而稱(chēng)之為主電極T1、T2。[15]檢測(cè)單向晶閘管：萬(wàn)用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測(cè)量其正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。對(duì)調(diào)兩表筆測(cè)其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。測(cè)量控制極G與陽(yáng)極A之間的正、反向電阻，均應(yīng)為無(wú)窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián)，不論正、反向均不應(yīng)導(dǎo)通，否則晶閘管已壞。[16]檢測(cè)雙向晶閘管：萬(wàn)用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測(cè)量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應(yīng)為較小阻值。測(cè)量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應(yīng)為無(wú)窮大。[17]檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性：萬(wàn)用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，表針指示...

引理**近有朋友說(shuō)關(guān)于加熱爐出現(xiàn)燒毀晶閘管的問(wèn)題，事情起源為公司設(shè)計(jì)了一個(gè)加熱爐，加熱上限溫度100度，下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設(shè)計(jì)連接方式為星形連接，其中一臺(tái)設(shè)備采用了三角形連接方式，結(jié)果晶閘管經(jīng)常被燒毀，問(wèn)這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個(gè)問(wèn)題，需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個(gè)方面進(jìn)行分析。本文分析采用理論與實(shí)際相結(jié)合形式，讀者根據(jù)需求選擇部分章節(jié)進(jìn)行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導(dǎo)通控制電阻絲功率的調(diào)功器。調(diào)功器的控制方式：晶閘管零電壓開(kāi)關(guān)，在時(shí)間周期T內(nèi)，晶閘管全導(dǎo)通周波數(shù)對(duì)應(yīng)的時(shí)間Tm，晶閘管關(guān)閉時(shí)間T...

晶閘管模塊常用的保護(hù)措施 ① 過(guò)電流保護(hù) 過(guò)流保護(hù)一般都推薦外接快速熔斷器的方法，可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可，三相模塊三只，單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓，額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對(duì)于短路引起的過(guò)流保護(hù)效果很好，對(duì)于一般性的過(guò)流并不能起到很好的保護(hù)效果，因?yàn)閮杀队诳焖偃蹟嗥黝~定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護(hù)效果，除采用快速熔斷器外可采用帶過(guò)流保護(hù)功能的模塊或具有過(guò)流保護(hù)功能的控制板。 ②過(guò)電壓保護(hù) 模塊的過(guò)壓保護(hù)，推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。 阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截...

晶閘管智能模塊的散熱要求 模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過(guò)載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過(guò)熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)算，確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶(hù)自備時(shí)按以下原則選?。? 1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ； 2、一定要能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于 80℃； 3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻； 4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周?chē)目諝饽軐?shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積； ...

調(diào)試告結(jié)束。13、注意事項(xiàng)，請(qǐng)取下控制板，否則可能造成控制板長(zhǎng)久性損壞。，恕不另行通知。，本公司概不負(fù)責(zé)。MPU器件是一種CMOS器件，使用時(shí)應(yīng)注意，器件的兩個(gè)引腳之間嚴(yán)禁短路，否則將損壞芯片，為保護(hù)器件的安全，因此忌用萬(wàn)用表直接測(cè)量器件的引腳。，控制板上有高壓電，請(qǐng)注意，以免觸電。14.問(wèn)題討論控制電路上已經(jīng)把過(guò)壓保護(hù)電平固定在額定輸出電壓的，當(dāng)進(jìn)行定額電壓整定時(shí)，過(guò)壓保護(hù)就自動(dòng)整定好了。若覺(jué)得，可改變控制板上的R28電阻值，減小R28，過(guò)壓保護(hù)電平增高；反之減小?？刂齐娐飞弦呀?jīng)把過(guò)流保護(hù)電平固定在額定直流電流的，當(dāng)進(jìn)行額定電流的整定時(shí)，過(guò)流保護(hù)就自動(dòng)設(shè)定好。若覺(jué)得，增大R27，過(guò)流...

以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門(mén)極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)...

