聊城MTAC100晶閘管智能模塊廠家

    當(dāng)周圍光線較弱時，RG呈現(xiàn)高電阻，VD5右端電位升高，電容C充電速率加快，振蕩頻率變高，VS導(dǎo)通角增大，電燈兩端電壓升高、高度增大。當(dāng)周圍光線增強(qiáng)時，RG電阻變小，與上述相反，電燈兩端電壓變低，高度減小。元器件選擇與制作調(diào)試調(diào)試時，將RP調(diào)到阻值為零位置，S置于位置2，用萬用表測電燈兩端交流電應(yīng)在200V以上，如低于200V可略減小R1或增大R3阻值，使之達(dá)到要求。光敏電阻RG應(yīng)安裝在臺燈底座側(cè)面臺燈光線不能直接照射的地方，用來感受周圍環(huán)境照度。調(diào)光臺燈的燈泡宜用40W的白熾燈。調(diào)整好的電路即可投入使用；S撥向2為普通調(diào)光臺燈，調(diào)RP可選擇適當(dāng)?shù)母呙芏?；S撥向1為自動臺燈，先調(diào)RP選擇好適當(dāng)亮度，如環(huán)境照度變暗時，臺燈亮度會逐漸變亮，增大照度。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D（四）如圖所示是一種簡易的光控開關(guān)。在一些公共場所，如樓道、路燈等裝上自動光控開關(guān)，不僅方便而且也節(jié)電。它在天黑時會自動開燈，天亮?xí)r自動熄滅。調(diào)節(jié)Ω電位器，可適用于不同型號的光敏電阻及在一定的條件（黑暗程度）下亮燈。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D（五）該太陽能光控定時節(jié)能照明燈電路是由太陽能電池、蓄電池、光控電路、定時電路和節(jié)能燈驅(qū)動電路幾部分組成。正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。聊城MTAC100晶閘管智能模塊廠家

    晶閘管軟起動的起動方式1、全壓起動在這種狀態(tài)下（圖1），軟起動裝置相當(dāng)一個固態(tài)接觸器，電機(jī)和直接起動一樣，承受全部的電流沖擊和轉(zhuǎn)矩沖擊，一般情況下晶閘管全開時間控制在：圖1全壓起動2、電壓斜坡起動該模式是比較長用的起動模式。它通過減少起動力矩的沖擊，實(shí)現(xiàn)對電機(jī)平滑、連續(xù)無級加速的起動，從而使齒輪、連軸結(jié)和皮帶的摩擦減小到比較低。用戶可以調(diào)節(jié)電機(jī)的初始轉(zhuǎn)矩，在加速斜坡時間內(nèi)，電機(jī)的輸入電壓從設(shè)置的初始轉(zhuǎn)矩對應(yīng)的電壓線性上升，把傳統(tǒng)的降壓起動變有級為無級，從而可以使電機(jī)平滑的起動，減少了機(jī)械方面的沖擊。圖2電壓斜坡起動3、限流起動限流起動，顧名思義，就是在電動機(jī)起動過程中把起動電流限制到某一設(shè)定電流值以下。主要用在相對較輕負(fù)載起動，并且對電網(wǎng)沖擊有一定要求的工況下，其輸入電壓從零開始迅速增長，直到其電流達(dá)到預(yù)先設(shè)定的電流限值，然后在保證輸出電流不大于電流限值的情況下，改變晶閘管的導(dǎo)通角，逐漸升高電壓，直到額定電壓。與此同時，電動機(jī)的轉(zhuǎn)速也在逐漸上升，到達(dá)額定轉(zhuǎn)速。這種起動的優(yōu)點(diǎn)是起動電流較小，可以把電動機(jī)起動對電網(wǎng)的沖擊降到**小，并可按照需要進(jìn)行設(shè)定限流值。聊城MTAC100晶閘管智能模塊廠家正高電氣過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、質(zhì)量的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽(yù)。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。

晶閘管智能模塊導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系

晶閘管模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的較大電流有直接關(guān)系，模塊的標(biāo)稱電流是較大導(dǎo)通角時能輸出的較大電流。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽螅娏鞯挠行е岛苄。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實(shí)際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在極較大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。 正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù)，全過程滿足客戶的***需求。

    對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通時表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是，不需要具體計(jì)算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測關(guān)斷增益值。注意事項(xiàng)：（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。。正高電氣傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。威海MTDC30晶閘管智能模塊報(bào)價

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晶閘管模塊常用的保護(hù)措施

① 過電流保護(hù)

過流保護(hù)一般都推薦外接快速熔斷器的方法，可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可，三相模塊三只，單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓，額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對于短路引起的過流保護(hù)效果很好，對于一般性的過流并不能起到很好的保護(hù)效果，因?yàn)閮杀队诳焖偃蹟嗥黝~定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護(hù)效果，除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護(hù)功能的模塊或具有過流保護(hù)功能的控制板。

②過電壓保護(hù)

模塊的過壓保護(hù)，推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。

阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可，反并聯(lián)芯片可共用一組。 聊城MTAC100晶閘管智能模塊廠家

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