該宣泄孔121的上孔徑a1與下孔徑a2亦不相等，且該上孔徑a1小于該下孔徑a2，或該宣泄孔121由該第二擋板12的下表面122朝向上表面123的方向漸縮，以維持毛細(xì)現(xiàn)象而避免該藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題。當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板(本圖式未標(biāo)示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí)，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng)，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖10與圖11所示)，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的顯影不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸...

該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其主要特征在于：該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121。該***擋板11與該第二擋板12呈正交設(shè)置，且該第二擋板12與該第三擋板13呈正交設(shè)置，以使該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13圍設(shè)成一凹槽的態(tài)樣，在一實(shí)施例中，該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13可以為一體成形，其中該第二擋板12的長度h介于10cm至15cm之間，而該等開設(shè)于該第二擋板12上的宣泄孔121可呈千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列的態(tài)樣，且該宣...

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。...

圖7：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)運(yùn)作局部放大圖。圖8：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖9：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖10：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其二較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖11：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其三較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖12：本實(shí)用新型擋液板結(jié)構(gòu)其二較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖13：本實(shí)用新型蝕刻方法的步驟流程圖。圖號說明：傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)a擋液板結(jié)構(gòu)b風(fēng)刀c氣體本實(shí)用新型1蝕刻設(shè)備10擋液板結(jié)構(gòu)11***擋板12第二擋板121宣泄孔1211**...

該宣泄孔121的上孔徑a1與下孔徑a2亦不相等，且該上孔徑a1小于該下孔徑a2，或該宣泄孔121由該第二擋板12的下表面122朝向上表面123的方向漸縮，以維持毛細(xì)現(xiàn)象而避免該藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題。當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板(本圖式未標(biāo)示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí)，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng)，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖10與圖11所示)，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的顯影不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸...

以及一設(shè)置于基板下方的第二風(fēng)刀，其中***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀分別吹出一氣體至基板。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中蝕刻設(shè)備可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置，噴灑裝置相對于風(fēng)刀裝置一端而設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)的另一端部。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中噴灑裝置噴灑一藥液至基板上。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中擋液板結(jié)構(gòu)與基板的垂直距離介于8mm至15mm之間。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中滾輪呈順時(shí)針方向轉(zhuǎn)動(dòng)，并帶動(dòng)基板由噴灑裝置下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀下端部的方向移動(dòng)。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中氣體遠(yuǎn)離***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀的方向分別與基板的法線方向夾設(shè)有一第三夾角。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中第三夾角介于20度至35度之間。再者，...

裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲(chǔ)罐21，裝置主體1的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件11，裝置主體1的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)固定連接有過濾部件9，裝置主體1的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉8，收集倉8的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門7，過濾部件9的頂端兩側(cè)活動(dòng)連接有滑動(dòng)蓋24，過濾部件9的內(nèi)部中間兩側(cè)固定連接有收縮彈簧管25，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)兩端嵌入連接有螺紋管27，連接構(gòu)件11的內(nèi)部中間兩側(cè)活動(dòng)連接有活動(dòng)軸28，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)中間兩側(cè)嵌入連接有密封軟膠層29。推薦的，硝酸鉀儲(chǔ)罐21的頂部嵌入連接有密封環(huán)22，在將制備蝕刻液儲(chǔ)罐加入...

本實(shí)用涉及電子化學(xué)品生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置。背景技術(shù)：近年來，人們對半導(dǎo)體裝置、液晶顯示器的需求量不斷增加的同時(shí)，對于這些裝置所具有的配線、電極等的微小化、高性能化的要求也越來越嚴(yán)格，而蝕刻的效果能直接導(dǎo)致電路板制造工藝的好壞，影響高密度細(xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量，為了解決蝕刻液組合物蝕刻鋁材料過程中，對蝕刻速率慢、難以控制蝕刻角度和不同金屬層的蝕刻量而造成的多層配線的半導(dǎo)體裝置的配線的斷路、短路，得到較高的成品率，為保證其穩(wěn)定性及蝕刻的平滑度及精度，在蝕刻液中需要加入多種組分，而常規(guī)的生產(chǎn)方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合。現(xiàn)有的高蝕刻速率...

