福建雙向可控硅模塊組件

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-27

可控硅鑒別三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以判斷出來(lái)。

  陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。

  控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。

  若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞。 淄博正高電氣有限公司以***,高質(zhì)量的產(chǎn)品,滿足廣大新老用戶的需求。福建雙向可控硅模塊組件

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可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下:

(1)采用進(jìn)口方形可控硅支撐板,降低了可控硅模塊的電壓,功耗低,效率高,節(jié)能效果好。

(2)采用進(jìn)口插入元件,保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。

(3)(DCB)陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝,保證了晶閘管組件的焊接層無(wú)空腔,導(dǎo)熱性好。

(4)導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。

(5)觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離,導(dǎo)熱基板不帶電,介電強(qiáng)度≥2500V,保證安全。

(6)通過(guò)輸入0-10V直流控制信號(hào),可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。

(7)可采用手動(dòng)控制、儀表控制或微機(jī)控制。

(8)適用于電阻和電感負(fù)載。 福建雙向可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司與廣大客戶攜手共創(chuàng)碧水藍(lán)天。

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任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時(shí)間長(zhǎng)了,它的溫度就會(huì)升高,如果溫度過(guò)高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來(lái)看看可控硅模塊的升溫方法:

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測(cè)定:在距被測(cè)可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì),溫度計(jì)測(cè)點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高,溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來(lái)輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。

2 可控硅模塊溫升按下式計(jì)算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測(cè)定:被測(cè)可控硅模塊溫升的測(cè)定,通常與減速機(jī)的承載能力及傳動(dòng)效率測(cè)定同時(shí)進(jìn)行,也可單獨(dú)進(jìn)行,被測(cè)減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí),讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱晶閘管T。又由于晶閘管開(kāi)始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。

在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此頻率,因元件開(kāi)關(guān)損耗明顯增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展!

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過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對(duì)過(guò)電壓非常敏感,當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí),可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí),可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此,需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。

過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類型,如雷擊和開(kāi)關(guān)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。


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可控硅模塊的操控端口與操控線

可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法,別離對(duì)應(yīng)于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號(hào)的商品只用**腳端口,其他為空腳,選用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入,操控線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,聯(lián)接時(shí)注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊。

可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號(hào),請(qǐng)一一對(duì)應(yīng),不要接反。以上六個(gè)端口為模塊根柢端口,其它端口為分外端口,只在具有多功用商品中運(yùn)用,一般調(diào)壓商品其他腳為空腳。 福建雙向可控硅模塊組件

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