使用半導體空調(diào)，與日常生活中使用的空調(diào)不同，而是應用于特殊場所中，諸如機艙、潛艇等等。采用相對穩(wěn)定的制冷技術(shù)，不僅可以保證快速制冷，而且可能夠滿足半導體制冷技術(shù)的各項要求。一些美國公司發(fā)現(xiàn)半導體制冷技術(shù)還有一個重要的功能，就是在有源電池中合理應用，就可以確保電源持續(xù)供應，可以超過8小時。在汽車制冷設(shè)備中，半導體制冷技術(shù)也得到應用。包括農(nóng)業(yè)、天文學以及醫(yī)學領(lǐng)域，半導體制冷技術(shù)也發(fā)揮著重要的作用。 難點以及所存在的問題 ：半導體制冷技術(shù)的難點半導體制冷的過程中會涉及到很多的參數(shù)，而且條件是復雜多變的。任何一個參數(shù)對冷卻效果都會產(chǎn)生影響。實驗室研究中，由于難以滿足規(guī)定的噪聲，就需要對實...

美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品。 第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。 第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。 第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。 第五部分：用字母表示器件分檔...

新型半導體材料在工業(yè)方面的應用越來越多。新型半導體材料表現(xiàn)為其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，擁有***的電學特性，而且成本低廉，可被用于制造現(xiàn)代電子設(shè)備中***使用，我國與其他國家相比在這方面還有著很大一部分的差距，通常會表現(xiàn)在對一些基本儀器的制作和加工上，近幾年來，國家很多的部門已經(jīng)針對我國相對于其他國家存在的弱勢，這一方面統(tǒng)一的組織了各個方面的群體，對其進行有效的領(lǐng)導，然后共同努力去研制更加高水平的半導體材料。這樣才能夠在很大程度上適應我國工業(yè)化的進步和發(fā)展，為我國社會進步提供更強大的動力。首先需要進一步對超晶格量子阱材料進行研發(fā)。無錫微原電子科技，以創(chuàng)新驅(qū)動半導體器件行業(yè)進步，未來可期！溧水區(qū)多功能...

這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實際應用不多。 半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應用。光伏應用半導體材料光生伏***應是太陽能電池運行的基本原理?，F(xiàn)階段半導...

如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流)。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴４送?，PN結(jié)的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場很強。當外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內(nèi)部會發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數(shù)量級。 利用PN結(jié)的這些特性在各種應用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時間二極管）等。此外，還有利用PN結(jié)...

晶體生長類型將純半導體單晶熔化成半導體，并緩慢擠壓生長成棒狀?；貧w型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長出P型半導體，如果慢則生長出N型半導體。因為基極區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴散當在擠壓過程中添加到溶解半導體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時，根據(jù)晶體的位置，P型或N型半導體會生長。通過這種方法，可以生產(chǎn)二極管的PN和用于二極管的PNP（或NPN）。制作了一個晶體管。 端子電極形成在同一平面上，縮短了電流路徑，具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細加工和應用照相技術(shù)排列許多元件來制造，因此可以精確地大量生產(chǎn)，利用這一特點，發(fā)明了單片集成電路...

半導體 -----指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。 分類及性能： 元素半導體。元素半導體是指單一元素構(gòu)成的半導體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的...

半導體材料的質(zhì)量系數(shù)不能夠根據(jù)需要得到進一步的提升，這就必然會對半導體制冷技術(shù)的應用造成影響。其二，對冷端散熱系統(tǒng)和熱端散熱系統(tǒng)進行優(yōu)化設(shè)計，但是在技術(shù)上沒有升級，依然處于理論階段，沒有在應用中更好地發(fā)揮作用，這就導致半導體制冷技術(shù)不能夠根據(jù)應用需要予以提升。其三，半導體制冷技術(shù)對于其他領(lǐng)域以及相關(guān)領(lǐng)域的應用存在局限性，所以，半導體制冷技術(shù)使用很少，對于半導體制冷技術(shù)的研究沒有從應用的角度出發(fā)，就難以在技術(shù)上擴展。其四，市場經(jīng)濟環(huán)境中，科學技術(shù)的發(fā)展，半導體制冷技術(shù)要獲得發(fā)展，需要考慮多方面的問題。重視半導體制冷技術(shù)的應用，還要考慮各種影響因素，使得該技術(shù)更好地發(fā)揮作用。無錫...

半導體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領(lǐng)域、設(shè)計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進行分類的方法。 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導體室溫時電阻率約在10E-5～10E7歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。 半導體器件行業(yè)風...

