無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當(dāng)中的**單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中相當(dāng)有有影響力的一種。 物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院唵蔚陌呀橛趯?dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是**晚的，直到20世紀30年代，當(dāng)材料的...

大功率電源轉(zhuǎn)換交流電和直流電的相互轉(zhuǎn)換對于電器的使用十分重要，是對電器的必要保護。這就要用到等電源轉(zhuǎn)換裝置。碳化硅擊穿電壓強度高，禁帶寬度寬，熱導(dǎo)性高，因此SiC半導(dǎo)體器件十分適合應(yīng)用在功率密度和開關(guān)頻率高的場合，電源轉(zhuǎn)換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高溫、高壓、高頻的優(yōu)異表現(xiàn)使得現(xiàn)在被***使用到深井鉆探，發(fā)電裝置中的逆變器，電氣混動汽車的能量轉(zhuǎn)化器，輕軌列車牽引動力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。由于SiC本身的優(yōu)勢以及現(xiàn)階段行業(yè)對于輕量化、高轉(zhuǎn)換效率的半導(dǎo)體材料需要，SiC將會取代Si，成為應(yīng)用*****的半導(dǎo)體材料。無錫微原電子科技，以科技之光點亮半導(dǎo)體器件行業(yè)的前行之路！松江區(qū)進口半導(dǎo)體器件 ...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地摻入特定的雜質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。共價鍵結(jié)構(gòu)：相鄰的兩個原子的一對**外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構(gòu)成共價鍵。自由電子的形成：在常溫下，少數(shù)的價電子由于熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。電子電流：在外加電場的作用下，自由...

無錫微原電子科技有限公司正站在新的起點上，以創(chuàng)新的精神和不懈的努力，不斷推進企業(yè)的發(fā)展壯大。隨著市場的不斷拓展和技術(shù)的不斷進步，公司有望在未來的半導(dǎo)體器件行業(yè)中占據(jù)更加重要的位置，為全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻。在這個充滿變革和挑戰(zhàn)的時代，無錫微原電子科技有限公司正以其專業(yè)的技術(shù)實力和前瞻的市場眼光，書寫著屬于自己的輝煌篇章。隨著公司業(yè)務(wù)的不斷拓展和發(fā)展規(guī)劃的逐步實施，我們有理由相信，無錫微原電子科技有限公司將成為半導(dǎo)體器件行業(yè)的一顆耀眼明星，**行業(yè)走向更加美好的未來。無錫微原電子科技，半導(dǎo)體器件行業(yè)的璀璨明珠，閃耀光芒！徐匯區(qū)本地半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體的分...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地摻入特定的雜質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。共價鍵結(jié)構(gòu)：相鄰的兩個原子的一對**外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構(gòu)成共價鍵。自由電子的形成：在常溫下，少數(shù)的價電子由于熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子?？昭ǎ簝r電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。電子電流：在外加電場的作用下，自由...

空間電荷區(qū)：擴散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合，而擴散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動，稱為空間電荷區(qū)。電場形成：空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場?？臻g電荷加寬，內(nèi)電場增強，其方向由N區(qū)指向P區(qū)，阻止擴散運動的進行。漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。PN結(jié)的形成過程：將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在無外電場和其它激發(fā)作用下，參與擴散運動的多子數(shù)目等于參與漂移運動的少子數(shù)目，從而達到動態(tài)平衡，形成PN結(jié)。電位差：空間電荷區(qū)具有一定的寬度，形成電位差Uho，電流為零。耗盡層：絕大部分空...

半導(dǎo)體材料的質(zhì)量系數(shù)不能夠根據(jù)需要得到進一步的提升，這就必然會對半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用造成影響。其二，對冷端散熱系統(tǒng)和熱端散熱系統(tǒng)進行優(yōu)化設(shè)計，但是在技術(shù)上沒有升級，依然處于理論階段，沒有在應(yīng)用中更好地發(fā)揮作用，這就導(dǎo)致半導(dǎo)體制冷技術(shù)不能夠根據(jù)應(yīng)用需要予以提升。其三，半導(dǎo)體制冷技術(shù)對于其他領(lǐng)域以及相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用存在局限性，所以，半導(dǎo)體制冷技術(shù)使用很少，對于半導(dǎo)體制冷技術(shù)的研究沒有從應(yīng)用的角度出發(fā)，就難以在技術(shù)上擴展。其四，市場經(jīng)濟環(huán)境中，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體制冷技術(shù)要獲得發(fā)展，需要考慮多方面的問題。重視半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用，還要考慮各種影響因素，使得該技術(shù)更好地發(fā)揮作用。走進...

