本發(fā)明涉及不具有驅(qū)動(dòng)晶體管(即，存取晶體管)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)。而且，存儲(chǔ)單元包括調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明涉及集成芯片。集成芯片包括連接至位線的工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，工作mtj器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及連接在工作mtj器件和字線之間的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置包括被配置為控制提供給工作mtj器件的電流的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件分別包括固定層、介電阻擋層和通過(guò)介電阻擋層與固定層分隔開(kāi)的自由層。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置還包括連接在第...

在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設(shè)置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對(duì)蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性?？梢酝ㄟ^(guò)cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術(shù)形成間隔層260。參照?qǐng)D4e，針對(duì)間隔層260執(zhí)行蝕刻工藝，因此定義側(cè)壁間隔件261至266。側(cè)壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結(jié)果(例如，側(cè)壁間隔件261和262保留)。在一些實(shí)施例中，在261與2...

使得在所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個(gè)印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與所述熱接口材料層熱耦聯(lián)。圖5是移除了雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件的印刷電路裝配件的圖。圖6是印刷電路裝配件的圖，包括已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200并且包括已附接的分流管。圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖8a和圖8b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于內(nèi)部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖9示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的流程。附圖是非詳盡的，并且不限制本公開(kāi)至所公開(kāi)的精確形式。具體實(shí)施方式諸如雙列直插式存儲(chǔ)模塊(dimm)的集成電...

在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可以...

國(guó)內(nèi)集成電路發(fā)展非常之快，并非想象中那么落后了，所以就業(yè)前景很不錯(cuò)的。好好學(xué)習(xí)吧，學(xué)長(zhǎng)給你一點(diǎn)建議，認(rèn)真對(duì)待每一門課程，很多大二的學(xué)長(zhǎng)會(huì)告訴你什么高數(shù)無(wú)用，線代無(wú)用，那是因?yàn)樗麄儽旧矶紱](méi)學(xué)好都沒(méi)有認(rèn)識(shí)到這些課程的重要性，所以你能西安郵電學(xué)院的集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)到底怎么樣西電在IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域國(guó)內(nèi)還是挺靠前的吧，我覺(jué)得這個(gè)專業(yè)能數(shù)的上來(lái)的就這么幾個(gè)學(xué)校：清華，北大（偏器件和理論），復(fù)旦，上交，東南，成電，西電。IC設(shè)計(jì)還是得讀研，得去流片，要不跟沒(méi)學(xué)一樣。集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)屬于哪個(gè)學(xué)院專業(yè)的全國(guó)排名順序怎屬于電氣學(xué)院把~~~這種專業(yè)比較少，專業(yè)不怎么好排名把~~~電子科技大學(xué)，就業(yè)沒(méi)...

模塊可以包括軟件組件、類組件、任務(wù)組件、過(guò)程、功能、屬性、步驟、子例程、程序代碼段、驅(qū)動(dòng)程序、固件、微代碼、電路、數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、表、陣列、參數(shù)等。模塊可以被劃分為執(zhí)行詳細(xì)功能的多個(gè)模塊。布局模塊1200可以使用處理器1500基于定義集成電路和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)1110的輸入數(shù)據(jù)di來(lái)布置標(biāo)準(zhǔn)單元。布線模塊1300可以針對(duì)從布局模塊1200提供的單元布局執(zhí)行信號(hào)布線。如果布線不成功，則布局模塊1200可以修改先前的單元布局，并且布線模塊1300可以利用修改的單元布局執(zhí)行信號(hào)布線。當(dāng)布線成功完成時(shí)，布線模塊1300可以提供定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)do。布局模塊1200和布線模塊1300可以由單個(gè)集...

字線解碼器118被配置為選擇性地將信號(hào)施加至連接至存儲(chǔ)器陣列102的一條或多條字線wl1至wl6，并且位線解碼器116被配置成選擇性地將信號(hào)施加至連接至存儲(chǔ)器陣列102的一條或多條位線bl1至bl3。通過(guò)選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線wl1至wl6和一條或多條位線bl1至bl3，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問(wèn)多個(gè)工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，圖3a至圖3b示出了圖2的存儲(chǔ)器電路200的寫入操作的一些實(shí)施例的示意圖300和302。示意圖300和302所示的寫入操作是實(shí)施寫入操作的方法的非限制性實(shí)例。在其它實(shí)施例中，可以可選地使用實(shí)施寫入操作的其它方法。圖3a至圖...

