光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。通過光刻技術(shù)制作出的微納結(jié)構(gòu)需進一...

“納米制造”路線圖強調(diào)了未來納米表面制造的發(fā)展。問卷調(diào)查探尋了納米表面制備所面臨的機遇。調(diào)查中提出的問題旨在獲取納米表面特征的相關(guān)信息：這種納米表面結(jié)構(gòu)可以是形貌化、薄膜化的改良表面區(qū)域，也可以是具有相位調(diào)制或一定晶粒尺寸的涂層。這類結(jié)構(gòu)構(gòu)建于眾多固體材料表面，如金屬、陶瓷、玻璃、半導(dǎo)體和聚合物等?？偨Y(jié)了調(diào)查結(jié)果與發(fā)現(xiàn)，并闡明了未來納米表面制造的前景。納米表面可產(chǎn)生自材料的消解、沉積、改性或形成過程。這導(dǎo)致制備出的納米表面帶有納米尺度所特有的新的化學(xué)、物理和生物特性（比如催化作用、磁性質(zhì)、電性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)或抗細菌性）。在納米科學(xué)許多已有的和新興的子領(lǐng)域中，表面工程已經(jīng)實現(xiàn)了從基礎(chǔ)科學(xué)向現(xiàn)實應(yīng)用...

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：沉積結(jié)構(gòu)材料；第五步：光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形；第六步：刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移；第七步：釋放去除系繩層，保留結(jié)構(gòu)層，完成微結(jié)構(gòu)制作；體加工基本流程如下：起先：沉積保護層材料；第二步：光刻定義保護圖形；第三步：刻蝕完成保護層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：腐蝕硅襯底，在制作三維立體腔結(jié)構(gòu)；第五步：去除保護層材料。微納加工技術(shù)的特點：多樣化。邯鄲MENS微納加工 MEMS（微機電系統(tǒng)），是指以微型化、系統(tǒng)化的理論為指導(dǎo)，通過半導(dǎo)體制造等微納加...

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：沉積結(jié)構(gòu)材料；第五步：光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形；第六步：刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移；第七步：釋放去除系繩層，保留結(jié)構(gòu)層，完成微結(jié)構(gòu)制作；體加工基本流程如下：起先：沉積保護層材料；第二步：光刻定義保護圖形；第三步：刻蝕完成保護層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：腐蝕硅襯底，在制作三維立體腔結(jié)構(gòu)；第五步：去除保護層材料。微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù)。河南微納加工器件封裝 微納加工基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含...

微納加工技術(shù)是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高級制造業(yè)水平的標志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種。比較顯然，微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系。微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類。“自上而下”是從宏觀對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ)，對材料或原料進行加工，較小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定。“自下而上”技術(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起，形成微納結(jié)構(gòu)...

美國在微納加工技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著主導(dǎo)作用。由于電子技術(shù)、計算機技術(shù)、航空航天技術(shù)和激光技術(shù)的需要，美國于1962年開發(fā)了金剛石刀具超精細切割機床，解決了激光核聚變反射鏡、天體望遠鏡等光學(xué)部件和計算機磁盤加工，奠定了微加工技術(shù)的基礎(chǔ)，隨后西歐和日本微加工技術(shù)發(fā)展迅速。微納加工技術(shù)是一種新興的綜合加工技術(shù)。它整合了現(xiàn)代機械、光學(xué)、電子、計算機、測量和材料等先進技術(shù)成果，使加工精度從20世紀60年代初的微米水平提高到目前的10m水平，在幾十年內(nèi)提高了1～2個數(shù)量級，很大程度提高了產(chǎn)品的性能和可靠性。目前，微納加工技術(shù)已成為國家科技發(fā)展水平的重要標志。隨著各種新型功能陶瓷材料的成功...

微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類?！白陨隙隆笔菑暮暧^對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ)，對材料或原料進行加工，小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定?！白韵露稀奔夹g(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起，形成微納結(jié)構(gòu)與器件。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的...

刻蝕工藝：是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)?？涛g技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高質(zhì)量檔次的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)...