無錫微原電子科技有限公司正站在新的起點上，以創(chuàng)新的精神和不懈的努力，不斷推進企業(yè)的發(fā)展壯大。隨著市場的不斷拓展和技術(shù)的不斷進步，公司有望在未來的半導(dǎo)體器件行業(yè)中占據(jù)更加重要的位置，為全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻。在這個充滿變革和挑戰(zhàn)的時代，無錫微原電子科技有限公司正以其專業(yè)的技術(shù)實力和前瞻的市場眼光，書寫著屬于自己的輝煌篇章。隨著公司業(yè)務(wù)的不斷拓展和發(fā)展規(guī)劃的逐步實施，我們有理由相信，無錫微原電子科技有限公司將成為半導(dǎo)體器件行業(yè)的一顆耀眼明星，**行業(yè)走向更加美好的未來。無錫微原電子科技，半導(dǎo)體器件行業(yè)的佼佼者，值得信賴與選擇！浙江哪些是半導(dǎo)體器件 美國半導(dǎo)體分立...

把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個的稱為小規(guī)模集成電路，從 100個元件到1000 個元件的稱為中規(guī)模集成電路，從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規(guī)模集成電路，100000 個元件以上的稱為超大規(guī)模集成電路。集成電路是當(dāng)前發(fā)展計算機所必需的基礎(chǔ)電子器件。許多工業(yè)先進國家都十分重視集成電路工業(yè)的發(fā)展。集成電路的集成度以每年增加一倍的速度在增長。每個芯片上集成256千位的MOS隨機存儲器已研制成功，正在向1兆位 MOS隨機存儲器探索。無錫微原電子科技，半導(dǎo)體器件行業(yè)的創(chuàng)新之旅，永無止境！六合...

無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測量儀器、電子元器件等相關(guān)。公司專注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域，提供從技術(shù)服務(wù)、產(chǎn)品開發(fā)到進出口貿(mào)易的***服務(wù)，致力于推動行業(yè)技術(shù)進步和市場拓展。 公司將積極響應(yīng)國家號召，緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，努力成為推動中國微電子行業(yè)發(fā)展的重要力量之一。 無錫微原電子科技有限公司在未來將繼續(xù)保持其在電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的**地位，通過技術(shù)...

美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品。 第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。 第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。 第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。 第五部分：用字母表示器件分檔...

空間電荷區(qū)：擴散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合，而擴散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動，稱為空間電荷區(qū)。電場形成：空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場。空間電荷加寬，內(nèi)電場增強，其方向由N區(qū)指向P區(qū)，阻止擴散運動的進行。漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。PN結(jié)的形成過程：將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在無外電場和其它激發(fā)作用下，參與擴散運動的多子數(shù)目等于參與漂移運動的少子數(shù)目，從而達到動態(tài)平衡，形成PN結(jié)。電位差：空間電荷區(qū)具有一定的寬度，形成電位差Uho，電流為零。耗盡層：絕大部分空...

載流子的濃度與溫度的關(guān)系：溫度一定，本征半導(dǎo)體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當(dāng)溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導(dǎo)電性能增強；當(dāng)溫度降低，則載流子的濃度降低，導(dǎo)電性能變差。結(jié)論：本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能與溫度有關(guān)。半導(dǎo)體材料性能對溫度的敏感性，可制作熱敏和光敏器件，又造成半導(dǎo)體器件溫度穩(wěn)定性差的原因。雜質(zhì)半導(dǎo)體：通過擴散工藝，在本征半導(dǎo)體中摻入少量合適的雜質(zhì)元素，可得到雜質(zhì)半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。多數(shù)載流子：N型半導(dǎo)體...

日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下： ***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。 第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅...

將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體，并緩慢擠壓生長成棒狀?；貧w型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長出P型半導(dǎo)體，如果慢則生長出N型半導(dǎo)體。因為基極區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴散當(dāng)在擠壓過程中添加到溶解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時，根據(jù)晶體的位置，P型或N型半導(dǎo)體會生長。通過這種方法，可以生產(chǎn)二極管的PN和用于二極管的PNP（或NPN），制作了一個晶體管。 端子電極形成在同一平面上，縮短了電流路徑，具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細加工和應(yīng)用照相技術(shù)排列許多元件來制造，因此可以精確地大量生產(chǎn)，利用這一特點，發(fā)明了單片集成電路。 無錫微原電子科技...