軟啟動(dòng)器可分為有級(jí)和無(wú)極兩類(lèi)，前者的調(diào)節(jié)是分檔的；后者的調(diào)節(jié)是連續(xù)的。傳統(tǒng)的軟起動(dòng)器均是有級(jí)的。下面我們就是主要介紹下無(wú)級(jí)類(lèi)，它們是液阻軟起動(dòng)、磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)。在電動(dòng)機(jī)定子回路，通過(guò)串入有限流作用的電力電子器件實(shí)現(xiàn)軟起動(dòng)，叫做降壓或者限流軟起動(dòng)，它是軟起動(dòng)中的一個(gè)重要類(lèi)別。按限流器件不同可分為：以電解液限流的液阻軟起動(dòng)，以磁飽和電抗器為限流啟動(dòng)的磁控軟啟動(dòng)，以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動(dòng)。變頻調(diào)速器也是一種軟起動(dòng)裝置，它是比較理想的一種，它可以在限流同時(shí)保持高的起動(dòng)轉(zhuǎn)矩。價(jià)格貴是制約其作為軟起動(dòng)應(yīng)用的重要因素，它主要用在變頻調(diào)速系統(tǒng)中。一、液阻軟起動(dòng)器液阻是一種由電解液形成...

傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來(lái)完成對(duì)變壓器初級(jí)或次級(jí)的調(diào)壓；加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣，粉塵飛揚(yáng)，溫度變化較大，濕度較高，長(zhǎng)時(shí)間工作后會(huì)出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常，造成晶閘管擊穿，導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn)，產(chǎn)品報(bào)廢等，給生產(chǎn)造成嚴(yán)重?fù)p失。并且普通電工無(wú)法完成維修工作，必須專(zhuān)業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問(wèn)題，比較好采用密封性好，工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來(lái)替代傳統(tǒng)的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)（即觸發(fā)板）集成共同封裝在一個(gè)塑料外殼內(nèi)，從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯(cuò)誤的幾率，維護(hù)...

電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過(guò)電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過(guò)電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過(guò)電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引...

傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來(lái)完成對(duì)變壓器初級(jí)或次級(jí)的調(diào)壓；加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣，粉塵飛揚(yáng)，溫度變化較大，濕度較高，長(zhǎng)時(shí)間工作后會(huì)出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常，造成晶閘管擊穿，導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn)，產(chǎn)品報(bào)廢等，給生產(chǎn)造成嚴(yán)重?fù)p失。并且普通電工無(wú)法完成維修工作，必須專(zhuān)業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問(wèn)題，比較好采用密封性好，工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來(lái)替代傳統(tǒng)的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)（即觸發(fā)板）集成共同封裝在一個(gè)塑料外殼內(nèi)，從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯(cuò)誤的幾率，維護(hù)...

晶閘管智能模塊的保護(hù) 在實(shí)際應(yīng)用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護(hù)措施來(lái)保證晶閘管智能模塊能可靠工作。 過(guò)熱保護(hù)：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實(shí)際工作中由于自身功耗，都會(huì)引起芯片溫度上升，溫度過(guò)高后，會(huì)使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過(guò)熱擊穿，在實(shí)際應(yīng)用中，通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方法來(lái)及時(shí)散除晶閘管工作時(shí)產(chǎn)生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過(guò)75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！威海MTAC300晶閘管智能模塊廠家 以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使...

晶閘管式整流電路，是對(duì)交流電整流成直流電，而后面的調(diào)節(jié)焊接電流是另外的控制電路。當(dāng)然也有直接控制前面的整流電路里面的電流直接輸出，這樣做雖然節(jié)約成本，但太危險(xiǎn)。一般控制輸出電流有兩種方式：一種是利用一個(gè)晶閘管，控制他的導(dǎo)通程度，從而控制輸出電流的大??；另外還有個(gè)方法是控制輸出線圈的閘數(shù)，線圈閘數(shù)越多，輸出電流越大。具體電路要看電焊機(jī)是采用交流輸出方式，還是直流輸出方式。電焊機(jī)：電焊機(jī)是利用正負(fù)兩極在瞬間短路時(shí)產(chǎn)生的高溫電弧來(lái)熔化電焊條上的焊料和被焊材料，來(lái)達(dá)到使它們結(jié)合的目的。結(jié)構(gòu)十分簡(jiǎn)單，就是一個(gè)大功率的變壓器，電焊機(jī)一般按輸出電源種類(lèi)可分為兩種，一種是交流電源的；一種是直流電的。是...

