展，逐漸出現(xiàn)了升級(jí)的JFET、MOSFET和雙極晶體管。碳化硅肖特基二極管優(yōu)勢明顯，它具有高開關(guān)性能、高效率和高功率密度等特性，而且系統(tǒng)成本較低。這些二極管具有零反向恢復(fù)時(shí)間、低正向壓降、電流穩(wěn)定性、高抗浪涌...

在10A的額定電流下，硅續(xù)流二極管展現(xiàn)出較低的正向壓降，SiC肖特基二極管的Vf更高，而快速硅二極管展現(xiàn)出較高的正向壓降。正向電壓與溫度之間的關(guān)聯(lián)差別很大：快速硅二極管具有負(fù)的溫度系數(shù)，150°C下的Vf比25°C下的Vf低。對(duì)于12A以上的電流，CAL的溫...

全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多，甚至在開關(guān)頻率低于5kHz時(shí)。因此，通過使用更大的芯片面積來優(yōu)化用于低開關(guān)頻率的全SiC模塊是可能的。 只要SiC芯片尺寸合適，SiC器件可以在普遍的開關(guān)頻率范圍內(nèi)提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片...

碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級(jí)耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強(qiáng)度高，節(jié)能效果好...

盡管當(dāng)前可用的基于Si的晶體管已接近其在*面積極限上的R ，但生產(chǎn)SiC器件的技術(shù)仍處于學(xué)習(xí)曲線的早期階段。因此，我們可以期望在后代看到更高的性能。值得注意的是，對(duì)于給定的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓，SiC MOSFET所需的管芯面積比常規(guī)硅MOSFET顯著更少。因...

目前的碳化硅拋光方法存在著材料去除率低、成本高的問題，且無磨粒研拋、催化輔助加工等加工方法，由于要求的條件苛刻、裝置操作復(fù)雜，目前仍處在實(shí)驗(yàn)室范圍內(nèi)，批量生產(chǎn)的實(shí)現(xiàn)可能性不大。人類1905年 一次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅，現(xiàn)在主要來源于人工合成，碳化硅有許多用途，...

如果不用增碳劑，熔煉出的鐵水雖然化學(xué)成分合格，溫度也合適， 孕育也合理，但鐵水卻表現(xiàn)不佳：看似溫度較高，流動(dòng)性卻不太好，縮孔、縮松傾向大，易吸氣， 易產(chǎn)生白口，截面敏感性大，鐵水夾雜物多。這些都是鐵水增碳率和石墨化程度低造成的。碳在原鐵水中的存在形式主要為細(xì)小...

在熔化的鐵液中，增碳劑除了有已溶入鐵液的碳以外，還有殘留的、未溶入的石墨形式的碳，并以粒狀被卷入攪拌的液流之中。未熔解、粗大的石墨粒子，在通電時(shí)大部分懸浮在爐壁附近的鐵液液面，一部分則附著在相當(dāng)于攪拌死角的爐壁中部。此時(shí)，一旦通電停止，這些粗大的石墨粒子由...