三極管|光敏晶體管|低頻放大三極管|功率開關晶體管|其他三極管⑷電子材料|電容器極板材料|導電材料|電極材料|光學材料|測溫材料|半導體材料|屏蔽材料|真空電子材料|覆銅板材料|壓電晶體材料|電工陶瓷材料|光電子功能材料|強電、弱電用接點材料|激光工質|電子元器件薄膜材料|電子玻璃|類金剛石膜|膨脹合金與熱雙金屬片|電熱材料與電熱元件|其它電子材料⑸電容器|云母電容器|鋁電解電容器|真空電容器|漆電容器|復合介質電容器|玻璃釉電容器|有機薄膜電容器|導電塑料電位器|紅外熱敏電阻|氣敏電阻器|陶瓷電容器|鉭電容器|紙介電容器|電子電位器|磁敏電阻/電位器|濕敏電阻器|光敏電阻/電位器|固定電阻器...

以及基于該經學習電壓，產生經配置以調整回轉率的預測。在一些實施例中，該實際電壓的微分決定一信號的實際回轉率，并且該預設電壓的微分決定該信號的預設回轉率。在一些實施例中，該經學習電壓包括一神經網(wǎng)絡的一經加權值。在一些實施例中，該測量電路包括一取樣保持電路以及一第二取樣保持電路。該取樣保持電路經配置以取樣一信號的一電壓。該第二取樣保持電路經配置以取樣該信號的一第二電壓，其中該實際電壓與該電壓和該第二電壓相關。在一些實施例中，該測量電路還包括一減法器電路。該減法器電路經配置以通過從該第二電壓中減去該電壓來提供該實際電壓。在一些實施例中，該不成熟分類與該參考分類之間的一區(qū)別與一神經網(wǎng)絡的一權重相關聯(lián)，...

固定層110a和自由層114a的磁向之間的關系限定了mtj的電阻狀態(tài)，并且從而使得多個存儲單元104a,1至104b,2能夠分別存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，數(shù)據(jù)狀態(tài)具有基于存儲單元內的工作mtj器件106的電阻的值。例如，如果工作mtj器件106a,1具有低電阻狀態(tài)，則存儲單元104a,1將存儲位值(例如，邏輯“0”)，或者如果工作mtj器件106a,1具有高電阻狀態(tài)，則存儲單元104a,1將存儲第二位值(例如，邏輯“1”)。調節(jié)訪問裝置108分別具有通過其可以控制提供給相關的工作mtj器件106的電流的電阻。例如，調節(jié)訪問裝置108a,1被配置為控制提供給工作mtj器件106a,1的電流，第二調節(jié)訪問裝置...

每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個或多個元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。系統(tǒng)100包括計算部件120，所述計算部件包括...

1至202c,3分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件106和通過調節(jié)提供給工作mtj器件106的電流而選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調節(jié)訪問裝置108。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置108包括連接至工作mtj器件106的同一層的調節(jié)mtj器件204和第二調節(jié)mtj器件206。例如，調節(jié)mtj器件204和第二調節(jié)mtj器件206可以都連接至工作mtj器件106的固定層110。在一些實施例中，調節(jié)mtj器件204連接在工作mtj器件106和字線wlx之間(x＝1,3,5)，并且第二調節(jié)mtj器件206連接在工作mtj器件106和第二字線wly(y＝2,4,6)之間。例如，在存儲單元20...

多個mtj器件106、204和206分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層112與自由層114分隔開的固定層110。在一些實施例中，固定層110可以形成為接觸底電極通孔408。在其它實施例中，自由層114可以形成為接觸底電極通孔408。多個mtj器件106、204和206中的一個包括被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件106。多個mtj器件106、204和206中的一個或多個包括設置在調節(jié)訪問裝置108內的調節(jié)mtj器件204和206，調節(jié)訪問裝置108被配置為控制(即，調節(jié))提供給相關的工作mtj器件106的電流。在一些實施例中，可以同時形成多個mtj器件106、204和206。例如，...

所述芯片本體的上表面固定連接有兩個對稱分布的連接機構，兩個所述連接機構相對的一端共同固定連接有散熱機構，所述散熱機構的底端與芯片本體的上表面活動連接。的，所述連接機構包括與芯片本體上表面固定連接的螺紋塊，所述螺紋塊的上表面開設有凹槽，所述凹槽的槽壁活動連接有l(wèi)形桿，所述l形桿的桿壁轉動套接有轉動環(huán)，所述轉動環(huán)的外壁固定套接有螺母，所述螺母的內壁元螺紋塊的外壁螺紋連接。的，所述散熱機構包括與l形桿側壁固定連接的空心導熱塊，所述空心導熱塊的下表面與芯片本體的下表面活動連接，所述空心導熱塊的上表面固定連通有多個連通管，多個同側所述連通管的頂端共同固定連通有空心散熱塊，多個所述空心散熱塊的頂端均固定連...

固定層110a和自由層114a的磁向之間的關系限定了mtj的電阻狀態(tài)，并且從而使得多個存儲單元104a,1至104b,2能夠分別存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，數(shù)據(jù)狀態(tài)具有基于存儲單元內的工作mtj器件106的電阻的值。例如，如果工作mtj器件106a,1具有低電阻狀態(tài)，則存儲單元104a,1將存儲位值(例如，邏輯“0”)，或者如果工作mtj器件106a,1具有高電阻狀態(tài)，則存儲單元104a,1將存儲第二位值(例如，邏輯“1”)。調節(jié)訪問裝置108分別具有通過其可以控制提供給相關的工作mtj器件106的電流的電阻。例如，調節(jié)訪問裝置108a,1被配置為控制提供給工作mtj器件106a,1的電流，第二調節(jié)訪問裝置...

