青島小功率可控硅模塊組件

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-30

可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。青島小功率可控硅模塊組件

青島小功率可控硅模塊組件,可控硅模塊

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久,它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優(yōu)勢(shì),使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,下面正高來(lái)詳細(xì)的說(shuō)下可控硅模塊。


可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。 天津可控硅模塊淄博正高電氣有限公司推行現(xiàn)代化管理制度。

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正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有兩個(gè)陽(yáng)極:一陽(yáng)極A1(T1),二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。

  只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。

可控硅模塊的操控端口與操控線

可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法,別離對(duì)應(yīng)于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號(hào)的商品只用**腳端口,其他為空腳,選用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入,操控線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,聯(lián)接時(shí)注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊。

可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號(hào),請(qǐng)一一對(duì)應(yīng),不要接反。以上六個(gè)端口為模塊根柢端口,其它端口為分外端口,只在具有多功用商品中運(yùn)用,一般調(diào)壓商品其他腳為空腳。 不斷開發(fā)新的產(chǎn)品,并建立了完善的服務(wù)體系。

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可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,存在導(dǎo)通角問(wèn)題,負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K :安全系數(shù),阻性負(fù)載K= 1.5,感性負(fù)載K= 2;

I負(fù)載:負(fù)載流過(guò)的強(qiáng)大電流; U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);

I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備,雄厚的技術(shù)力量。河南反并聯(lián)可控硅模塊廠家

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可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí),其線圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓,這個(gè)電壓通過(guò)電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端,然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過(guò)程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。青島小功率可控硅模塊組件

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