且過濾部件能將內(nèi)部的過濾板進(jìn)行拆卸更換，有效的提高了裝置連接安裝的便利性。2.高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，連接構(gòu)件，連接構(gòu)件設(shè)置在攪拌倉的底部，連接構(gòu)件與攪拌倉固定連接，連接構(gòu)件能將裝置主體內(nèi)部的兩個(gè)構(gòu)件進(jìn)行連接并固定，且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或拆卸的時(shí)候，不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作，有效的提高了裝置連接的實(shí)用性。附圖說明圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的過濾部件剖視圖；圖3為本實(shí)用新型的連接構(gòu)件剖視圖；圖4為本實(shí)用新型的內(nèi)部構(gòu)件連接框架圖。圖中：1、裝置主體，2、支撐腿，3、電源線，4、單片機(jī)，5、控制器，6、防滑紋，7、密封閥門(z45x-16...

在上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下，能夠調(diào)節(jié)添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導(dǎo)體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以為使包含本發(fā)明的必須成分以及除此以外的其他成分的組合物總重量成為100重量％的余量。推薦可以按照本發(fā)明的組合物總重量的2～45重量％來包含。<選擇添加劑的方法、由此選擇的添加劑及利用其的蝕刻方法>此外，本發(fā)明提供選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*對上述氮化物膜選擇性蝕刻的蝕刻液組合物的添加劑的方法、由此選擇的添加劑以及利用該添加劑的...

操作人員的手會(huì)與連接構(gòu)件11接觸，海綿層12可以將操作人員手上的水分進(jìn)行吸收，避免連接構(gòu)件11的兩側(cè)與操作人員的手接觸的時(shí)候，會(huì)因操作人員的手沾濕出現(xiàn)手滑的情況，有效的保證了裝置內(nèi)部構(gòu)件的連接工作能正常的進(jìn)行；然后，通過連接構(gòu)件11將裝置主體1內(nèi)部構(gòu)件進(jìn)行連接，連接構(gòu)件11設(shè)置有十四個(gè)，連接構(gòu)件11設(shè)置在攪拌倉23的底部，連接構(gòu)件11與攪拌倉23固定連接，連接構(gòu)件11能將裝置主體1內(nèi)部的兩個(gè)構(gòu)件進(jìn)行連接并固定，且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或拆卸的時(shí)候，不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作，在將兩構(gòu)件的連接管放在連接構(gòu)件11的兩端，再通過連接管與連接構(gòu)件11內(nèi)側(cè)兩端的螺紋管27進(jìn)行連接，通過...

將裝置主體1內(nèi)部的蝕刻液進(jìn)行清洗，具有很好的清理作用。工作原理：對于這類的回收處理裝置，首先將蝕刻液倒入進(jìn)液漏斗6并由過濾網(wǎng)7過濾到進(jìn)液管8中，之后蝕刻液流入到承載板3上的電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過圓環(huán)塊13配合連接桿14和伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng)，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)電解池4的功能，之后金屬銅在隔膜5左側(cè)析出；其次在蝕刻液初次電解后，通過控制面板30啟動(dòng)增壓泵16并打開一號電磁閥18，將蝕刻液通過回流管15抽入到一號排液管17中，并由進(jìn)液管8導(dǎo)入到伸縮管9中，直至蝕刻...

將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對應(yīng)的原料罐，備用；第三步：根據(jù)混酸配制表算出各個(gè)原料的添加量，按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調(diào)配罐，將上述混料充分?jǐn)嚢?，攪拌時(shí)間為3～5h；第四步：在第三步的混料中再添加h2o2，繼續(xù)攪拌混勻，攪拌時(shí)間為3～5h，用磁力泵將混合液通過過濾器循環(huán)過濾。作為推薦的技術(shù)方案，所述磁力泵出口壓力≤，過濾器入口壓力≤。根據(jù)制備銅蝕刻液的原料確定磁力泵的出口壓力和過濾器的入口壓力，包裝原料可以被充分過濾。作為推薦的技術(shù)方案，所述調(diào)配罐內(nèi)的溫度設(shè)定在30～35℃。調(diào)配罐的溫度不能超過35℃，由于過氧化...

