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晶閘管智能模塊的基本組成

晶閘管芯片以不同的形式連接，并與觸發(fā)控制系統(tǒng)集成?？尚纬蓡蜗嗪腿嘟涣髡餍问?。該模塊的直流控制電源信號(hào)可由手動(dòng)、儀表或微機(jī)控制。

主要結(jié)果如下：(1)選用進(jìn)口(DCB)陶瓷銅層壓板、金屬M(fèi)o片、純銅導(dǎo)熱基板等材料實(shí)現(xiàn)無間隙焊接，絕緣性能好，導(dǎo)熱系數(shù)高，熱循環(huán)次數(shù)比國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)高10倍。

（2）采用進(jìn)口方形芯片，電連接部分采用高分子復(fù)合材料作為支撐板和連接橋，使模塊工作壓降低、功耗低、熱阻小、工作效率高。

（3）均采用品牌貼片元件，自行設(shè)計(jì)的10位A/D**數(shù)字觸發(fā)電路，高集成觸發(fā)控制系統(tǒng)，在電感和電容負(fù)載條件下具有一定優(yōu)勢(shì)，輸出電壓對(duì)稱性好，無相序接入要求。

（4）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離，絕緣電壓大于2500V，可以保證人身和設(shè)備使用安全。

（5）該模塊以輸入直流0-5V、0-10V和4-20mA控制三種不同的控制信號(hào)，以滿足用戶的不同控制模式。

（6）輸出電壓不對(duì)稱度小于2%，輸出電壓不穩(wěn)定度小于0.5%。 以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務(wù)。濟(jì)南MTDC150晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

    ⑥三相交流相控調(diào)壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路折疊正常使用條件⑴海拔高度不超過2000M。⑵環(huán)境溫度:-40℃-+50℃。⑶空氣比較大相對(duì)濕度不超過90%(在相當(dāng)于空氣溫度20±5℃)。⑷運(yùn)行地點(diǎn)無導(dǎo)電塵埃，沒有腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽。⑸無劇烈振動(dòng)和沖擊。折疊工作原理本控制板是以工業(yè)級(jí)的單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)系統(tǒng)，它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關(guān)量輸入、故障及報(bào)警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。折疊技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓:≤1000V(50HZ)。⑵控制板工作電源:單相220V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號(hào):三相同步,AC380V，50HZ，電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號(hào):DC0∽10V，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號(hào)比較大共模電壓≤10V，其他需定制(5)IF電流反饋信號(hào):DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號(hào)比較大共模電壓≤5V，其他需定制。⑹1F電流反饋信號(hào):DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號(hào)比較大共模電壓≤5V，其他需定制。⑺2F電流反饋信號(hào):DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ。淄博MTAC100晶閘管智能模塊廠家正高電氣提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務(wù)需要。

    [1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號(hào)為“VT”，圖形符號(hào)如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV。[4]單結(jié)晶體管共有三個(gè)管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負(fù)阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導(dǎo)通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導(dǎo)致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負(fù)阻特性。[6]檢測(cè)單結(jié)晶體管時(shí)，萬用表置于“R×1k”擋。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管(可控硅)上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。公司生產(chǎn)工藝得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，優(yōu)良的品質(zhì)使我們的產(chǎn)品****各地。

    晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。晶閘管的種類晶閘管有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。（二）按引腳和極性分類晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中。我公司生產(chǎn)的產(chǎn)品、設(shè)備用途非常多。淄博MTAC100晶閘管智能模塊廠家

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    但是在設(shè)定電流限值時(shí)必須要根據(jù)電動(dòng)機(jī)的初始轉(zhuǎn)矩來設(shè)定，否則設(shè)置過小會(huì)起動(dòng)失敗或燒壞電機(jī)。此種起動(dòng)方式起動(dòng)時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)。圖3限流起動(dòng)4、突跳起動(dòng)這種起動(dòng)方式主要應(yīng)用在負(fù)載相對(duì)較重的工作環(huán)境下。在轉(zhuǎn)矩控制的基礎(chǔ)下，在起動(dòng)的瞬間采用一個(gè)突跳轉(zhuǎn)矩用來克服負(fù)載的靜轉(zhuǎn)矩，然后轉(zhuǎn)矩在逐漸上升，直至電動(dòng)機(jī)到達(dá)正常工作狀態(tài)。這種起動(dòng)方式的優(yōu)點(diǎn)是可以縮短起動(dòng)時(shí)間，起動(dòng)較重的負(fù)載，但在起動(dòng)的時(shí)候會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生一定的沖擊，影響同一電網(wǎng)下其他負(fù)荷的工作。圖4突跳起動(dòng)5、軟停車軟停車的實(shí)際上就相當(dāng)于相反軟起動(dòng)過程，主要作用是消除了系統(tǒng)的反慣性沖擊，對(duì)于泵類負(fù)載來講就是克服了“水錘”效應(yīng)。其主要過程是在電動(dòng)機(jī)實(shí)行軟停車時(shí)軟起動(dòng)裝置的旁路接觸器斷開，同時(shí)晶閘管開始工作，使電機(jī)電壓逐漸下降，轉(zhuǎn)速降低，達(dá)到軟停車的效果。（如圖5）圖5軟起動(dòng)和軟停車全過程6、泵控起動(dòng)及停車由于水泵類負(fù)載其相對(duì)特殊的機(jī)械特性，部分軟起動(dòng)廠家針對(duì)泵類負(fù)載的特性曲線專門設(shè)計(jì)了泵控型起動(dòng)和停車方式，該種起動(dòng)方式可以通過電機(jī)平滑的加速和減速，使離心泵在起動(dòng)和停機(jī)期間降低水錘沖擊。主控電路通過采集信號(hào)分析電機(jī)的各個(gè)運(yùn)行參數(shù)。濟(jì)南MTDC150晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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