美國在微納加工技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著主導(dǎo)作用。由于電子技術(shù)、計算機技術(shù)、航空航天技術(shù)和激光技術(shù)的需要，美國于1962年開發(fā)了金剛石刀具超精細切割機床，解決了激光核聚變反射鏡、天體望遠鏡等光學(xué)部件和計算機磁盤加工，奠定了微加工技術(shù)的基礎(chǔ)，隨后西歐和日本微加工技術(shù)發(fā)展迅速。微納加工技術(shù)是一種新興的綜合加工技術(shù)。它整合了現(xiàn)代機械、光學(xué)、電子、計算機、測量和材料等先進技術(shù)成果，使加工精度從20世紀60年代初的微米水平提高到目前的10m水平，在幾十年內(nèi)提高了1～2個數(shù)量級，很大程度提高了產(chǎn)品的性能和可靠性。目前，微納加工技術(shù)已成為國家科技發(fā)展水平的重要標志。隨著各種新型功能陶瓷材料的成功...

Mems加工工藝和微納加工大體上都是一樣的，只是表述不一樣而已，MEMS即是微機械電子系統(tǒng)，大多時候等同于微納系統(tǒng)是根據(jù)產(chǎn)品需要，在各類襯底（硅襯底，玻璃襯底，石英襯底，藍寶石襯底等等）制作微米級微型結(jié)構(gòu)的加工工藝。微納傳感器加工工藝制作的微型結(jié)構(gòu)主要是作為各類傳感器和執(zhí)行器等，其中更加器件原理需要而制作的可動結(jié)構(gòu)（齒輪，懸臂梁，空腔，橋結(jié)構(gòu)等等）以及各種功能材料，本質(zhì)上是將環(huán)境中的各種特征參數(shù)（溫度，壓力，氣體，流量等等）變化通過微型結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為各種電信號的差異，以實現(xiàn)小型化高靈敏的傳感器和執(zhí)行器。微納加工技術(shù)的特點：多樣化。荊門高精度微納加工真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術(shù)和...

微納加工即是微米級納米級單位的加工常常應(yīng)用在材料科學(xué)和芯片設(shè)計等領(lǐng)域，通俗的講就是把圖形轉(zhuǎn)移到襯底上面去，一般襯底是Si，做微納加工第一步是要做光刻版的。第一步版圖：一般要用CAD，EDA，Matlab，L-edit，potel軟件做圖形第二步制作光刻版：這里比較復(fù)雜我分為三步來介紹首先我們要了解光刻版的材料和它的結(jié)構(gòu)，光刻版即是掩膜板材質(zhì)只有兩種石英和蘇打（石英的透光率要比蘇打的透光率要好）蘇打和石英上面呢有一層ge金屬（ge金屬不透光）ge金屬上面還有一層光刻膠。第一步：我們要確定我們光刻版的大小（注意光刻版要比襯底大一個英寸以便于光刻的時候光刻版能把襯底全部掩蓋?。┮约靶【€寬...

微納加工技術(shù)也可分為機械加工、化學(xué)腐蝕、能量束加工、復(fù)合加工、隧道掃描顯微技術(shù)加工等方法。機械加工方法包括單晶金剛石刀具的超精密切割、金剛石砂輪和CBN砂輪的超精密磨削和鏡面磨削、磨削、砂帶拋光等固定磨料工具的加工、磨削、拋光等自由磨料的加工。能束加工可以去除加工對象、添加和表面改性。例如，激光切割、鉆孔和表面硬化改性。光刻、焊接、微米和納米鉆孔、切割、離子和等離子體蝕刻等。能量束的加工方法還包括電火花加工、電化學(xué)加工、電解射流加工、分子束延伸等。微納加工是的技術(shù)，可以進行原子級操作和原子去除、添加和搬遷。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器...

微納加工技術(shù)是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高級制造業(yè)水平的標志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種。比較顯然，微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系。微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類?！白陨隙隆笔菑暮暧^對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ)，對材料或原料進行加工，較小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定?！白韵露稀奔夹g(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起，形成微納結(jié)構(gòu)...

在光刻圖案化工藝中，需要優(yōu)先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復(fù)雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，在隨后的化學(xué)顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代，聯(lián)同其他多個物理過程，便產(chǎn)生集成電路。高精度的微細結(jié)構(gòu)通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光。鄂州電子微納加工在過去的幾年中，全球各地的研究機構(gòu)和一些大學(xué)已開始集中研究微觀和納米尺度現(xiàn)象、器件和系統(tǒng)。...

在光刻圖案化工藝中，需要優(yōu)先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復(fù)雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，在隨后的化學(xué)顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代，聯(lián)同其他多個物理過程，便產(chǎn)生集成電路。應(yīng)用于MEMS制作的襯底可以說是各種各樣的，如硅晶圓、玻璃晶圓、塑料、還其他的材料。阜新微納加工器件 微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元...