ITO蝕刻液的分類：已經(jīng)使用的蝕刻液類型有六種類型：酸性氯化銅、堿性氯化銅、氯化鐵、過硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅，工藝體系，根據(jù)添加不同的氧化劑又可細(xì)分為氯化銅+空氣體系、氯化銅+氯酸鈉體系、氯化銅+雙氧水體系三種蝕刻工藝，在生產(chǎn)過程中通過補(bǔ)加鹽酸+空氣、鹽酸加氯酸鈉、鹽酸+雙氧水和少量的添加劑來實(shí)現(xiàn)線路板板的連續(xù)蝕刻生產(chǎn)。ITO蝕刻液由氟化銨、草酸、硫酸鈉、氫氟酸、硫酸、硫酸銨、甘油、水組成。江蘇TIO去膜液生產(chǎn)商ITO顯影劑就是一種納米導(dǎo)光性能的材料合成的。ITO蝕刻液的配方是什么？江蘇銅鈦蝕刻液蝕刻液報(bào)價(jià) 推薦的，所述制備裝置主體的兩端緊密貼合有防燙隔膜。推...

伸縮桿12下端固定安裝有圓環(huán)塊13，圓環(huán)塊13與噴頭10之間固定連接有連接桿14，分隔板2與承載板3相互垂直設(shè)置，電解池4內(nèi)部底端的傾斜角度設(shè)計(jì)為5°，進(jìn)液管8的形狀設(shè)計(jì)為l型，且進(jìn)液管8貫穿分隔板2設(shè)置在進(jìn)液漏斗6與伸縮管9之間，圓環(huán)塊13通過伸縮桿12活動(dòng)安裝在噴頭10上方，且噴頭10通過伸縮管9活動(dòng)安裝在電解池4上方，通過設(shè)置有伸縮管9與伸縮桿12，能夠在蝕刻液通過進(jìn)液管8流入到電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過圓環(huán)塊13配合伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng)，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)...

對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一，請參閱圖1-4，本實(shí)用新型提供技術(shù)方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體1、支撐腿2、電源線3和單片機(jī)4，裝置主體1的底端固定連接有支撐腿2，裝置主體1的后面一側(cè)底部固定連接有電源線3，裝置主體1的一側(cè)中間部位固定連接有控制器5，裝置主體1的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī)4，裝置主體1的頂部一端固定連接有去離子水儲(chǔ)罐14，裝...

silane)系偶聯(lián)劑和水，上述硅烷系偶聯(lián)劑使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。此外，提供一種選擇硅烷系偶聯(lián)劑的方法，其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法，其特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。發(fā)明效果本發(fā)明的蝕刻液組合物提供即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防...

步驟一s1：設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu)10，其中該擋液板結(jié)構(gòu)10設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121；該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其中該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121，該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121呈千鳥排列的直通孔態(tài)樣，且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離，其中該宣泄孔121的孔徑a0比較好小于3mm，以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象，若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時(shí)，則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面122，但仍舊可以提供空氣宣泄的管道，以借由該宣泄孔1...

注入量精確調(diào)配裝置通過嵌入引流口2接入鹽酸裝罐7進(jìn)行原料注入，工作人員通過負(fù)壓引流器21將鹽酸硝酸引向注入量控制容器18內(nèi)，通過觀察注入量控制容器18內(nèi)的注入量觀察刻度線19對注入量進(jìn)行精確控制，當(dāng)?shù)竭_(dá)設(shè)定的注入量時(shí)將限流銷20插入進(jìn)行限流即可，很好的對注入量進(jìn)行精確控制，提高了該裝置的制備純度。工作原理：首先，通過設(shè)置熱水流入漏斗9，工作人員可沿著熱水流入漏斗9將熱水緩緩倒入鹽酸內(nèi)，從而很好的減小了發(fā)生反應(yīng)的劇烈程度，很好的起到了保護(hù)作用。然后，通過設(shè)置加固支架10，加固支架10為連接在兩側(cè)底座支柱的三角結(jié)構(gòu)，利用三角結(jié)構(gòu)穩(wěn)定原理對裝置底座5起到了很好的加固效果。接著，通過設(shè)置防燙隔...

