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因庫制宜:倉儲(chǔ)燈照明解決方案的靈活調(diào)整策略
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倉儲(chǔ)燈安裝高度對照明效果的影響分析
高天棚燈照明效果隨高度變化的科學(xué)解析:從光效衰減到空間適配性
高效倉儲(chǔ)燈:能源成本節(jié)省的“節(jié)能先鋒”
在這r1個(gè)分段TCR中,只有一個(gè)分段TCR的觸發(fā)角是受控的,其他的分段TCR要么是全導(dǎo)通,要么是全關(guān)斷,以吸收制定量的無功功率。由于每個(gè)分段TCR的電感增加了rl倍,因此受控TCR的容量就減小了n倍,受控TCR產(chǎn)生的諧波相對于額定基波電流也減小了n倍。采用上述...
電樞反向接線動(dòng)作速度快,但需多用一組大容量的晶閘管整流器;磁場反向接線由于磁慣性動(dòng)作速度緩慢,但可省用一組大容量晶閘管整流器,增加的只不過是一組小容量的晶閘管整流器。盡管電樞反向接線動(dòng)作迅速,但對于提升機(jī)來說是不必要的,動(dòng)作過快反而對電動(dòng)機(jī)的換向造成困難及對機(jī)...
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷...
若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極,指針立即退回∞位置,則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞??砂磮D2方法進(jìn)一步測量,對于單向可控硅,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K,燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接,...
要使晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變回阻斷狀態(tài),需要使陽極電流減小到維持電流以下,或者使陽極電壓變?yōu)榉聪?。二、類型與特點(diǎn)類型:單向可控硅:具有單向?qū)щ娦裕S糜谥绷骰騿蜗蚪涣麟娐返目刂?。雙向可控硅(TRIAC):相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,具有雙向?qū)üδ?,適用于交流電...
門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGB...
鑒于尾流與少子的重組有關(guān),尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。因此,根據(jù)所達(dá)到的溫度,降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的,尾流特性與VCE、IC和 TC有關(guān)。柵射極間施加反壓或不加信號時(shí),MOSFET...
1.模塊電流規(guī)格的選取根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及額定電流按模塊比較大輸出電流IT值,進(jìn)行如下選?。海?)阻性負(fù)載:模塊最大電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。(2)感性負(fù)載:模塊最大電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。(3)若負(fù)載電流變動(dòng)較大,電流倍數(shù)適當(dāng)增加。(4)保證整個(gè)運(yùn)行過程中,...
鑒于尾流與少子的重組有關(guān),尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。因此,根據(jù)所達(dá)到的溫度,降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的,尾流特性與VCE、IC和 TC有關(guān)。柵射極間施加反壓或不加信號時(shí),MOSFET...
結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(1)鐵芯:采用30Q130高導(dǎo)磁硅鋼片,同時(shí)采用選進(jìn)的3~6級step-lap core stacking步進(jìn)多級疊片方式,有較降低了空載損耗、空載電流和噪聲。(2)繞組:電磁線采用了高導(dǎo)電率的無氧銅導(dǎo)線,繞組采用園筒式、雙餅式和新型螺旋式等結(jié)構(gòu)的整...
二、晶閘管模塊的應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊的應(yīng)用范圍較為廣闊,涵蓋了幾乎所有需要電力電子轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域。在電力行業(yè),晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)和柔**流輸電系統(tǒng)(FACTS)中。作為換流閥的關(guān)鍵部件,晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)大功率電能的遠(yuǎn)距離傳輸,同時(shí)...
同時(shí),晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢也日益明顯。通過集成先進(jìn)的控制算法和通信技術(shù),晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能,為未來的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述,晶閘管模塊作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件,以其獨(dú)特的性能和廣闊的應(yīng)...