微納加工技術(shù)的發(fā)展，將促進納米光電子器件向更深更廣的方向發(fā)展。微納加工的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)在光電子領(lǐng)域帶來許多新的量子物理效應(yīng)，如量子點的庫侖阻塞效應(yīng)和光子輔助隧穿效應(yīng)，光子晶體的光子帶隙效應(yīng)等。對這些新的納米結(jié)構(gòu)帶來的新現(xiàn)象的研究將為研制新原理基礎(chǔ)上的新器件打下基礎(chǔ)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊...

微納加工技術(shù)也可分為機械加工、化學(xué)腐蝕、能量束加工、復(fù)合加工、隧道掃描顯微技術(shù)加工等方法。機械加工方法包括單晶金剛石刀具的超精密切割、金剛石砂輪和CBN砂輪的超精密磨削和鏡面磨削、磨削、砂帶拋光等固定磨料工具的加工、磨削、拋光等自由磨料的加工。能束加工可以去除加工對象、添加和表面改性。例如，激光切割、鉆孔和表面硬化改性。光刻、焊接、微米和納米鉆孔、切割、離子和等離子體蝕刻等。能量束的加工方法還包括電火花加工、電化學(xué)加工、電解射流加工、分子束延伸等。微納加工是的技術(shù)，可以進行原子級操作和原子去除、添加和搬遷。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器...

在過去的二十年中，微機電系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機械及其子領(lǐng)域，微流體學(xué)片上實驗室，光學(xué)MEMS、RFMEMS、PowerMEMS、BioMEMS及其擴展到納米級（例如，用于納米機電系統(tǒng)的NEMS)已經(jīng)重新使用，調(diào)整或擴展了微制造方法。平板顯示器和太陽能電池也正在使用類似的技術(shù)。各種設(shè)備的小型化在科學(xué)與工程的許多領(lǐng)域提出了挑戰(zhàn)：物理、化學(xué)、材料科學(xué)、計算機科學(xué)、超精密工程、制造工藝和設(shè)備設(shè)計。它也引起了各種各樣的跨學(xué)科研究。微納加工的主要概念和原理是微光刻、摻雜、薄膜、蝕刻、粘接和拋光。機械微加工是微納制造中較方便，也較接近傳統(tǒng)材料加工方式的微成型技術(shù)！清遠微納加工在微納加工過程中，薄膜的...

微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計、加工、組裝、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù)，涉及領(lǐng)域廣、多學(xué)科交叉融合，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列專門用技術(shù)，研制微型傳感器、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化、批量化、成本低的鮮明特點，微納加工技術(shù)對現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進MEMS器件的關(guān)鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴格。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快、各向異性較強、污染少等優(yōu)點脫穎而出，成為MEMS器件加工的關(guān)鍵技術(shù)...

微納加工是指制造特征尺寸以納米為單位的結(jié)構(gòu)，尤其是側(cè)面小于20納米的結(jié)構(gòu)。目前的技術(shù)大多只允許在二維意義上進行微納加工。納加工通常用于制造計算機芯片，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)是計算機行業(yè)的支柱，可用于創(chuàng)建尺寸小于22m的特征，雖然這是非常昂貴的，而目且目前還不被認為是經(jīng)濟有效的。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高級的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平...

微納加工技術(shù)是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質(zhì)量的制造業(yè)水平的標志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種。很顯然，微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系。微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類。“自上而下”是從宏觀對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ)，對材料或原料進行加工，小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定?！白韵露稀奔夹g(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起，形成微納結(jié)構(gòu)與器件。干...

微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝。在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學(xué)氣相沉積（CVD）是典型的化學(xué)方法而等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）是物理與化學(xué)相...

在過去的二十年中，微機電系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機械及其子領(lǐng)域，微流體學(xué)片上實驗室，光學(xué)MEMS、RFMEMS、PowerMEMS、BioMEMS及其擴展到納米級（例如，用于納米機電系統(tǒng)的NEMS)已經(jīng)重新使用，調(diào)整或擴展了微制造方法。平板顯示器和太陽能電池也正在使用類似的技術(shù)。各種設(shè)備的小型化在科學(xué)與工程的許多領(lǐng)域提出了挑戰(zhàn)：物理、化學(xué)、材料科學(xué)、計算機科學(xué)、超精密工程、制造工藝和設(shè)備設(shè)計。它也引起了各種各樣的跨學(xué)科研究。微納加工的主要概念和原理是微光刻、摻雜、薄膜、蝕刻、粘接和拋光。微納加工按技術(shù)分類，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。商洛微納加工工藝 微納加工技術(shù)...

