主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

整流電路常用整流電路為單相半波、單相全波、三相半波、三相全波（Y或△）橋式、三相曲折式（Zo形）、六相Y形（中點(diǎn)接線）、六相叉形（又曲折形）、六相Y形并聯(lián)橋式（帶平衡電抗器）、六相△Y形串聯(lián)橋式、十二相四曲折形帶平衡電抗器、六相Y形或△形式、六相（十二、二十四...

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是，如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就...

2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無(wú)功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗??；反之則慢，同時(shí)開關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開關(guān)器件的電壓和...

1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長(zhǎng)度；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合，并且不要用過(guò)粗的線；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無(wú)感電阻；e) 如果是有感電阻，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2、IG...

(2) 認(rèn)真核對(duì)變壓器基礎(chǔ)橫、縱軸線尺寸及預(yù)埋管位置，并與圖紙所給尺寸核對(duì)，無(wú)誤后方可進(jìn)行下一步工作。2.2 變壓器開箱檢查(1) 變壓器到貨后開箱檢查時(shí)，應(yīng)會(huì)同業(yè)主、監(jiān)理及廠家的有關(guān)人員一同檢查。(2) 在卸車前測(cè)量和記錄沖擊記錄器的沖擊值，這個(gè)數(shù)值應(yīng)小于3...

Ug到來(lái)得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來(lái)...

可控整流：與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓：通過(guò)控制晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān)：在電路中起到可控電子開關(guān)的作用，控制電路的接通和斷開。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)在晶閘管的...

另外，變壓器的標(biāo)稱容量還與允許的溫升有關(guān)，例如，如果一臺(tái)1000KVA的變壓器，允許溫升為100K，如果在特殊的情況下，可以允許其工作到120K，則其容量就不止1000KVA。由此也可以看出，如果改善變壓器的散熱條件，則可以增大其標(biāo)稱容量，反過(guò)來(lái)說(shuō)，對(duì)于相同容...

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半...

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，...

在輸出波形圖中，N相平直虛線是整流濾波后的平均輸出電壓值。虛線以下和各正弦波的交點(diǎn)以上（細(xì)虛線以上）的小脈動(dòng)波是整流后未經(jīng)濾波的輸出電壓波形。圖二是三相全波整流橋的電路圖（帶電容）。三相半波整流橋半橋是將連接好的3個(gè)整流二極管（和一個(gè)電容器）封裝在一起，組成一...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT ...

IGBT電源模塊通過(guò)集成MOSFET的柵極絕緣層與GTR的雙極型導(dǎo)電機(jī)制，實(shí)現(xiàn)低損耗高頻開關(guān)功能。其柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)施加正向電壓時(shí)形成導(dǎo)電溝道，集電極-發(fā)射極間呈現(xiàn)低阻抗特性 [1]主要部署于高壓能量轉(zhuǎn)換場(chǎng)景：1.工業(yè)控制：驅(qū)動(dòng)交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)，提升變...

IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過(guò)MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT...

交通領(lǐng)域：電力機(jī)車和電動(dòng)汽車的牽引控制系統(tǒng)中也大量使用了晶閘管模塊，以實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和動(dòng)力控制。冶金行業(yè)：晶閘管模塊作為電力調(diào)整器的主要組成部分，能夠精確控制電能，提高冶煉過(guò)程的自動(dòng)化水平和能源利用效率。石油化工行業(yè)：晶閘管模塊被用于加熱爐、裂解爐等電熱設(shè)...

阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測(cè)出的電流值，不是有效值，...

在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(shí)(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程...

電樞反向接線動(dòng)作速度快，但需多用一組大容量的晶閘管整流器;磁場(chǎng)反向接線由于磁慣性動(dòng)作速度緩慢，但可省用一組大容量晶閘管整流器，增加的只不過(guò)是一組小容量的晶閘管整流器。盡管電樞反向接線動(dòng)作迅速，但對(duì)于提升機(jī)來(lái)說(shuō)是不必要的，動(dòng)作過(guò)快反而對(duì)電動(dòng)機(jī)的換向造成困難及對(duì)機(jī)...

。不同的控制策略可以容易的被實(shí)現(xiàn)，特別是那些涉及外部輔助信號(hào)以顯著提高系統(tǒng)性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡(jiǎn)單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質(zhì)上是模塊化的，因此通過(guò)追加更多的TCR模塊就能達(dá)到擴(kuò)容的目的，當(dāng)然前提是不能超過(guò)耦合變壓器的容量。TCR不...

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P...

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，...

由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波，為了減小對(duì)電網(wǎng)的諧波污染，為了提高功率因數(shù)，必須提高整流設(shè)備的脈波數(shù)，這可以通過(guò)移相的方法來(lái)解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個(gè)相位移。整流變壓器***用于各類行業(yè)之中，主要分為照明、機(jī)床...

TCR的作用就像一個(gè)可變電納，改變觸發(fā)角就可以改變電納值，因?yàn)樗拥慕涣麟妷菏呛愣ǖ?，改變電納值就可以改變基波電流，從而導(dǎo)致電抗器吸收無(wú)功功率的變化。但是，當(dāng)觸發(fā)角超過(guò)90°以后，電流變?yōu)榉钦业?，隨之就產(chǎn)生諧波。如果兩個(gè)晶閘管在正半波和負(fù)半波對(duì)稱觸發(fā)，就只會(huì)...

2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無(wú)功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗??；反之則慢，同時(shí)開關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開關(guān)器件的電壓和...

為了克服上述問(wèn)題，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種...

· 驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對(duì)IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和...

要使晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變回阻斷狀態(tài)，需要使陽(yáng)極電流減小到維持電流以下，或者使陽(yáng)極電壓變?yōu)榉聪?。二、類型與特點(diǎn)類型：?jiǎn)蜗蚩煽毓瑁壕哂袉蜗驅(qū)щ娦?，常用于直流或單向交流電路的控制。雙向可控硅（TRIAC）：相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，具有雙向?qū)üδ?，適用于交流電...

當(dāng)控制極G接收到觸發(fā)信號(hào)時(shí)，晶閘管會(huì)從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。值得注意的是，一旦晶閘管導(dǎo)通，即使控制極信號(hào)消失，只要陽(yáng)極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)，直到陽(yáng)極電流降至維持電流以下或陽(yáng)極出現(xiàn)反向偏置時(shí)，才會(huì)重新回到截止?fàn)顟B(tài)。二、應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊...

這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)...