晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時所對應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時,允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時反對應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時,允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級。福建晶閘管模塊報價
它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極。青島晶閘管模塊哪家好正高電氣銳意進(jìn)取,持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。
特點:1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝3、全壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,400A以上模塊既可選用風(fēng)冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應(yīng)用:1、交直流電機(jī)控制2、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4、調(diào)光5、無觸點開關(guān)6、電機(jī)軟起動7、靜止無功補(bǔ)償8、電焊機(jī)9、變頻器10、UPS電源11、電池充放電三相整流橋模塊功率半導(dǎo)體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司,廠家直銷,質(zhì)量,價格有保證!如果您需要相關(guān)型號資料,電壓電流,封裝尺寸大小,可以隨時給您發(fā)送該產(chǎn)品的PDF文檔,供您參考!如果您訂購量大,并且有長期合作意向,可**先給您發(fā)樣品!三天內(nèi)發(fā)貨!如果產(chǎn)品裝機(jī)配型不適用,可退換貨!博飛宏大,給您滿意貼心的服務(wù),是我們一貫的宗旨!公司主頁:歡迎您到廠參觀!北京博飛宏大電子科技有限公司,有10多年功率半導(dǎo)體元器件制造經(jīng)驗,是專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、封裝、測試、銷售、技術(shù)服務(wù)為一體的****,多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國產(chǎn)化工作。我公司的電力半導(dǎo)體器件有:全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK)。
晶閘管模塊的類型
晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。
根據(jù)封裝工藝的不同,晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。
晶閘管模塊可分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX);普通整流模塊(MDC);普通晶閘管、整流混合模塊(MFC);快速晶閘管、整流混合模塊(MKC\MZC);非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG);三相整流橋輸出晶閘管模塊(MDS);單相(三相)整流橋模塊(MDQ);單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)。 正高電氣運(yùn)用高科技,不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營發(fā)展的宗旨。
500Vdc)比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網(wǎng)頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅(qū)動電路在邏輯電路驅(qū)動時應(yīng)盡可能采用低電平輸出進(jìn)行驅(qū)動,以保證有足夠的帶負(fù)載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅(qū)動的電路圖(一般適合于D3、D2型):D1型(4-8Vdc)通常與單相或三相LSR移相觸發(fā)器配合使用。A3型(90-430Vac)為交流控制交流型,在90-430Vac極寬的范圍內(nèi)均能可靠觸發(fā)繼電器導(dǎo)通,且輸入與輸出沒有相位要求:㈧LSR過壓的保護(hù):除LSR內(nèi)部本身有RC吸收回路保護(hù)外,還可以采取并聯(lián)金屬氧化物壓敏電阻(MOV),MOV面積大小決定吸收功率,MOV的厚度決定保護(hù)電壓值。一般220V系列LSR可選取500V-600V的壓敏電阻,380V系列SSR可選取800V-900V的壓敏電阻,480V系列SSR可選取1000V-1100V的壓敏電阻。㈨LSR的功率擴(kuò)展:本公司生產(chǎn)的2A、8A無RC吸收回路的LSR可用于任何大電流等級的可控硅觸發(fā),功率擴(kuò)展后仍具有過零特性或隨機(jī)特性。功率擴(kuò)展LSR的型號為:LSR-3P02E(D3/D2/D1/A3),LSR-3P08E(D3/D2/D1/A3)。正高電氣建立雙方共贏的伙伴關(guān)系是我們孜孜不斷的追求。福建晶閘管模塊報價
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額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值,考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,因此,額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量:三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護(hù)晶閘管在電流通過時,會產(chǎn)生一定的壓降,而壓降的存在則會產(chǎn)生一定的功耗,電流越大則功耗越大,產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時,一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞,是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀,而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時候盡量選擇帶過熱保護(hù)作用的模塊。當(dāng)然,即便模塊帶過熱保護(hù)作用,而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中,當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時,如室溫超過40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等,則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用,否則模塊會由于芯片結(jié)溫超過允許值而損壞。譬如。福建晶閘管模塊報價
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