光刻是半導(dǎo)體制造中常用的技術(shù)之一，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎(chǔ)。然而，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應(yīng)的光學(xué)掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術(shù)，導(dǎo)致其價格都相對昂貴。因此，無掩模的高速制備法是微納結(jié)構(gòu)制備的優(yōu)先方法。在這些無掩模方法中，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術(shù)，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量。但是，實際應(yīng)用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高。微納加工平臺，主要是兩個方面：微納加工、微納檢測。新鄉(xiāng)微納加工廠家 微納加工是指制造特征尺寸以...

光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。在我國，微納制造技術(shù)同樣是重點發(fā)展...

微納加工中蒸鍍的物理過程包括：沉積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸發(fā)源向基片表面輸送→氣態(tài)粒子附著在基片表面形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構(gòu)或產(chǎn)生化學(xué)鍵合。將襯底放入真空室內(nèi)，以電阻、電子束、激光等方法加熱膜料，使膜料蒸發(fā)或升華，氣化為具有一定能量（～eV）的粒子（原子、分子或原子團）。氣態(tài)粒子以基本無碰撞的直線運動飛速傳送至襯底，到達襯底表面的粒子一部分被反射，另一部分吸附在襯底上并發(fā)生表面擴散，沉積原子之間產(chǎn)生二維碰撞，形成簇團，有的可能在表面短時停留后又蒸發(fā)。粒子簇團不斷地與擴散粒子相碰撞，或吸附單粒子，或放出單粒子。此過程反復(fù)進行，當聚集的粒子數(shù)超過某一臨界值時...

微納加工是指制造特征尺寸以納米為單位的結(jié)構(gòu)，尤其是側(cè)面小于20納米的結(jié)構(gòu)。目前的技術(shù)大多只允許在二維意義上進行微納加工。納加工通常用于制造計算機芯片，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)是計算機行業(yè)的支柱，可用于創(chuàng)建尺寸小于22m的特征，雖然這是非常昂貴的，而目且目前還不被認為是經(jīng)濟有效的。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高級的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平...

高精度的微細結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術(shù)，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術(shù)適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作。近年來，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺階微光學(xué)元件等。據(jù)悉，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學(xué)元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進行制作。直寫技術(shù)，通過在光束移動過程中進行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié)，可以...

微納制造可以應(yīng)用在什么哪些領(lǐng)域？微納制造作為國家新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大關(guān)鍵技術(shù)之一，對國家裝備實力和國民經(jīng)濟技術(shù)的發(fā)展起到重要作用。微納制造技術(shù)的進步，推動著三大前沿科技的發(fā)展：生物技術(shù)、信息技術(shù)、納米技術(shù)。由于微納制造技術(shù)產(chǎn)品有體積小、集成度高、重量輕、智能化程度高等諸多優(yōu)點，在信息科學(xué)、生物醫(yī)療、航空航天等領(lǐng)域廣的應(yīng)用。微納加工技術(shù)是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質(zhì)量的制造業(yè)水平的標志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種。很顯然，微納加工技術(shù)與...

作為前沿加工技術(shù)，飛秒激光加工具有熱影響區(qū)小、與材料相互作用呈非線性過程、超出衍射極限的高分辨率加工等特點，可以實現(xiàn)對各種材料的高質(zhì)量、高精度微納米加工和三維微納結(jié)構(gòu)制造。飛秒激光對材料的加工方式靈活多樣，既可實現(xiàn)增材、減材和等材制造，又能夠以激光直寫和激光并行加工的方式制備微納結(jié)構(gòu)。其中，飛秒激光直寫通常用于復(fù)雜、不規(guī)則的微納結(jié)構(gòu)加工，具有較高的空間分辨率、加工靈活性和自由度，然而鑒于其逐點加工的技術(shù)特點，加工效率較低；飛秒激光并行加工包括基于數(shù)字微鏡器件的光刻技術(shù)、空間光調(diào)制器和激光干涉加工等方法，具有較高的加工效率，但無法加工任意三維微結(jié)構(gòu)。飛秒激光加工方式各有優(yōu)缺點，可以...