按照組成成分和應(yīng)用工藝不同,濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純試劑為主,一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品,按照性質(zhì)劃分可分為:酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等;堿類包括氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀等;有機(jī)溶劑類包括甲醇、乙醇、異丙醇、**、乙酸乙酯等;其他類包括雙氧水等。功能濕電子化學(xué)品指通過復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復(fù)配類化學(xué)品,即在單一的超凈高純試劑(或多種超凈高純試劑的配合)基礎(chǔ)上,加入水、有機(jī)溶劑、螯合劑、表面活性劑混合而成的化學(xué)品。例如剝離液、顯影液、蝕刻液、清洗液等。由于多數(shù)功能濕電子化學(xué)品是復(fù)配的化學(xué)品,是混合物,它的理化指標(biāo)很難通過普通儀器定量檢測,只能通過應(yīng)用手段來評價(jià)其有效性。 剝離液的作用和使用場景?;葜蒌X鉬鋁蝕刻液剝離液供應(yīng)
本發(fā)明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術(shù)::印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中,伴隨微細(xì)布線化而使用胺系的剝離液。然而,以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規(guī)制度的問題,而避免其使用。近年來,為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點(diǎn),還報(bào)道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻(xiàn)1),由于剝離時(shí)的抗蝕劑沒有微細(xì)地粉碎,因此存在近年的微細(xì)的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點(diǎn)?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-323776號公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:發(fā)明要解決的問題因此,本發(fā)明的課題在于,提供容易除去微細(xì)的布線間的抗蝕劑的技術(shù)。用于解決問題的手段本發(fā)明人等為了解決上述課題而深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn),含有鉀鹽和溶纖劑的溶液與專利文獻(xiàn)1那樣的含有氫氧化鈉和溶纖劑的溶液相比,即使是非常微細(xì)的布線間的抗蝕劑也能細(xì)小地粉碎,從而完成本發(fā)明。即,本發(fā)明涉及一種抗蝕劑的剝離液,其特征在于,含有鉀鹽和溶纖劑。另外,本發(fā)明涉及一種抗蝕劑的除去方法,其特征在于,用上述抗蝕劑的剝離液處理施加有抗蝕劑的基材?;葜蒌X鉬鋁蝕刻液剝離液供應(yīng)性價(jià)比高的剝離液哪里有;
按照玻璃基板傳送方向從當(dāng)前腔室101開始逐級由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進(jìn)行剝離制程。剝離液從當(dāng)前腔室101進(jìn)入相應(yīng)的存儲箱20,在剝離液的水平面超過預(yù)設(shè)高度后流入過濾器30,再經(jīng)過過濾器30的過濾將過濾后的剝離液傳送至下一級腔室102內(nèi)。其中,薄膜碎屑70一般為金屬碎屑或ito碎屑。其中,如圖2所示,圖2為本申請實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺100的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。閥門開關(guān)60設(shè)置在管道40及第二管道50上。在過濾器30被阻塞時(shí),關(guān)閉位于過濾器30兩側(cè)的管道40及第二管道50上的閥門開關(guān)60,可以保證當(dāng)前級腔室101對應(yīng)的存儲箱20內(nèi)剝離液不會流出,同時(shí)下一級腔室102內(nèi)的剝離液也不會流出。在一些實(shí)施例中,請參閱圖3,圖3為本申請實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺100的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。過濾器30包括多個(gè)并列排布的子過濾器301,所述管道40包括多個(gè)子管道401,每一所述子管道401與一子過濾器301連通,且所述多個(gè)子管道401與當(dāng)前級腔室101對應(yīng)的存儲箱20連通。在一些實(shí)施例中,第二管道50包括公共子管道501及多個(gè)第二子管道502,每一所述第二子管道502與一子過濾器301連通,每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通,所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中。
本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域:,更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)::電子行業(yè)飛速發(fā)展,光刻膠應(yīng)用也越來越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中,經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程,在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后,必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任何基材,才能再進(jìn)行下道工序。因此,光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻,但對于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板),傳統(tǒng)剝離液親水性不夠,水置換能力較差,容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:本申請公開了一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液,包括以下質(zhì)量組分:酰胺:50-60%;醇醚:35-45%;環(huán)胺與鏈胺:3-7%;緩蝕劑:%%;潤濕劑:%%。的技術(shù)方案中,所述的酰胺為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種。的技術(shù)方案中,所述的醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種。的技術(shù)方案中。哪家剝離液的的性價(jià)比好。
所述功能切換口3外部并聯(lián)有高純水輸入管線1和沉淀劑輸入管線2。所述二級過濾罐13的底部設(shè)有廢液出口20。所述一級過濾罐16和二級過濾罐13內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過濾筒。本實(shí)施例中,所述一級過濾罐16和二級過濾罐13的結(jié)構(gòu)相同,以一級過濾罐16為例,由外殼1601、懸設(shè)于外殼1601內(nèi)的過濾筒、扣裝于過濾筒頂部的壓蓋1602組成。所述壓蓋1602中心設(shè)有對應(yīng)進(jìn)料管路15的通孔。所述過濾筒由均勻布設(shè)多孔1606的支撐筒體1605、設(shè)于支撐筒體1605內(nèi)表面的金屬濾網(wǎng)1604、設(shè)于金屬濾網(wǎng)1604表面的纖維濾布1603組成。所述支撐筒體1605的上沿伸出外殼1601頂部并利用水平翻邊支撐于外殼1601上表面,所述金屬濾網(wǎng)1604的上沿設(shè)有與支撐筒體1605的水平翻邊扣合的定位翻邊。所述支撐筒體1605的底面為向筒體內(nèi)側(cè)凹陷的錐面1607,增加了過濾面積,提高了過濾效率。所述攪拌釜10設(shè)有ph計(jì)(圖中省略),用于檢測溶液ph值。攪拌釜10由釜體8、設(shè)于釜體8頂部的攪拌電機(jī)4、與攪拌電機(jī)4連接的攪拌桿11、設(shè)于攪拌桿11末端的攪拌槳12組成,所述攪拌槳12為u字形,釜體8外表面設(shè)有調(diào)溫水套9。工作過程:1、先向攪拌釜10內(nèi)投入光刻膠廢剝離液,再向釜內(nèi)輸入高純水,兩者在攪拌釜10內(nèi)攪拌均勻。剝離液是一種用去去除光刻膠的化學(xué)品。蕪湖ITO蝕刻液剝離液聯(lián)系方式
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圖3是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖二,其離子注入步驟。圖4是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖三,其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖四,其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖五,其顯示光刻膠炸裂到臨近光刻膠。圖7是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖六,其顯示光刻膠去除殘留。圖8是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖一,其顯示首先剝離去除主要光刻膠層。圖9是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖二,其顯示逐步剝離去除第二光刻膠層的中間過程。圖10是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖三,其顯示完全去除光刻膠后的襯底。圖11是采用現(xiàn)有技術(shù)剝離去除光刻膠殘留缺陷示意圖。圖12是采用本發(fā)明剝離去除光刻膠殘留缺陷示意圖。具體實(shí)施方式以下通過特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所公開的內(nèi)容充分地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與技術(shù)效果。本發(fā)明還可以通過不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用,本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)加以應(yīng)用,在沒有背離發(fā)明總的設(shè)計(jì)思路下進(jìn)行各種修飾或改變。需說明的是,在不的情況下,以下實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合?;葜蒌X鉬鋁蝕刻液剝離液供應(yīng)