1、“給定”電位器旋鈕逆時(shí)針到底置**小位置,2SA 按鈕置“停機(jī)”位置,此時(shí)無輸出電 壓。再斷開交流接觸器,運(yùn)行指示燈暗,然后切斷電源。2、整流柜面板上調(diào)節(jié)電壓作為“給定” 。3、“穩(wěn)流”或“穩(wěn)壓”通過 1SA 按鈕轉(zhuǎn)換。4、調(diào)節(jié)電流作為調(diào)節(jié)板上的偏置電壓,...
可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整...
不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,可在其參數(shù)手冊的推薦值附近調(diào)試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定,一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅(qū)動(dòng)...
保護(hù)電路設(shè)計(jì):設(shè)計(jì)過流和過壓保護(hù)電路,以防止晶閘管因過流或過壓而損壞。環(huán)境影響:工作環(huán)境溫度、濕度以及塵埃和污染都可能影響晶閘管的性能和使用壽命,需要采取相應(yīng)的防護(hù)措施。電磁兼容性(EMC):設(shè)計(jì)相應(yīng)的電磁屏蔽和濾波電路來減小電磁干擾,并增強(qiáng)晶閘管的電磁抗性。...
當(dāng)控制極G接收到觸發(fā)信號時(shí),晶閘管會(huì)從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。值得注意的是,一旦晶閘管導(dǎo)通,即使控制極信號消失,只要陽極和陰極間維持著正向電壓,它將繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài),直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現(xiàn)反向偏置時(shí),才會(huì)重新回到截止?fàn)顟B(tài)。這種獨(dú)特的開關(guān)特性使得...
普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件,出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),有三個(gè)極:陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。普通晶閘管t在工作過程中,它的陽極a和陰極k與...
這時(shí),即使輸入觸發(fā)信號,可控硅也不能工作。反過來,Ea接成正向,而觸動(dòng)發(fā)信號是負(fù)的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí),可控硅也會(huì)導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發(fā)信號(小的觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通...
將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),紅表筆接IGBT 的源極(S),此時(shí)萬用表的指針指在無窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指...
(4)過載能力強(qiáng):產(chǎn)品具有較強(qiáng)的過負(fù)載能力和過電壓能力,可在額定負(fù)載情況下長期安全運(yùn)行,可在110%過電壓情況下滿負(fù)載長期安全運(yùn)行(環(huán)境溫度40℃);變壓器與電機(jī)相聯(lián)的端子上能承受1.5倍額定電流,歷時(shí)5S。產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造充分考慮負(fù)載特性,從溫升、絕緣性能及附...
大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動(dòng)電路。其性能更好,整機(jī)的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT...
為了克服上述問題,可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100R,電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,這種...
二者比較單向可控硅和雙向可控硅,都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關(guān)連,其引出端稱T1極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為...
要使晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變回阻斷狀態(tài),需要使陽極電流減小到維持電流以下,或者使陽極電壓變?yōu)榉聪颉6?、類型與特點(diǎn)類型:單向可控硅:具有單向?qū)щ娦裕S糜谥绷骰騿蜗蚪涣麟娐返目刂?。雙向可控硅(TRIAC):相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,具有雙向?qū)üδ?,適用于交流電...
IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機(jī)、民用小容量電機(jī)、變換器(逆變器)、照相機(jī)的頻閃觀測器、感應(yīng)加熱(InductionHeating)電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,...
保護(hù)裝置整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機(jī)、高精度電流電壓互感器、高絕緣強(qiáng)度出口中間繼電器、高可靠開關(guān)電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護(hù)、通訊為一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù)。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置的優(yōu)點(diǎn)1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護(hù),...
2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間,由于電路中其他部分的工作,會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號,這些信號輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此,比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向...
2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上,使其溫度上升很多。3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,開關(guān)器件通斷快,開關(guān)損耗小;反之則慢,同時(shí)開關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過快將使開關(guān)器件的電壓和...
當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時(shí),靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。只在關(guān)斷時(shí)才會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象,有必要采取以下措施:一是防止NPN部分接通,分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外,閂鎖...