載流子的濃度與溫度的關(guān)系：溫度一定，本征半導(dǎo)體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當(dāng)溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導(dǎo)電性能增強；當(dāng)溫度降低，則載流子的濃度降低，導(dǎo)電性能變差。結(jié)論：本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能與溫度有關(guān)。半導(dǎo)體材料性能對溫度的敏感性，可制作熱敏和光敏器件，又造成半導(dǎo)體器件溫度穩(wěn)定性差的原因。雜質(zhì)半導(dǎo)體：通過擴散工藝，在本征半導(dǎo)體中摻入少量合適的雜質(zhì)元素，可得到雜質(zhì)半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。多數(shù)載流子：N型半導(dǎo)體...

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來負責(zé)的，但是，各種半導(dǎo)體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的空穴和P型半導(dǎo)體中的電子）。半導(dǎo)體的整流效應(yīng)（*在一個方向上通過電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無線電接收器（礦石無線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲工具。據(jù)說，使用了稱為“”的細金屬線的輕微接觸。半導(dǎo)體器件行業(yè)的...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地摻入特定的雜質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。共價鍵結(jié)構(gòu)：相鄰的兩個原子的一對**外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構(gòu)成共價鍵。自由電子的形成：在常溫下，少數(shù)的價電子由于熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子?？昭ǎ簝r電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。電子電流：在外加電場的作用下，自由...

光電探測器光電探測器的功能是把微弱的光信號轉(zhuǎn)換成電信號，然后經(jīng)過放大器將電信號放大，從而達到檢測光信號的目的。光敏電阻是**早發(fā)展的一種光電探測器。它利用了半導(dǎo)體受光照后電阻變小的效應(yīng)。此外，光電二極管、光電池都可以用作光電探測元件。十分微弱的光信號，可以用雪崩光電二極管來探測。它是把一個PN結(jié)偏置在接近雪崩的偏壓下，微弱光信號所激發(fā)的少量載流子通過接近雪崩的強場區(qū)，由于碰撞電離而數(shù)量倍增，因而得到一個較大的電信號。除了光電探測器外，還有與它類似的用半導(dǎo)體制成的粒子探測器。 無錫微原電子科技，半導(dǎo)體器件行業(yè)的璀璨明珠，閃耀光芒！江陰半導(dǎo)體器件品牌 ...

鍺和硅是**常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體等。半導(dǎo)體：意指半導(dǎo)體收音機，因收音機中的晶體管由半導(dǎo)體材料制成而得名。本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。...

半導(dǎo)體制冷技術(shù)是目前的制冷技術(shù)中應(yīng)用比較***的。農(nóng)作物在溫室大棚中生長中，半導(dǎo)體制冷技術(shù)可以對環(huán)境溫度有效控制，特別是一些對環(huán)境具有很高要求的植物，采用半導(dǎo)體制冷技術(shù)塑造生長環(huán)境，可以促進植物的生長。半導(dǎo)體制冷技術(shù)具有可逆性，可以用于制冷，也可以用于制熱，對環(huán)境溫度的調(diào)節(jié)具有良好的效果。 半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用原理是建立在帕爾帖原理的基礎(chǔ)上的。1834年，法國科學(xué)家帕爾帖發(fā)現(xiàn)了半導(dǎo)體制冷作用。帕爾貼原理又被稱為是”帕爾貼效益“，就是將兩種不同的導(dǎo)體充分運用起來，使用A和B組成的電路，通入直流電，在電路的接頭處可以產(chǎn)生焦耳熱，同時還會釋放出一些其它的熱量，此時就會發(fā)現(xiàn)...

非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于半導(dǎo)電性的一類材料。非晶半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結(jié)構(gòu)。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長程序。非晶態(tài)半導(dǎo)體的性能控制難，隨著技術(shù)的發(fā)明，非晶態(tài)半導(dǎo)體開始使用。這一制作工序簡單，主要用于工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運用到太陽能電池和液晶顯示屏中。 本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價帶是滿帶，受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為...

半導(dǎo)體 -----指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當(dāng)中的**單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中相當(dāng)有有影響力的一種。 分類及性能： 元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的...