在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性。可以通過cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術形成間隔層260。參照圖4e，針對間隔層260執(zhí)行蝕刻工藝，因此定義側壁間隔件261至266。側壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結果(例如，側壁間隔件261和262保留)。在一些實施例中，在261與2...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm...

包括樣品用量，訂單用量，預計用量）Endcustomer:終用戶Endcountry:終使用地點（國家）Designlocation:設計方（國家，公司）Purchaseschedule:采購計劃其他信息：Applianceenvironment:產品應用環(huán)境Deliverylocation:交貨地點（大陸某地或中國香港）Paymentitems:付款條件當然，需要得到的并不是一個價格，應該至少包括以下一些內容：Price:價格MPQ:小包裝MOQ:小訂購量Leadtime:交貨期Deliverylocation:交貨地點Paymentitems:付款條件三、產品種類產品有多樣的，例如：⑴繼電...

本發(fā)明可以采用印制線及激光精確打過孔方式實現(xiàn)變壓器線圈的繞制)。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應處設置有開窗(半固化片開窗，將磁芯所處于的覆銅芯板層之間的半固化片對應所述磁芯槽開窗，這樣可以采用厚度更厚的磁環(huán)；壓合，疊板時在磁芯槽和所述開窗中放入磁環(huán)，然后將覆銅芯板與半固化片壓合)。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內置于所述基板本體的絕緣體內，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到。本發(fā)明能夠帶來以下優(yōu)點：實現(xiàn)了更大功率，更高效率的IC集成電源；以少的通道實現(xiàn)了雙向信號的傳輸；基板集成封裝工藝一次成型，成本更低。在此指明，以上敘述有助于本領域技術人員理解本發(fā)明創(chuàng)造...

本發(fā)明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲數(shù)據(jù)的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數(shù)據(jù)。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術的一種有前景的候選。技術實現(xiàn)要素：根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結器件和字線之間，其中，所述調節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的...

所述主板的下方安裝有信號接頭，所述主板的邊角處裝設有減震螺栓，所述減震螺栓的下方焊接有支撐桿，所述支撐桿的內部安裝有緊固螺栓，所述緊固螺栓的下方套設有連桿，所述連桿的上方安裝有線夾。的，所述散熱板為鰭形設計。的，所述橡膠塞為方形設計，所述橡膠塞鑲嵌在隔線板內部均勻開設的方形通孔內。的，所述信號接頭包括母頭、卡扣和，所述母頭的兩側設置有卡扣，所述卡扣的底端焊接在的上方，所述母頭焊接在主板的底部，所述連接在信號線上。的，所述減震螺栓包括螺桿、彈簧、墊片、第二墊片、第二彈簧和限位塊，所述螺桿的頂部套設有彈簧，所述彈簧的下方焊接有墊片，所述墊片的下方安裝有第二墊片，所述第二墊片的下方焊接有第二彈簧，所...

所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲模塊組件200由另一個印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲模塊組件200并且...

圖7a至圖7b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。圖7a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元702a,1至702c,3的存儲器電路700的一些額外實施例的示意圖。多個存儲單元702a,1至702c,3分別包括配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件106和配置為選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調節(jié)訪問裝置108。調節(jié)訪問裝置108包括連接至工作mtj器件106的同一層的調節(jié)mtj器件204和第二調節(jié)mtj器件206。調節(jié)mtj器件204連接在多條字線wl1至wl6的條和多條偏置電壓線bvl1至bvl3的條之間。第...

每個單元線路結構的六條列金屬線ml1至ml6可以在方向x上布置成交替地具有金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12。金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12可以由表達式1表示。表達式1pm11＝wdm+wmlpm12＝pdm-(wdm+wml)在表達式1中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml6的寬度。在形成列金屬線ml1至ml6之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的四條柵極線gl1至gl4。參照圖5，每個單元線路結構uws1的四條柵極線gl1至gl4可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws1的...

技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的就是提供一種集成電路軟件快速錄入裝置，能完全解決上述現(xiàn)有技術的不足之處。本實用新型的目的通過下述技術方案來實現(xiàn)：一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠程后臺服務器、錄入終端裝置和顯示器，所述錄入終端裝置包括微處理器、高頻讀卡模塊、數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊和通訊模塊，所述錄入終端裝置通過數(shù)據(jù)線與遠程后臺服務器連接；所述顯示器包括液晶顯示屏、工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊，所述工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊分別與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊相連；所述數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊包括下載判斷模塊、校準綜測模塊、開機模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊。作為方式之一，所述通訊模塊采用zigbee無線方式...

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3．邏輯綜合；4．門級驗證（Gate-LevelNetlistVerification）；5．布局和布線。模擬集成電路設計的一般過程：1.電路設計（依據(jù)電路功能）；2.前仿真；3.版圖設計（Layout）；4.后仿真；5.后續(xù)處理（將版圖文件生成GDSII文件交予Foundry流片）。要設計集成電路版需要了解哪些知識集成電路設計的流程一般先要進行軟硬件劃分，將設計基本分為兩部分：芯片硬件設計和軟件協(xié)同設計。芯片硬件設計包括：1．功能設計階段。設計人員產品的應用場合，設定一些諸如功能、操作速度、接口規(guī)格、環(huán)境溫度及消耗功率等規(guī)格，以做為將來電路設計時的依據(jù)。更可進一步規(guī)劃軟件模塊及硬件模塊該...