硅材料刻蝕是集成電路制造過程中的關鍵環(huán)節(jié)之一,對于實現(xiàn)高性能、高集成度的芯片至關重要。在集成電路制造中,硅材料刻蝕技術被普遍應用于制備晶體管...
硅材料刻蝕技術是半導體制造領域的關鍵技術之一,近年來取得了卓著的進展。隨著納米技術的不斷發(fā)展,對硅材料刻蝕的精度和效率提出了更高的要求。為了...
濕法蝕刻的影響因素分別為:反應溫度,溶液濃度,蝕刻時間和溶液的攪拌作用。根據(jù)化學反應原理,溫度越高,反應物濃度越大,蝕刻速率越快,蝕刻時間越...
光刻工藝參數(shù)的選擇對圖形精度有著重要影響。通過優(yōu)化曝光時間、光線強度、顯影液濃度等參數(shù),可以實現(xiàn)對光刻圖形精度的精確控制。例如,通過調整曝光...
廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺,面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供技術支持。