這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實際應(yīng)用不多。 半導(dǎo)體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。光伏應(yīng)用半導(dǎo)體材料光生伏***應(yīng)是太陽能電池運行的基本原理。現(xiàn)階段半導(dǎo)...

光電池當(dāng)光線投射到一個PN結(jié)上時，由光激發(fā)的電子空穴對受到PN結(jié)附近的內(nèi)在電場的作用而向相反方向分離，因此在PN結(jié)兩端產(chǎn)生一個電動勢，這就成為一個光電池。把日光轉(zhuǎn)換成電能的日光電池很受人們重視。較早應(yīng)用的日光電池都是用硅單晶制造的，成本太高，不能大量推廣使用。國際上都在尋找成本低的日光電池，用的材料有多晶硅和無定形硅等。 其它利用半導(dǎo)體的其他特性做成的器件還有熱敏電阻、霍耳器件、壓敏元件、氣敏晶體管和表面波器件等。 今年是摩爾法則(Moore’slaw)問世50周年，這一法則的誕生是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展史上的一個里程碑。這50年里，摩爾法則成為了信息技術(shù)發(fā)展的指路明燈。計算機從神秘不...

元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前，只有硅、鍺性能好，運用的比較廣，硒在電子照明和光電領(lǐng)域中應(yīng)用。硅在半導(dǎo)體工業(yè)中運用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器件制作上形成掩膜，能夠提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，利于自動化工業(yè)生產(chǎn)。 無機合成物半導(dǎo)體。無機合成物主要是通過單一元素構(gòu)成半導(dǎo)體材料，當(dāng)然也有多種元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，主要的半導(dǎo)體性質(zhì)有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族;V族與VI...

半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)，它正向通電流時，注入的少數(shù)載流子靠復(fù)合而發(fā)光。它可以發(fā)出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導(dǎo)體激光器如果使高效率的半導(dǎo)體發(fā)光管的發(fā)光區(qū)處在一個光學(xué)諧振腔內(nèi)，則可以得到激光輸出。這種器件稱為半導(dǎo)體激光器或注入式激光器。 **早的半導(dǎo)體激光器所用的PN結(jié)是同質(zhì)結(jié)，以后采用雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。雙異質(zhì)結(jié)激光器的優(yōu)點在于它可以使注入的少數(shù)載流子被限制在很薄的一層有源區(qū)內(nèi)復(fù)合發(fā)光，同時由雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)組成的光導(dǎo)管又可以使產(chǎn)生的光子也被限...

應(yīng)用策略半導(dǎo)體制冷技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用在醫(yī)藥領(lǐng)域中，工業(yè)領(lǐng)域中，即便是日常生活中也得以應(yīng)用，所以，該技術(shù)是有非常重要的發(fā)展前景的。例如，將半導(dǎo)體制冷技術(shù)用于現(xiàn)代的各種制冷設(shè)備中，諸如冰箱、空調(diào)等等，都可以配置電子冷卻器。半導(dǎo)體冰箱就是使用了半導(dǎo)體制冷技術(shù)。在具體的應(yīng)用中，可以根據(jù)不同客戶的需要使用，以更好地滿足客戶的要求。不同數(shù)量的半導(dǎo)體制冷芯片，在連接的過程中可以根據(jù)需要采用并聯(lián)的方式或串聯(lián)的方式，放置在合適的位置就可以發(fā)揮作用。二十世紀50年代，前蘇聯(lián)開發(fā)了一種小型模型冰箱，只有10升的容量，冰箱的體積非常小，使用便利。日本研制出一種冰箱，是專門用于儲存紅酒的。對于溫度要嚴格控...

把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個的稱為小規(guī)模集成電路，從 100個元件到1000 個元件的稱為中規(guī)模集成電路，從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規(guī)模集成電路，100000 個元件以上的稱為超大規(guī)模集成電路。集成電路是當(dāng)前發(fā)展計算機所必需的基礎(chǔ)電子器件。許多工業(yè)先進國家都十分重視集成電路工業(yè)的發(fā)展。集成電路的集成度以每年增加一倍的速度在增長。每個芯片上集成256千位的MOS隨機存儲器已研制成功，正在向1兆位 MOS隨機存儲器探索。半導(dǎo)體器件行業(yè)的新星——無錫微原電子科技，正冉冉升起！什么...

無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當(dāng)中的**單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中相當(dāng)有有影響力的一種。 物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院唵蔚陌呀橛趯?dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是**晚的，直到20世紀30年代，當(dāng)材料的...