同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件?？梢允÷灾貜?fù)的描述。在下文中，在三維空間中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的結(jié)構(gòu)。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是豎直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。參照?qǐng)D1，在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，其中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在柵極層上方的導(dǎo)電層中形成多條金屬線，其中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是...

調(diào)節(jié))提供給工作mtj器件的電流來(lái)選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。通過(guò)使用調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置來(lái)選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問(wèn)，可以減小存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸。圖1示出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)器電路100的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。存儲(chǔ)器電路100包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元104a,1至104b,2的存儲(chǔ)器陣列102。多個(gè)存儲(chǔ)單元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存儲(chǔ)器陣列102內(nèi)。例如，行存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元104a,1和104a,2，而列存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元10...

每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的六條列金屬線ml1至ml6可以在方向x上布置成交替地具有金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12。金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12可以由表達(dá)式1表示。表達(dá)式1pm11＝wdm+wmlpm12＝pdm-(wdm+wml)在表達(dá)式1中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml6的寬度。在形成列金屬線ml1至ml6之前，可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對(duì)每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的四條柵極線gl1至gl4。參照?qǐng)D5，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws1的四條柵極線gl1至gl4可以通過(guò)單圖案化形成。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws1的...

調(diào)節(jié))提供給工作mtj器件的電流來(lái)選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。通過(guò)使用調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置來(lái)選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問(wèn)，可以減小存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸。圖1示出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)器電路100的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。存儲(chǔ)器電路100包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元104a,1至104b,2的存儲(chǔ)器陣列102。多個(gè)存儲(chǔ)單元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存儲(chǔ)器陣列102內(nèi)。例如，行存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元104a,1和104a,2，而列存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元10...

模塊可以包括軟件組件、類組件、任務(wù)組件、過(guò)程、功能、屬性、步驟、子例程、程序代碼段、驅(qū)動(dòng)程序、固件、微代碼、電路、數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、表、陣列、參數(shù)等。模塊可以被劃分為執(zhí)行詳細(xì)功能的多個(gè)模塊。布局模塊1200可以使用處理器1500基于定義集成電路和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)1110的輸入數(shù)據(jù)di來(lái)布置標(biāo)準(zhǔn)單元。布線模塊1300可以針對(duì)從布局模塊1200提供的單元布局執(zhí)行信號(hào)布線。如果布線不成功，則布局模塊1200可以修改先前的單元布局，并且布線模塊1300可以利用修改的單元布局執(zhí)行信號(hào)布線。當(dāng)布線成功完成時(shí)，布線模塊1300可以提供定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)do。布局模塊1200和布線模塊1300可以由單個(gè)集...

包括樣品用量，訂單用量，預(yù)計(jì)用量）Endcustomer:終用戶Endcountry:終使用地點(diǎn)（國(guó)家）Designlocation:設(shè)計(jì)方（國(guó)家，公司）Purchaseschedule:采購(gòu)計(jì)劃其他信息：Applianceenvironment:產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境Deliverylocation:交貨地點(diǎn)（大陸某地或中國(guó)香港）Paymentitems:付款條件當(dāng)然，需要得到的并不是一個(gè)價(jià)格，應(yīng)該至少包括以下一些內(nèi)容：Price:價(jià)格MPQ:小包裝MOQ:小訂購(gòu)量Leadtime:交貨期Deliverylocation:交貨地點(diǎn)Paymentitems:付款條件三、產(chǎn)品種類產(chǎn)品有多樣的，例如：⑴繼電...

圖3示出了印刷電路板202、集成電路204a、204b、熱接口材料206a、206b的層、散熱器板208a、208b以及彈性?shī)A210a、210b、210c。所公開(kāi)的技術(shù)的特別值得注意的特征包括散熱器板208的頂表面302，所述頂表面由越過(guò)印刷電路板202的與連接側(cè)304相對(duì)的側(cè)延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)板208形成。這些特征將在下面更詳細(xì)地討論。圖4a示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的兩個(gè)相同的印刷電路裝配件400a和400b。印刷電路裝配件400a和400b中的每個(gè)包括系統(tǒng)板402，多個(gè)印刷電路板插座平行地安裝在系統(tǒng)板上，所述印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座標(biāo)記為404。冷卻管406鄰接地且平行于每個(gè)印刷電...

該比較器經(jīng)配置以通過(guò)將一預(yù)設(shè)電壓與一實(shí)際電壓進(jìn)行比較來(lái)產(chǎn)生關(guān)于該不成熟分類的信息。在一些實(shí)施例中，該預(yù)設(shè)電壓的微分決定該信號(hào)的預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。在一些實(shí)施例中，該機(jī)器學(xué)習(xí)電路還包括一測(cè)量電路。該測(cè)量電路經(jīng)配置以通過(guò)實(shí)際測(cè)量該信號(hào)來(lái)提供該實(shí)際電壓。在一些實(shí)施例中，該測(cè)量電路包括一取樣保持電路、一第二取樣保持電路以及一減法器電路。該取樣保持電路經(jīng)配置以取樣該信號(hào)的一電壓。該第二取樣保持電路經(jīng)配置以取樣該信號(hào)的一第二電壓。該減法器電路經(jīng)配置以通過(guò)從該第二電壓中減去該電壓來(lái)提供該實(shí)際電壓。在一些實(shí)施例中，該實(shí)際電壓的微分決定該信號(hào)的實(shí)際回轉(zhuǎn)率。在一些實(shí)施例中，該機(jī)器學(xué)習(xí)電路還包括一加法器電路。該加法器電路經(jīng)...

包括樣品用量，訂單用量，預(yù)計(jì)用量）Endcustomer:終用戶Endcountry:終使用地點(diǎn)（國(guó)家）Designlocation:設(shè)計(jì)方（國(guó)家，公司）Purchaseschedule:采購(gòu)計(jì)劃其他信息：Applianceenvironment:產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境Deliverylocation:交貨地點(diǎn)（大陸某地或中國(guó)香港）Paymentitems:付款條件當(dāng)然，需要得到的并不是一個(gè)價(jià)格，應(yīng)該至少包括以下一些內(nèi)容：Price:價(jià)格MPQ:小包裝MOQ:小訂購(gòu)量Leadtime:交貨期Deliverylocation:交貨地點(diǎn)Paymentitems:付款條件三、產(chǎn)品種類產(chǎn)品有多樣的，例如：⑴繼電...

可以通過(guò)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12的上述布局和布線來(lái)確定集成電路300的布圖。可以通過(guò)電力軌311至316向標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負(fù)電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區(qū)域?qū)?yīng)的多個(gè)電路行...

所述主板的下方安裝有信號(hào)接頭，所述主板的邊角處裝設(shè)有減震螺栓，所述減震螺栓的下方焊接有支撐桿，所述支撐桿的內(nèi)部安裝有緊固螺栓，所述緊固螺栓的下方套設(shè)有連桿，所述連桿的上方安裝有線夾。的，所述散熱板為鰭形設(shè)計(jì)。的，所述橡膠塞為方形設(shè)計(jì)，所述橡膠塞鑲嵌在隔線板內(nèi)部均勻開(kāi)設(shè)的方形通孔內(nèi)。的，所述信號(hào)接頭包括母頭、卡扣和，所述母頭的兩側(cè)設(shè)置有卡扣，所述卡扣的底端焊接在的上方，所述母頭焊接在主板的底部，所述連接在信號(hào)線上。的，所述減震螺栓包括螺桿、彈簧、墊片、第二墊片、第二彈簧和限位塊，所述螺桿的頂部套設(shè)有彈簧，所述彈簧的下方焊接有墊片，所述墊片的下方安裝有第二墊片，所述第二墊片的下方焊接有第二彈簧，所...

本實(shí)用新型涉及集成電路芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術(shù)：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護(hù)環(huán)的電子元件，其電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊，固定封環(huán)形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊，接地環(huán)形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環(huán)電連接，防護(hù)環(huán)設(shè)置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環(huán)電連接。目前集成電路芯片在使用的時(shí)候會(huì)散發(fā)大量的熱量，但現(xiàn)有的芯片散熱效率較低，導(dǎo)致芯片長(zhǎng)時(shí)間處于高溫環(huán)境中，高溫不光...

并且因此熱耦聯(lián)至熱接口材料806。側(cè)板808可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來(lái)形成側(cè)板808。能夠移除的一個(gè)或多個(gè)彈性?shī)A810可定位在側(cè)板808周圍，以將側(cè)板808壓靠在熱接口材料806上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖9示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的流程900。盡管流程的步驟以特定順序示出，這些步驟的部分或全部可以以其他順序執(zhí)行、并行地執(zhí)行或兩者的組合。一些步驟可以被省略。參考圖9，在902處，提供兩個(gè)印刷電路裝配件400。每個(gè)印刷電路裝配件400包括：系統(tǒng)板402；平行地安裝在系統(tǒng)板402上的多個(gè)印刷電路板插座404；和多個(gè)冷卻管406，每個(gè)所述冷卻管安裝在系統(tǒng)板402上、平行且鄰接于所述印刷電路板插...

sr)調(diào)整程序以進(jìn)行另一次迭代的調(diào)整程序以前，使用者采取的步驟。在調(diào)整流程中，在操作200中調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率，直到操作202中產(chǎn)生的信號(hào)dout在操作204中的測(cè)量滿足在操作208中獲取的規(guī)范，其中使用者于操作206中評(píng)估該測(cè)量。應(yīng)當(dāng)注意，該規(guī)范對(duì)于操作206中的評(píng)估可能是關(guān)鍵的。此外，應(yīng)該注意，該規(guī)范通常是非正式的，并且可以不由圖1的使用者應(yīng)用端12輸入?？傊笆霾僮鞅坏貓?zhí)行，直到經(jīng)調(diào)整回轉(zhuǎn)率滿足規(guī)范的要求。經(jīng)配置以測(cè)量信號(hào)dout的電壓的示波器120的尺寸相對(duì)較大。此外，需要手動(dòng)調(diào)整回轉(zhuǎn)率。結(jié)果，比較方法相對(duì)不方便。圖3是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的具有一機(jī)器學(xué)習(xí)電路(machi...

所述方法包括：提供兩個(gè)印刷電路裝配件，每個(gè)所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，在所述系統(tǒng)板上的多個(gè)印刷電路板插座，多個(gè)液體冷卻管，每個(gè)所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個(gè)集成電路模塊，和多個(gè)散熱器，每個(gè)所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個(gè)集成電路模塊熱耦聯(lián)；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對(duì)地布置，使得所述兩個(gè)印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯(cuò)，并且所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個(gè)印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。附圖說(shuō)明參考下列附圖，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)不同實(shí)施例詳細(xì)描述了本公開(kāi)。附圖出于說(shuō)明的目...

三星始終關(guān)注商務(wù)人士的使用環(huán)境，2006年三星從產(chǎn)品層面的衍生，提升到關(guān)注商務(wù)人士的生活方式，體現(xiàn)了三星筆記本電腦的人文關(guān)懷。尤其值得注意的是：1999年，三星決策加入奧林匹克TOP計(jì)劃（TheOlympicPlan，全球贊助商計(jì)劃）以提高品牌形象。自此，三星將奧運(yùn)理念融入企業(yè)品牌。三星堅(jiān)信，三星品牌與體育休閑產(chǎn)業(yè)是一種完美的結(jié)合。通過(guò)三星（SAMSUNG）韓國(guó)品牌三星為自己的定位是：數(shù)字融合的革命；其品牌內(nèi)涵是：數(shù)字世三星設(shè)計(jì)研究所怎么樣韓三星韓語(yǔ)說(shuō)能走高層領(lǐng)導(dǎo)比較困難待遇看具體技術(shù)類員技術(shù)類能些說(shuō)比般企些歐美企業(yè)能比有誰(shuí)了解在集成電路中大的展會(huì)是什么時(shí)候的哪家舉辦的謝謝有誰(shuí)了解在集成電...

在多個(gè)底電極通孔正上方形成多個(gè)mtj器件。多個(gè)mtj器件包括工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。圖10示出了對(duì)應(yīng)于步驟1306的一些實(shí)施例的截面圖1000。在步驟1308中，在多個(gè)mtj器件正上方形成多個(gè)頂電極通孔。圖11示出了對(duì)應(yīng)于步驟1308的一些實(shí)施例的截面圖1100。在步驟1310中，在多個(gè)頂電極通孔上方形成具有多個(gè)互連結(jié)構(gòu)的第二互連層。多個(gè)互連結(jié)構(gòu)限定位線和一條或多條字線。圖11示出了對(duì)應(yīng)于步驟1310的一些實(shí)施例的截面圖1100。步驟1302至1310在襯底上方形成存儲(chǔ)單元。在一些實(shí)施例中，可以重復(fù)步驟1302至1310(如步驟1312所示)以在存儲(chǔ)單元上方形成第二存儲(chǔ)單元。...