本發(fā)明涉及蝕刻液組合物及選擇添加于該蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法。背景技術(shù)：參照圖1，可以確認(rèn)3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand閃存可以通過在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)來制造。在不損傷氧化物膜的同時(shí)將氮化物膜完全去除是這樣的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技術(shù)之一。一般而言，氮化物膜去除工序中所使用的蝕刻液組合物利用具有防蝕能力的添加劑以獲得在不損傷氧化物膜的同時(shí)*將氮化物膜完全去除的效果。但是，想要在不損傷氧化物膜的范圍內(nèi)將氮化物膜完全去除...

提高反應(yīng)體系的穩(wěn)定性。當(dāng)體系中加入過氧化氫后有助于提高過氧化氫的穩(wěn)定性，避免由于過氧化氫分解而引發(fā)的，提高生產(chǎn)的安全性。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝，所述工藝包括以下步驟：第一步：將純水進(jìn)行低溫處理，使純水溫度≤10℃在純水罐中備用；純水罐中設(shè)有通過電路控制的電磁閥，當(dāng)純水溫度高于10℃時(shí)，電磁閥無法打開。第二步：配制和準(zhǔn)備原料，將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對應(yīng)的原料罐中，經(jīng)過過濾器循環(huán)過濾，備用；將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分...

將裝置主體1內(nèi)部的蝕刻液進(jìn)行清洗，具有很好的清理作用。工作原理：對于這類的回收處理裝置，首先將蝕刻液倒入進(jìn)液漏斗6并由過濾網(wǎng)7過濾到進(jìn)液管8中，之后蝕刻液流入到承載板3上的電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過圓環(huán)塊13配合連接桿14和伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng)，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)電解池4的功能，之后金屬銅在隔膜5左側(cè)析出；其次在蝕刻液初次電解后，通過控制面板30啟動(dòng)增壓泵16并打開一號電磁閥18，將蝕刻液通過回流管15抽入到一號排液管17中，并由進(jìn)液管8導(dǎo)入到伸縮管9中，直至蝕刻...

很好的對注入量進(jìn)行精確控制，提高了該裝置的制備純度。附圖說明圖1為本實(shí)用新型的整體示意圖；圖2為本實(shí)用新型的a處放大示意圖；圖3為本實(shí)用新型的b處放大示意圖；圖4為本實(shí)用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中：1、制備裝置主體，2、高效攪拌裝置，3、過濾除雜裝置，4、翻折觀察板，401、觀察窗翻折滾輪，402、內(nèi)嵌觀察窗，5、裝置底座，6、成品罐，7、鹽酸裝罐，8、硝酸裝罐，9、熱水流入漏斗，10、加固支架，11、防燙隔膜，12、旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤，13、運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，14、震蕩彈簧件，15、控制面板，16、致密防腐桿，17、攪動(dòng)孔，18、注入量控制容器，19、注入量觀察刻度線，20、限...

伸縮桿12下端固定安裝有圓環(huán)塊13，圓環(huán)塊13與噴頭10之間固定連接有連接桿14，分隔板2與承載板3相互垂直設(shè)置，電解池4內(nèi)部底端的傾斜角度設(shè)計(jì)為5°，進(jìn)液管8的形狀設(shè)計(jì)為l型，且進(jìn)液管8貫穿分隔板2設(shè)置在進(jìn)液漏斗6與伸縮管9之間，圓環(huán)塊13通過伸縮桿12活動(dòng)安裝在噴頭10上方，且噴頭10通過伸縮管9活動(dòng)安裝在電解池4上方，通過設(shè)置有伸縮管9與伸縮桿12，能夠在蝕刻液通過進(jìn)液管8流入到電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過圓環(huán)塊13配合伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng)，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)...