QXPU-1型恒功率晶閘管中頻電源控制板使用說(shuō)明書(shū)小芯片六脈波1、概述QXPU-1恒功率晶閘管中頻電源控制板主要由電源、調(diào)節(jié)器、移相控制、保護(hù)電路、相序自適應(yīng)電路、啟動(dòng)演算電路、逆變頻率、逆變脈沖形成、脈沖放大及脈沖變壓器組成。其部件采用高性能、高密度、大規(guī)模**MPU集成電路，使其電路除調(diào)節(jié)器外，其余均實(shí)現(xiàn)數(shù)字化，整流觸發(fā)器部分不需要任何調(diào)整，具有可靠性高、脈沖對(duì)稱(chēng)度高、抗干擾能力強(qiáng)、反應(yīng)速度快等特點(diǎn)，又由于有相序自適應(yīng)電路，無(wú)需同步變壓器，所以，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試中免去了調(diào)相序、對(duì)同步的工作，*需把KP晶閘管的門(mén)極線接入控制板相應(yīng)的接線端上，整流部分便能投入運(yùn)行。逆變采用掃頻式零壓軟啟動(dòng)方式...

晶閘管智能模塊的基本組成 晶閘管芯片以不同的形式連接，并與觸發(fā)控制系統(tǒng)集成?？尚纬蓡蜗嗪腿嘟涣髡餍问?。該模塊的直流控制電源信號(hào)可由手動(dòng)、儀表或微機(jī)控制。 主要結(jié)果如下：(1)選用進(jìn)口(DCB)陶瓷銅層壓板、金屬M(fèi)o片、純銅導(dǎo)熱基板等材料實(shí)現(xiàn)無(wú)間隙焊接，絕緣性能好，導(dǎo)熱系數(shù)高，熱循環(huán)次數(shù)比國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)高10倍。 （2）采用進(jìn)口方形芯片，電連接部分采用高分子復(fù)合材料作為支撐板和連接橋，使模塊工作壓降低、功耗低、熱阻小、工作效率高。 （3）均采用品牌貼片元件，自行設(shè)計(jì)的10位A/D**數(shù)字觸發(fā)電路，高集成觸發(fā)控制系統(tǒng)，在電感和電容負(fù)載條件下具有一定優(yōu)勢(shì)，輸出電壓對(duì)稱(chēng)性好，...

晶閘管模塊使用注意事項(xiàng) 科學(xué)合理的選型和適當(dāng)?shù)木S護(hù)可有效延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命，用戶(hù)可參考以下標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品的維護(hù)和保養(yǎng)： （1）初次使用該產(chǎn)品的用戶(hù)一定要熟讀說(shuō)明書(shū)，了解產(chǎn)品的基本情況和使用方法； （2）在產(chǎn)品選型時(shí)根據(jù)使用條件按標(biāo)準(zhǔn)要留出足夠的電流余量，并保證足夠的散熱條件。 （3）工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃； （4）模塊周?chē)鷳?yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無(wú)塵、無(wú)腐蝕性液體和氣體； （5）模塊不能當(dāng)作隔離開(kāi)關(guān)使用，為保證安全，模塊前面需加空氣開(kāi)關(guān)； （6）模塊各緊固螺釘一定要擰緊，避免因接觸不良導(dǎo)致次生熱量產(chǎn)生，且會(huì)降低通過(guò)的電流量。初次使用...

晶閘管智能模塊的基本組成 晶閘管芯片以不同的形式連接，并與觸發(fā)控制系統(tǒng)集成?？尚纬蓡蜗嗪腿嘟涣髡餍问健Ｔ撃K的直流控制電源信號(hào)可由手動(dòng)、儀表或微機(jī)控制。 主要結(jié)果如下：(1)選用進(jìn)口(DCB)陶瓷銅層壓板、金屬M(fèi)o片、純銅導(dǎo)熱基板等材料實(shí)現(xiàn)無(wú)間隙焊接，絕緣性能好，導(dǎo)熱系數(shù)高，熱循環(huán)次數(shù)比國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)高10倍。 （2）采用進(jìn)口方形芯片，電連接部分采用高分子復(fù)合材料作為支撐板和連接橋，使模塊工作壓降低、功耗低、熱阻小、工作效率高。 （3）均采用品牌貼片元件，自行設(shè)計(jì)的10位A/D**數(shù)字觸發(fā)電路，高集成觸發(fā)控制系統(tǒng)，在電感和電容負(fù)載條件下具有一定優(yōu)勢(shì)，輸出電壓對(duì)稱(chēng)性好，...

傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來(lái)完成對(duì)變壓器初級(jí)或次級(jí)的調(diào)壓；加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣，粉塵飛揚(yáng)，溫度變化較大，濕度較高，長(zhǎng)時(shí)間工作后會(huì)出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常，造成晶閘管擊穿，導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn)，產(chǎn)品報(bào)廢等，給生產(chǎn)造成嚴(yán)重?fù)p失。并且普通電工無(wú)法完成維修工作，必須專(zhuān)業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問(wèn)題，比較好采用密封性好，工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來(lái)替代傳統(tǒng)的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)（即觸發(fā)板）集成共同封裝在一個(gè)塑料外殼內(nèi)，從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯(cuò)誤的幾率，維護(hù)...

由與非門(mén)的邏輯關(guān)系可知此時(shí)YFA3腳輸出為高電平，經(jīng)過(guò)YF2反相變?yōu)榈碗娖?，D1截止后級(jí)電路不動(dòng)作。晚上光線暗RG阻值變大，YFA1腳電位升高，如果此時(shí)有聲音被MIC接收，經(jīng)C1耦合T1放大，在R3上形成音頻電壓，此電壓如高于1/2電源電壓，則YF13腳輸出低電平，經(jīng)YFB反相，4腳輸出的高電平經(jīng)D1向C2瞬間充電，使YFC輸入端接近電源電壓，10腳輸出低電平，由YFD反相緩沖后經(jīng)R6觸發(fā)可控硅導(dǎo)通，電燈正常點(diǎn)亮。（此時(shí)則由C3向電路供電）如此后無(wú)聲被MIC接收，則YFA輸出恢復(fù)為高電平，C2通過(guò)R5緩慢放電，當(dāng)C2電壓下降到低于1/2電源電壓時(shí)（按圖中參數(shù)約一分鐘）YFC反轉(zhuǎn)、YFD...

1)安裝1)按電路元件明細(xì)表配齊元件，并對(duì)元件進(jìn)行檢測(cè)。2)在面包板上根據(jù)電路圖合理安排元件的位置。3)安裝元件，確認(rèn)無(wú)誤后調(diào)試。(2)調(diào)試安裝完畢的電路經(jīng)檢查確認(rèn)無(wú)誤后，接通電源進(jìn)行調(diào)試。先調(diào)控制電路，然后再調(diào)試主電路?？刂齐娐返恼{(diào)試步驟是：在控制電路接上電源后，先用示波器觀察穩(wěn)壓管兩端的電壓波形，應(yīng)為梯形波；再觀察電容器兩端的電壓波形，應(yīng)為鋸齒波；調(diào)節(jié)電位器RP，鋸齒波的頻率有均勻的變化。表12—2所示為觸發(fā)電路各點(diǎn)的波形圖。主電路的調(diào)試步驟是：用調(diào)壓器給主電路加一個(gè)低電壓(40～50V)，用示波器觀察晶閘管陽(yáng)、陰極之間的電壓波形。波形上有一部分是一條平線，它是晶閘管的導(dǎo)通部分；調(diào)...

如雷電閃光、車(chē)輛燈光等）干擾被控?zé)舻恼９ぷ?。?jié)能燈每晚點(diǎn)燃的時(shí)間由公式t≈（R3R4）C5計(jì)算，N為定時(shí)系數(shù)。當(dāng)開(kāi)關(guān)K斷開(kāi)時(shí)，定時(shí)時(shí)間約為6h，適合于冬季夜晚；當(dāng)K閉合時(shí)，定時(shí)約4h，適合夏季夜晚。節(jié)能燈驅(qū)動(dòng)電路由VT2、VT3等組成的逆變電路構(gòu)成。節(jié)能燈電路接通時(shí)，通過(guò)VT2、VT3、變壓器T1實(shí)現(xiàn)反饋、振蕩、升壓等過(guò)程，使得節(jié)能日光燈兩端有160V～180V電壓而點(diǎn)亮。點(diǎn)亮?xí)r消耗蓄電池電流，使用30A時(shí)蓄電池可在無(wú)太陽(yáng)時(shí)連續(xù)工作一個(gè)星期。RL選擇MG44-04光敏電阻。其他元器件如電路圖所示。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D（六）一種精密光亮光控電路圖如圖所示的電路為一種精密光亮光控電路，其...

電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過(guò)電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過(guò)電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過(guò)電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引...

三相負(fù)載吸收的功率等于各相功率之和。上節(jié)已經(jīng)分析了，如果把電阻R的星接結(jié)構(gòu)改成角接結(jié)構(gòu)，更改后的角接結(jié)構(gòu)等效變換為星接結(jié)構(gòu)時(shí)，對(duì)應(yīng)的星接等效電阻為R/3。如下圖所示：角接等效星接三相對(duì)稱(chēng)電路的瞬時(shí)功率P為各相負(fù)載瞬時(shí)功率之和：那么，此時(shí)的相電流為更改前相電流的3倍。因此，更改后的三相對(duì)稱(chēng)電路功率P為更改**相對(duì)稱(chēng)電流功率P0的3倍：晶閘管額定通態(tài)電流通常為電路額定電流的2倍。這意味著晶閘管比較大運(yùn)行功率為額定功率的2倍，因此：同樣阻值的電阻，由星接更改為角接后，三相對(duì)稱(chēng)電路的功率增大了3倍。這導(dǎo)致了晶閘管功率超限而燒毀。保證系統(tǒng)運(yùn)行的基本要求：1從晶閘管的功率選型來(lái)看，需要把三角形連接...

逆變橋進(jìn)入工作狀態(tài)，開(kāi)始起振，若不起振，表現(xiàn)為它激信號(hào)反復(fù)作掃頻動(dòng)作，可調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)后，仍然起動(dòng)不起來(lái)。此時(shí)應(yīng)確認(rèn)一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測(cè)量一下電熱電容器的電容量及感應(yīng)器的電感量，計(jì)算出槽路的諧振頻率，當(dāng)槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動(dòng)應(yīng)該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開(kāi)關(guān)均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調(diào)節(jié)主控板上W4微調(diào)電位器，使逆變換相引前角在...

過(guò)流保護(hù)如果想得到較安全的過(guò)流保護(hù)，建議用戶(hù)優(yōu)先使用內(nèi)部帶過(guò)流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過(guò)電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡(jiǎn)單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱(chēng)輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶(hù)也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過(guò)壓保護(hù)晶閘管承受過(guò)電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元...

晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法 考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問(wèn)題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算： I>K×I負(fù)載×U較大∕U實(shí)際 K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2； I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的較大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的較大電壓； U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）； I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標(biāo)稱(chēng)的電...

過(guò)流保護(hù)如果想得到較安全的過(guò)流保護(hù)，建議用戶(hù)優(yōu)先使用內(nèi)部帶過(guò)流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過(guò)電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡(jiǎn)單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱(chēng)輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶(hù)也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過(guò)壓保護(hù)晶閘管承受過(guò)電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元...

對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開(kāi)G極，只要GTO維持通態(tài)，就說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào)，如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通...

是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。常見(jiàn)的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：?jiǎn)蜗蚓чl管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號(hào)為“VS”，圖形符號(hào)如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有：額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時(shí)應(yīng)注意不能超過(guò)其極限參數(shù)指標(biāo)，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個(gè)電極。單向晶閘管的三個(gè)電極是：陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個(gè)電極是：兩個(gè)主電極T1、T2以及控制極G。使用中應(yīng)注意識(shí)別。[14]晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦?，即不但具有一?..

這兩部分電路，R5、RP和C5構(gòu)成阻容移相電路。合上電源開(kāi)關(guān)S，交流電源電壓通過(guò)R5、RP向電容器C5充電，當(dāng)電容器C5兩端的電壓上升到略高于雙向觸發(fā)二極管ST的轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，ST和雙向晶閘管VS相繼導(dǎo)通，負(fù)載RL得電工作。當(dāng)交流電源電壓過(guò)零瞬間，雙向晶閘管自行關(guān)斷，接著C5又被電源反向充電，重復(fù)上述過(guò)程。分析電路時(shí)，觸發(fā)電路是工作在交流電路中的，交流電壓的正、負(fù)半周分別會(huì)發(fā)出正、負(fù)觸發(fā)脈沖送到雙向晶閘管的控制極，使管子在正、負(fù)半周內(nèi)對(duì)稱(chēng)地導(dǎo)通一次。改變RP的阻值，就改變了C5的充電速度，也就改變了雙向晶閘管的導(dǎo)通角，相應(yīng)地改變了負(fù)載RL上的交流電壓，實(shí)現(xiàn)了交流調(diào)壓。同是不是可以直接作交...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，又可稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。...