元素半導體。元素半導體是指單一元素構(gòu)成的半導體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前，只有硅、鍺性能好，運用的比較廣，硒在電子照明和光電領(lǐng)域中應用。硅在半導體工業(yè)中運用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器件制作上形成掩膜，能夠提高半導體器件的穩(wěn)定性，利于自動化工業(yè)生產(chǎn)。 無機合成物半導體。無機合成物主要是通過單一元素構(gòu)成半導體材料，當然也有多種元素構(gòu)成的半導體材料，主要的半導體性質(zhì)有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族;V族與VI...

如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流)。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。此外，PN結(jié)的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場很強。當外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內(nèi)部會發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數(shù)量級。 利用PN結(jié)的這些特性在各種應用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時間二極管）等。此外，還有利用PN結(jié)...

空間電荷區(qū)：擴散到P區(qū)的自由電子與空穴復合，而擴散到N區(qū)的空穴與自由電子復合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動，稱為空間電荷區(qū)。電場形成：空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場?？臻g電荷加寬，內(nèi)電場增強，其方向由N區(qū)指向P區(qū)，阻止擴散運動的進行。漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。PN結(jié)的形成過程：將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上，在無外電場和其它激發(fā)作用下，參與擴散運動的多子數(shù)目等于參與漂移運動的少子數(shù)目，從而達到動態(tài)平衡，形成PN結(jié)。電位差：空間電荷區(qū)具有一定的寬度，形成電位差Uho，電流為零。耗盡層：絕大部分空...

在業(yè)務發(fā)展方面，無錫微原電子科技有限公司采取多元化的市場策略，不僅鞏固和擴大了國內(nèi)市場的份額，還積極拓展海外市場。通過與國際**企業(yè)的合作，公司的產(chǎn)品和服務已經(jīng)遍布亞洲、歐洲、美洲等多個地區(qū)，實現(xiàn)了品牌的國際化。展望未來，無錫微原電子科技有限公司將繼續(xù)堅持以技術(shù)創(chuàng)新為**，加大研發(fā)投入，推動產(chǎn)品和服務的升級換代。 公司計劃在未來幾年內(nèi)，重點發(fā)展以下幾個方向： 一是持續(xù)優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)品線，提高產(chǎn)品的競爭力。通過對材料、設(shè)計、工藝等方面的深入研究，提升產(chǎn)品的性能和可靠性，滿足市場對***半導體器件的需求。 二是拓展新的應用領(lǐng)域，開拓市場空間。隨著智能穿戴設(shè)備、...

使用半導體空調(diào)，與日常生活中使用的空調(diào)不同，而是應用于特殊場所中，諸如機艙、潛艇等等。采用相對穩(wěn)定的制冷技術(shù)，不僅可以保證快速制冷，而且可能夠滿足半導體制冷技術(shù)的各項要求。一些美國公司發(fā)現(xiàn)半導體制冷技術(shù)還有一個重要的功能，就是在有源電池中合理應用，就可以確保電源持續(xù)供應，可以超過8小時。在汽車制冷設(shè)備中，半導體制冷技術(shù)也得到應用。包括農(nóng)業(yè)、天文學以及醫(yī)學領(lǐng)域，半導體制冷技術(shù)也發(fā)揮著重要的作用。 難點以及所存在的問題 ：半導體制冷技術(shù)的難點半導體制冷的過程中會涉及到很多的參數(shù)，而且條件是復雜多變的。任何一個參數(shù)對冷卻效果都會產(chǎn)生影響。實驗室研究中，由于難以滿足規(guī)定的噪聲，就需要對實...

半導體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領(lǐng)域、設(shè)計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進行分類的方法。 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導體室溫時電阻率約在10E-5～10E7歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。 無錫微原電子科技...

場效應晶體管場效應晶體管依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。 控制橫向電場的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場效應晶體管可以分為三種： ①結(jié)型場效應管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極)； ②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構(gòu)成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統(tǒng)）； ③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場效應管使用*****。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎(chǔ)上,...

非晶態(tài)半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結(jié)構(gòu)。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長程序。非晶態(tài)半導體的性能控制難，隨著技術(shù)的發(fā)明，非晶態(tài)半導體開始使用。這一制作工序簡單，主要用于工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運用到太陽能電池和液晶顯示屏中。 本征半導體：不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶，受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為...

大多數(shù)半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導體中的電子，P型半導體中的空穴）來負責的，但是，各種半導體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子）。半導體的整流效應（*在一個方向上通過電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無線電接收器（礦石無線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲工具。據(jù)說，使用了稱為“”的細金屬線的輕微接觸。有機會去貴司進行...