本實(shí)用新型有關(guān)于一種擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備，尤其是指一種適用于濕式蝕刻機(jī)的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產(chǎn)品損耗的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備。背景技術(shù)：請參閱圖1所示，為傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)的整體設(shè)置示意圖，其中一實(shí)心pvc板態(tài)樣的擋液板結(jié)構(gòu)a設(shè)置于一濕式蝕刻機(jī)(圖式未標(biāo)示)內(nèi)，主要用以阻擋一蝕刻藥液(圖式未標(biāo)示)對設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)a下方的基板(圖式未標(biāo)示)的噴濺而造成蝕刻不均勻的現(xiàn)象，并且在濕式蝕刻的制程步驟中，該基板設(shè)置于二風(fēng)刀b之間，當(dāng)該基板設(shè)置于一輸送裝置(圖式未標(biāo)示)而由該擋液板結(jié)構(gòu)a的左方接受蝕刻藥液蝕刻后移動(dòng)至風(fēng)刀b之間，該等風(fēng)刀b再噴出一氣體c到該基板的表面以...

該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其主要特征在于：該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121。該***擋板11與該第二擋板12呈正交設(shè)置，且該第二擋板12與該第三擋板13呈正交設(shè)置，以使該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13圍設(shè)成一凹槽的態(tài)樣，在一實(shí)施例中，該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13可以為一體成形，其中該第二擋板12的長度h介于10cm至15cm之間，而該等開設(shè)于該第二擋板12上的宣泄孔121可呈千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列的態(tài)樣，且該宣...

引線框架的腐蝕是如何生產(chǎn)的呢？引線框架的材料主要是電子銅帶，常見在引線框架中通過亮鎳、錫和錫鉛鍍層下進(jìn)行鍍鎳完成保護(hù)金屬材料的目的，在材質(zhì)過程中42合金引線相對來說容易發(fā)生應(yīng)力-腐蝕引發(fā)的裂紋。為了保障引線框架的優(yōu)異的導(dǎo)電性和散熱性，處理方式通過電鍍銀、片式電鍍線，將引線和基島表面作特殊處理，這樣能夠保障焊線和引線框架的良好焊接性能。引線框架電鍍銀蝕刻工藝流程主要分：上料-電解除油-活化-預(yù)鍍銅-預(yù)鍍銀-局部鍍銀-退銀-防銀膠擴(kuò)散-防銅變色-烘干-收料。通過該蝕刻工藝流程能夠保障引線框架蝕刻過程中電鍍層的厚度、光亮度、粗糙度、潔凈度等。因此，蝕刻引線框架對工藝和工廠的管理需要嚴(yán)格控制。 使...

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。...

且過濾部件能將內(nèi)部的過濾板進(jìn)行拆卸更換，有效的提高了裝置連接安裝的便利性。2.高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，連接構(gòu)件，連接構(gòu)件設(shè)置在攪拌倉的底部，連接構(gòu)件與攪拌倉固定連接，連接構(gòu)件能將裝置主體內(nèi)部的兩個(gè)構(gòu)件進(jìn)行連接并固定，且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或拆卸的時(shí)候，不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作，有效的提高了裝置連接的實(shí)用性。附圖說明圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的過濾部件剖視圖；圖3為本實(shí)用新型的連接構(gòu)件剖視圖；圖4為本實(shí)用新型的內(nèi)部構(gòu)件連接框架圖。圖中：1、裝置主體，2、支撐腿，3、電源線，4、單片機(jī)，5、控制器，6、防滑紋，7、密封閥門(z45x-16...

該宣泄孔121的上孔徑a1與下孔徑a2亦不相等，且該上孔徑a1小于該下孔徑a2，或該宣泄孔121由該第二擋板12的下表面122朝向上表面123的方向漸縮，以維持毛細(xì)現(xiàn)象而避免該藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題。當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板(本圖式未標(biāo)示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí)，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng)，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖10與圖11所示)，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的顯影不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸...