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初效折疊式過濾器五點設(shè)計特點-常州昱誠凈化設(shè)備
有隔板高效過濾器對工業(yè)凈化的幫助-常州昱誠凈化設(shè)備
從工業(yè)角度看高潔凈中效袋式過濾器的優(yōu)勢-常州昱誠凈化設(shè)備
F9中效過濾器在工業(yè)和通風(fēng)系統(tǒng)的優(yōu)勢-常州昱誠凈化設(shè)備
資料匯總1:過濾器內(nèi)框機——常州昱誠凈化設(shè)備
工業(yè)中效袋式過濾器更換流程及注意事項-常州昱誠凈化設(shè)備
高潔凈中效袋式過濾器的清洗流程-常州昱誠凈化設(shè)備
F9中效袋式過濾器清洗要求及安裝規(guī)范-常州昱誠凈化設(shè)備
中效f7袋式過濾器的使用說明-常州昱誠凈化設(shè)備
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司成立于松山湖經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū),是一家專注于半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的技術(shù)企業(yè)。公司注冊資本 2000 萬元,擁有 23 年行業(yè)經(jīng)驗,產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體錫膏、焊片及靶材等,服務(wù)全球市場并與多家...
感光機制 ? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過交聯(lián)反應(yīng)固化,適用于精細圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm)。 ? SBQ型(單液型):預(yù)混光敏劑,無需調(diào)配,感光度高(曝光時間...
半導(dǎo)體集成電路 ? 應(yīng)用場景: ? 晶圓制造:正性膠為主(如ArF/EUV膠),實現(xiàn)20nm以下線寬,用于晶體管柵極、接觸孔等精細結(jié)構(gòu); ? 封裝工藝:負性膠用于凸點(Bump)制造,厚膠(5-50μm)耐...
關(guān)鍵工藝流程 涂布: ? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無氣泡(旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm)。 前烘(Soft Bake): ...
上游原材料: ? 樹脂:彤程新材、鼎龍股份實現(xiàn)KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成,金屬雜質(zhì)含量<5ppb(國際標準<10ppb)。 ? 光引發(fā)劑:久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產(chǎn)酸劑,累計形成噸級訂單;威邁芯材合肥基...
耐腐蝕性的化學(xué)機制 表面氧化膜的保護作用 ? 錫(Sn)在常溫下與空氣中的氧氣反應(yīng),生成一層致密的二氧化錫(SnO?)薄膜,該膜附著性強,能有效阻止氧氣和水汽進一步滲透至金屬內(nèi)部,形成“自我保護”機制。 ...
企業(yè)定位與資質(zhì) ? 成立背景:深耕半導(dǎo)體材料行業(yè)23年,位于松山湖經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū),注冊資本2000萬元,是國家高新技術(shù)企業(yè)、廣東省專精特新企業(yè)及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。 ? 質(zhì)量體系:通過ISO9001:2008認證,...
主要優(yōu)勢:細分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同 技術(shù)積累與自主化能力 公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗,實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,分辨率達3μm,適用于MEMS傳...
綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟 公司采用水性光刻膠技術(shù),溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%,符合歐盟REACH法規(guī)和國內(nèi)環(huán)保標準。同時,其光刻膠廢液回收項目已投產(chǎn),通過膜分離+精餾技術(shù)實現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用,年減排VOCs(揮發(fā)性有機物)超100噸。 ...
高壓閥門的「無火花密封」:在石油化工領(lǐng)域,錫片(純度99.9%)制成的密封墊片可承受20MPa壓力與150℃高溫,其莫氏硬度只有1.5(低于鋼鐵),在螺栓緊固時能填滿0.05mm以下的金屬表面缺陷,且摩擦?xí)r不產(chǎn)生火花(燃點>500℃),杜絕易燃易爆環(huán)境中的...
納米壓印光刻膠 微納光學(xué)器件制造:制作衍射光學(xué)元件、微透鏡陣列等微納光學(xué)器件時,納米壓印光刻膠可實現(xiàn)高精度的微納結(jié)構(gòu)復(fù)制。通過納米壓印技術(shù),將模板上的微納圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上,再經(jīng)過后續(xù)處理,可制造出具有特定光學(xué)性能的微納光學(xué)器件,應(yīng)用于光通信...
吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘,國產(chǎn)替代再迎新進展 自主研發(fā) ArF 光刻膠通過中芯國際驗證,吉田半導(dǎo)體填補國內(nèi)光刻膠空白。 吉田半導(dǎo)體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠,分辨率達 90nm,適用于 14nm 及以上制程,已通過中芯國...
市場拓展 ? 短期目標:2025年前實現(xiàn)LCD光刻膠國內(nèi)市占率10%,半導(dǎo)體負性膠進入中芯國際、華虹供應(yīng)鏈,納米壓印膠完成臺積電驗證。 ? 長期愿景:成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商,2030年芯片光刻膠營收占比超40...
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢,適用于不同領(lǐng)域。 厚板光刻膠 JT - 3006:具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質(zhì)期 1 年。需保存在干燥區(qū)域并密封,使用前要閱讀參考技術(shù)資料。適用...
吉田半導(dǎo)體 JT-3001 厚板光刻膠:歐盟 RoHS 認證,PCB 電路板制造 憑借抗深蝕刻性能與環(huán)保特性,吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業(yè)材料。 吉田半導(dǎo)體推出的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻速率...
吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟,構(gòu)建半導(dǎo)體材料生態(tài)圈,發(fā)揮企業(yè)作用,吉田半導(dǎo)體聯(lián)合上下游資源,推動?xùn)|莞松山湖半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新。 作為松山湖產(chǎn)業(yè)集群重要成員,吉田半導(dǎo)體聯(lián)合光刻機制造商、光電子企業(yè)共建材料生態(tài)圈。公司通過技術(shù)輸出與資源共享,幫助本地企業(yè)提升工藝水平,促...
家庭小實驗:錫片的「抗銹能力」 將兩片相同大小的錫片與鐵片同時浸入5%鹽水,24小時后鐵片布滿紅銹,而錫片表面只有出現(xiàn)極淺的灰白色氧化斑——這直觀展示了錫的電極電位優(yōu)勢(比鐵高0.3V),使其在電化學(xué)腐蝕中更「被動」。 廚房小...
國產(chǎn)替代進程加速 日本信越化學(xué)因地震導(dǎo)致KrF光刻膠產(chǎn)能受限后,國內(nèi)企業(yè)加速驗證本土產(chǎn)品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產(chǎn)線2024年12月獲兩家大廠百萬大單,二期300噸生產(chǎn)線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數(shù)接近日本UV1610,已通...
吉田半導(dǎo)體厚板光刻膠 JT-3001:國產(chǎn)技術(shù)助力 PCB 行業(yè)升級 JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻,成為國產(chǎn) PCB 電路板制造推薦材料。 吉田半導(dǎo)體自主研發(fā)的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率 1.5μm,抗深蝕刻...
錫片生產(chǎn)的主要原材料是 錫(Sn),通常以金屬錫為基礎(chǔ),根據(jù)不同用途可能添加其他合金元素。以下是具體說明: 主要原材料:金屬錫 ? 來源: ? 原生錫:通過開采錫礦石(如錫石,主要成分為SnO?),經(jīng)選礦、...
焊接溫度要求不同 無鉛錫片焊接操作 有鉛錫片焊接操作 基礎(chǔ)溫度 熔點較高(217℃~260℃),焊接溫度需控制在 240℃~260℃(如SAC305需245℃±5℃),預(yù)熱溫度通常為 120℃~150℃(防止PCB突然受熱變形)。 共晶合金熔...
“設(shè)備-材料-工藝”閉環(huán)驗證 吉田半導(dǎo)體與中芯國際、華虹半導(dǎo)體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機制,針對28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠,例如其KrF光刻膠已通過中芯國際北京廠的產(chǎn)線驗證,良率達95%以上。此外,公司參與國家重大專項(如02專項),與中...
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以全球化視野布局市場,通過嚴格的質(zhì)量管控與完善的服務(wù)體系贏得客戶信賴。公司產(chǎn)品不僅通過 ISO9001 認證,更以進口原材料和精細化生產(chǎn)流程保障品質(zhì),例如錫膏產(chǎn)品采用無鹵無鉛配方,符合環(huán)保要求,適用于電子產(chǎn)品制造。其銷售網(wǎng)絡(luò)覆蓋全...
固態(tài)電池的「錫基電解質(zhì)」:中科院團隊研發(fā)的錫-鑭-氧固態(tài)電解質(zhì)片,離子電導(dǎo)率達10?3 S/cm,可承受4V以上電壓,配合金屬鋰負極,使電池能量密度突破500Wh/kg,為電動汽車「充電10分鐘續(xù)航400公里」提供可能。 納米錫片的「催化...
焊接工藝差異 無鉛錫片 有鉛錫片 焊接溫度 需更高溫度(240℃以上),可能導(dǎo)致PCB板材(如FR-4)受熱變形、元件引腳氧化加劇,需優(yōu)化設(shè)備溫控精度(±5℃以內(nèi))。 焊接溫度低(210℃~230℃),對設(shè)備和工藝要求較低,兼容性強。 ...
物理與機械性能 無鉛錫片 有鉛錫片 熔點 較高,通常在217℃~260℃之間(取決于合金成分,如SAC305熔點217℃,Sn-Cu合金熔點227℃),焊接需更高溫度(240℃~260℃)。 較低,共晶合金(63Sn-37Pb)熔點183...
半導(dǎo)體集成電路 ? 應(yīng)用場景: ? 晶圓制造:正性膠為主(如ArF/EUV膠),實現(xiàn)20nm以下線寬,用于晶體管柵極、接觸孔等精細結(jié)構(gòu); ? 封裝工藝:負性膠用于凸點(Bump)制造,厚膠(5-50μm)耐...
吉田半導(dǎo)體 SU-3 負性光刻膠:國產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝 自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,成為 5G 芯片高密度封裝材料。 針對 5G 芯片封裝需求,吉田半導(dǎo)體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻...
半導(dǎo)體集成電路 ? 應(yīng)用場景: ? 晶圓制造:正性膠為主(如ArF/EUV膠),實現(xiàn)20nm以下線寬,用于晶體管柵極、接觸孔等精細結(jié)構(gòu); ? 封裝工藝:負性膠用于凸點(Bump)制造,厚膠(5-50μm)耐...
正性光刻膠(如 YK-300) 應(yīng)用場景:用于芯片的精細圖案化,如集成電路(IC)、分立器件(二極管、三極管)的制造。 特點:高分辨率(可達亞微米級),適用于多層光刻工藝,確保芯片電路的高精度與可靠性。 負性光刻膠(...