半導體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領(lǐng)域、設(shè)計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進行分類的方法。 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導體室溫時電阻率約在10E-5～10E7歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。 無錫微原電子科技...

美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品。 第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。 第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。 第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。 第五部分：用字母表示器件分檔...

導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產(chǎn)生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實際應用不多。半導體器件行業(yè)的佼佼者—...

晶體生長類型將純半導體單晶熔化成半導體，并緩慢擠壓生長成棒狀?；貧w型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長出P型半導體，如果慢則生長出N型半導體。因為基極區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴散當在擠壓過程中添加到溶解半導體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時，根據(jù)晶體的位置，P型或N型半導體會生長。通過這種方法，可以生產(chǎn)二極管的PN和用于二極管的PNP（或NPN）。制作了一個晶體管。 端子電極形成在同一平面上，縮短了電流路徑，具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細加工和應用照相技術(shù)排列許多元件來制造，因此可以精確地大量生產(chǎn)，利用這一特點，發(fā)明了單片集成電路...

這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實際應用不多。 半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應用。光伏應用半導體材料光生伏***應是太陽能電池運行的基本原理?，F(xiàn)階段半導...

目前我國半導體材料在這方面的發(fā)展背景來看，應該在很大程度上去提高超高亮度，紅綠藍光材料以及光通信材料，在未來的發(fā)展的主要研究方向上，同時要根據(jù)市場上，更新一代的電子器件以及電路等要求進行強化，將這些光電子結(jié)構(gòu)的材料，在未來生產(chǎn)過程中的需求進行仔細的分析和探討，然后去滿足未來世界半導體發(fā)展的方向，我們需要選擇更加優(yōu)化的布點，然后做好相關(guān)的開發(fā)和研究工作，這樣將各種研發(fā)機構(gòu)與企業(yè)之間建立更好的溝通機制就可以在很大程度上實現(xiàn)高溫半導體材料，更深一步的開發(fā)和利用。 2023年3月30日，韓國國會召開全體會議通過《稅收特例管制法》。根據(jù)該法案，半導體等從法律上被明文列為韓國國家戰(zhàn)略技術(shù)...

半導體發(fā)光二極管半導體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)，它正向通電流時，注入的少數(shù)載流子靠復合而發(fā)光。它可以發(fā)出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導體激光器如果使高效率的半導體發(fā)光管的發(fā)光區(qū)處在一個光學諧振腔內(nèi)，則可以得到激光輸出。這種器件稱為半導體激光器或注入式激光器。 **早的半導體激光器所用的PN結(jié)是同質(zhì)結(jié)，以后采用雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。雙異質(zhì)結(jié)激光器的優(yōu)點在于它可以使注入的少數(shù)載流子被限制在很薄的一層有源區(qū)內(nèi)復合發(fā)光，同時由雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)組成的光導管又可以使產(chǎn)生的光子也被限...

大多數(shù)半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導體中的電子，P型半導體中的空穴）來負責的，但是，各種半導體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子）。半導體的整流效應（*在一個方向上通過電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無線電接收器（礦石無線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲工具。據(jù)說，使用了稱為“”的細金屬線的輕微接觸。在半導體器件的征途上，無錫微...

無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導體/集成電路領(lǐng)域的服務商，成立時間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導體器件、電子測量儀器、電子元器件等相關(guān)。公司專注于電子/半導體/集成電路領(lǐng)域，提供從技術(shù)服務、產(chǎn)品開發(fā)到進出口貿(mào)易的***服務，致力于推動行業(yè)技術(shù)進步和市場拓展。 公司將積極響應國家號召，緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，努力成為推動中國微電子行業(yè)發(fā)展的重要力量之一。 無錫微原電子科技有限公司在未來將繼續(xù)保持其在電子/半導體/集成電路領(lǐng)域的**地位，通過技術(shù)...

雙極型晶體管它是由兩個PN結(jié)構(gòu)成，其中一個PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，另一個稱為集電結(jié)。兩個結(jié)之間的一薄層半導體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應用時，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電極處于反向偏置。通過發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里，這些少數(shù)載流子靠擴散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流，只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。在共發(fā)射極電路中，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩...

本征半導體：不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶，受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴?？昭▽щ姴⒉皇菍嶋H運動，而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。 這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。 在一定溫度下，電子-空穴...

無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。 物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體?？梢院唵蔚陌呀橛趯w和絕緣體之間的材料稱為半導體。與導體和絕緣體相比，半導體材料的發(fā)現(xiàn)是**晚的，直到20世紀30年代，當材料的...