基爾比之后半年，仙童半導(dǎo)體公司的羅伯特·諾伊斯開發(fā)了一種新的集成電路，比基爾比的更實(shí)用。諾伊斯的設(shè)計(jì)由硅制成，而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫(kù)爾特·利霍韋克p–n絕緣結(jié)，這也是集成電路背后的關(guān)鍵概念。[17]這種絕緣允許每個(gè)晶體管...

繼電器電子元器件繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。 汽車?yán)^電器/信...

因?yàn)镃MOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門之間轉(zhuǎn)換，CMOS設(shè)備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多。透過電路的設(shè)計(jì)，將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上，就可以畫出不同作用的集成電路。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是**常見類型的集成電路，所以密度比較高的設(shè)備是存儲(chǔ)器，但即使是微...

繼電器電子元器件繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。 汽車?yán)^電器/信...

針對(duì)不同的測(cè)量對(duì)象，測(cè)量?jī)x器的傳感器的形式也不同，但各傳感器的作用都是相同的，即把自然界的模擬量（信號(hào)）轉(zhuǎn)換成電信號(hào)(電壓或電流)；信號(hào)變換和調(diào)理電路對(duì)來自傳感器的電信號(hào)進(jìn)行放大、衰減、變換(包括變頻、檢波等)、濾波以及調(diào)整到適合于模擬數(shù)字轉(zhuǎn)化的狀態(tài)。在可以...

應(yīng)注意，有些型號(hào)的全站儀在距離測(cè)量時(shí)不能設(shè)定儀器高和棱鏡高，顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3）坐標(biāo)測(cè)量（1）設(shè)定測(cè)站點(diǎn)的三維坐標(biāo)。（2）設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)或設(shè)定后視方向的水平度盤讀數(shù)為其方位角。當(dāng)設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)時(shí)，全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算后視方向的方位...

半導(dǎo)體材料的質(zhì)量系數(shù)不能夠根據(jù)需要得到進(jìn)一步的提升，這就必然會(huì)對(duì)半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用造成影響。其二，對(duì)冷端散熱系統(tǒng)和熱端散熱系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，但是在技術(shù)上沒有升級(jí)，依然處于理論階段，沒有在應(yīng)用中更好地發(fā)揮作用，這就導(dǎo)致半導(dǎo)體制冷技術(shù)不能夠根據(jù)...

信號(hào)發(fā)生器信號(hào)發(fā)生器（包括函數(shù)發(fā)生器）為檢修、調(diào)試電子設(shè)備和儀器時(shí)提供信號(hào)源。它是一種能夠產(chǎn)生一定波形、頻率和幅度的振蕩器。例如：產(chǎn)生正弦波、方波、三角波、斜波和矩形脈沖波等。 晶體管特性圖示儀晶體管特性圖示儀是一種**示波器，它能...

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來負(fù)責(zé)的，但是，各...

半導(dǎo)體器件（英文：semiconductordevice）是指電子工程中主要用于電子電路或利用半導(dǎo)體導(dǎo)電性的類似器件的元件。半導(dǎo)體器件在工程上非常重要，因?yàn)樗厝磺度氲绞謾C(jī)、電腦、電視等現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，此外，2006年全球半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模超過25萬億韓元...

連接器連接器，即CONNECTOR。國(guó)內(nèi)亦稱作接插件、插頭和插座。一般是指電連接器。即連接兩個(gè)有源器件的器件，傳輸電流或信號(hào)。端子/線束/卡座IC插座/光纖連接器接線柱/電纜連接器印刷板連接器/電腦連接器手機(jī)連接器/端子臺(tái)/接線座其他連接器電位器電子元器件...

應(yīng)注意，有些型號(hào)的全站儀在距離測(cè)量時(shí)不能設(shè)定儀器高和棱鏡高，顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3）坐標(biāo)測(cè)量（1）設(shè)定測(cè)站點(diǎn)的三維坐標(biāo)。（2）設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)或設(shè)定后視方向的水平度盤讀數(shù)為其方位角。當(dāng)設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)時(shí)，全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算后視方向的方位...

無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的**單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中相當(dāng)有有影響力的一種。 ...

技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)新型元器件將繼續(xù)向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、環(huán)保節(jié)能方向發(fā)展。市場(chǎng)需求分析隨著下一代互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信和數(shù)字電視的逐步商用，電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代將為電子材料和元器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來巨大的市場(chǎng)機(jī)遇?！笆晃濉卑l(fā)展重點(diǎn)我國(guó)《電子...

在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化，預(yù)計(jì)到2004年開始商業(yè)應(yīng)用，一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)。在通道密度方面，通道間的波長(zhǎng)間隙已小到25GHz...

變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差：(1)發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí)，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。(2)變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí)，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號(hào)發(fā)送到對(duì)方被對(duì)方接收后產(chǎn)生失真。出現(xiàn)上述情況之一時(shí)，就應(yīng)該更換同型號(hào)的變?nèi)荻O管。晶體三極...