但這個(gè)發(fā)展速度也是非常驚人的。集成電路是一門高科技，它促進(jìn)了很多門學(xué)科的發(fā)展，包括自動(dòng)化、裝備生產(chǎn)、精密儀器、微細(xì)加工等產(chǎn)業(yè)。1美金的芯片所能帶動(dòng)的GDP相當(dāng)于100美金，而全世界一年的芯片產(chǎn)值所撬動(dòng)的GDP，相當(dāng)于中國(guó)和美國(guó)的GDP之和，而且，這個(gè)產(chǎn)業(yè)對(duì)我們國(guó)家的信息安全具有非常重要的作用。中國(guó)的芯片市場(chǎng)占了全世界的，是世界上大的芯片需求市場(chǎng)，但自給率卻不到10%。從2008年開(kāi)始，我國(guó)的集成電路進(jìn)口占據(jù)了進(jìn)口商品中大的一部分，甚至超過(guò)了石油和糧食。目前，我國(guó)集成電路生產(chǎn)技術(shù)還比較落后，面臨著巨大的挑戰(zhàn)。首先，為了降低成本，我們要盡量在單位面積上制造出更多的晶體管，縮小電路板面積。其次，努力...

示出了一個(gè)處理器1500?？蛇x地，多個(gè)處理器可以包括在設(shè)計(jì)系統(tǒng)1000中。此外，處理器1500可以包括增加計(jì)算容量的高速緩存存儲(chǔ)器。這樣，根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路和設(shè)計(jì)集成電路的方法可以通過(guò)單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。圖15是示出圖14的設(shè)計(jì)系統(tǒng)的示例操作的流程圖。參照?qǐng)D14和圖15，設(shè)計(jì)模塊1400可以接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù)di(s11)。布局模塊1200可以參照包括如上所述的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)1110，以便提取與輸入數(shù)據(jù)di對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元，并且可以使用提取的標(biāo)準(zhǔn)單元執(zhí)行單元布局(s12)。布線模塊1300可以針對(duì)布局的單元執(zhí)行信號(hào)布線(s13)。當(dāng)信號(hào)布線不成功時(shí)(...

同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件?？梢允÷灾貜?fù)的描述。在下文中，在三維空間中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的結(jié)構(gòu)。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是豎直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。參照?qǐng)D1，在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，其中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在柵極層上方的導(dǎo)電層中形成多條金屬線，其中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是...

本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術(shù)：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子存儲(chǔ)器。電子存儲(chǔ)器可以是易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器在上電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器能夠在斷開(kāi)電源時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)是用于下一代非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的一種有前景的候選。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結(jié)器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置，連接在所述工作磁隧道結(jié)器件和字線之間，其中，所述調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結(jié)器件的...

字線解碼器118被配置為選擇性地將信號(hào)施加至連接至存儲(chǔ)器陣列102的一條或多條字線wl1至wl6，并且位線解碼器116被配置成選擇性地將信號(hào)施加至連接至存儲(chǔ)器陣列102的一條或多條位線bl1至bl3。通過(guò)選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線wl1至wl6和一條或多條位線bl1至bl3，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問(wèn)多個(gè)工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，圖3a至圖3b示出了圖2的存儲(chǔ)器電路200的寫入操作的一些實(shí)施例的示意圖300和302。示意圖300和302所示的寫入操作是實(shí)施寫入操作的方法的非限制性實(shí)例。在其它實(shí)施例中，可以可選地使用實(shí)施寫入操作的其它方法。圖3a至圖...

該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應(yīng)于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預(yù)設(shè)電壓改為耦合到一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓。在一些實(shí)施例中，該參考電壓反映一參考分類，該參考分類通過(guò)人工比較該預(yù)設(shè)電壓和該實(shí)際電壓來(lái)獲取。在一些實(shí)施例中，該集成電路元件還包括一分壓器以及一加法器電路。該分壓器經(jīng)配置以接收該減法器電路的該輸出端的該電壓。該加法器電路包括一輸入端耦合到該分壓器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一預(yù)設(shè)權(quán)重。在一些實(shí)施例中，該集成電路元件還包括一反相器以及一乘法器電路。該反相器包括一輸入端耦合到該加法...