網(wǎng)絡(luò)分析儀：網(wǎng)絡(luò)分析儀是一種能在寬頻帶內(nèi)進(jìn)行掃描測(cè)量以確定網(wǎng)絡(luò)參量的綜合性微波測(cè)量?jī)x器，全稱為微波網(wǎng)絡(luò)分析儀。網(wǎng)絡(luò)分析儀是測(cè)量網(wǎng)絡(luò)參數(shù)的一種新型儀器，可直接測(cè)量有源或無源、可逆或不可逆的雙口和單口網(wǎng)絡(luò)的復(fù)數(shù)散射參數(shù)，并以掃頻方式給出各散射參數(shù)的幅度、相位頻率特...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。 控制橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種： ①結(jié)型場(chǎng)...

截至 2018 年，絕大多數(shù)晶體管都是使用平坦的二維平面工藝，在硅芯片一側(cè)的單層中制造的。研究人員已經(jīng)生產(chǎn)了幾種有希望的替代品的原型，例如:堆疊幾層晶體管以制造三維集成電路(3DC)的各種方法，例如硅通孔，“單片 3D”， 堆疊引線接合， 和其他方法。由其他材...

測(cè)量?jī)x器是將被測(cè)量轉(zhuǎn)換成可供直接觀察的指示值儀器，包括各類指示儀器，比較儀器，記錄儀器，傳感儀器和變送器等。直接測(cè)量在測(cè)量過程中，能夠直接將被測(cè)量與同類標(biāo)準(zhǔn)量進(jìn)行比較，或能夠直接用事先刻度好的測(cè)量?jī)x器對(duì)被測(cè)量進(jìn)行測(cè)量，直接獲得數(shù)值的測(cè)量稱為直接測(cè)量。間接測(cè)量當(dāng)...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負(fù)的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱為晶格。共價(jià)...

因?yàn)镃MOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門之間轉(zhuǎn)換，CMOS設(shè)備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多。透過電路的設(shè)計(jì)，將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上，就可以畫出不同作用的集成電路。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是**常見類型的集成電路，所以密度比較高的設(shè)備是存儲(chǔ)器，但即使是微...

變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差：(1)發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí)，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。(2)變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí)，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號(hào)發(fā)送到對(duì)方被對(duì)方接收后產(chǎn)生失真。出現(xiàn)上述情況之一時(shí)，就應(yīng)該更換同型號(hào)的變?nèi)荻O管。晶體三極...

---中國(guó)國(guó)產(chǎn)化加速在美國(guó)多次擾亂全球芯片供應(yīng)鏈之后，芯片供不應(yīng)求的局面正在不斷蔓延。在大眾、通用等多家汽車制造商因芯片短缺而被迫宣布減產(chǎn)之后，近期美國(guó)科技巨頭蘋果似乎也因?yàn)樾酒?yīng)不足，而將停止生產(chǎn)iPhone 12 mini。 雪上加霜的是，在全球芯片供...

導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱電子 - 空穴對(duì)，均能自由移動(dòng)，即載流子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，...

在2005年，一個(gè)制造廠（通常稱為半導(dǎo)體工廠，常簡(jiǎn)稱fab，指fabrication facility）建設(shè)費(fèi)用要超過10億美元，因?yàn)榇蟛糠植僮魇亲詣?dòng)化的。 [1]制造過程芯片制作完整過程包括芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、測(cè)試等幾個(gè)環(huán)節(jié)，其中晶片制作過程尤為的...

空間電荷區(qū)：擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合，而擴(kuò)散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動(dòng)，稱為空間電荷區(qū)。電場(chǎng)形成：空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)?？臻g電荷加寬，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，其...

在使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）包裝前，每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過程稱為晶圓測(cè)試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個(gè)被稱為晶片（“die”）。每個(gè)好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內(nèi)，pads通常在die的邊上。封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用...

將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體，并緩慢擠壓生長(zhǎng)成棒狀?；貧w型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長(zhǎng)出P型半導(dǎo)體，如果慢則生長(zhǎng)出N型半導(dǎo)體。因?yàn)榛鶚O區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過程中添加到溶解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時(shí)，...

照準(zhǔn)部水準(zhǔn)軸應(yīng)垂直于豎軸的檢驗(yàn)和校正檢驗(yàn)時(shí)先將儀器大致整平,轉(zhuǎn)動(dòng)照準(zhǔn)部使其水準(zhǔn)管與任意兩個(gè)腳螺旋的連線平行,調(diào)整腳螺旋使氣泡居中,然后將照準(zhǔn)部旋轉(zhuǎn)180度,若氣泡仍然居中則說明條件滿足,否則應(yīng)進(jìn)行校正。校正的目的是使水準(zhǔn)管軸垂直于豎軸．即用校正針撥動(dòng)水準(zhǔn)管一端...