碳化硅廠家電話(huà)

與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應(yīng)用，如電源、太陽(yáng)能逆變器、火車(chē)和風(fēng)力渦輪機(jī)。另外，SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項(xiàng)指標(biāo)均優(yōu)于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達(dá)600℃，遠(yuǎn)高于硅器件工作溫度。技術(shù)成熟度較高，應(yīng)用潛力較大。碳化硅器件具有更低的導(dǎo)通電阻。在低擊穿電壓 (約 50V 下）,碳化硅器件的比導(dǎo)通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類(lèi)器件的約 1/100。在高擊穿電壓 (約 5kV 下）,比導(dǎo)通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類(lèi)器件的約 1/300。 更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗,從而能獲得更高的整機(jī)效率。碳化硅高溫時(shí)能抗氧化。碳化硅廠家電話(huà)

碳化硅可以抵受的電壓或電場(chǎng)八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導(dǎo)體, 導(dǎo)熱特性?xún)?yōu)于任何其它半導(dǎo)體材料。事實(shí)上, 在室溫條件下, 其熱傳導(dǎo)率高于任何其它金屬，這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作。為采用SiC SBDs的小功率EV 車(chē)載逆變器散熱片體積和采用傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體器件散熱片體積的對(duì)比，可看出，采用SiCSBDs 器件散熱片的體積有效減小。對(duì)于主流的大功率HEV，一般包含兩套水冷系統(tǒng)，一套是引擎冷卻系統(tǒng)，冷卻溫度約105℃，另一套是電力電子設(shè)備的冷卻系統(tǒng)，冷卻溫度約為70℃。 虹口區(qū)碳化硅要多少錢(qián)碳化硅被普遍應(yīng)用于煉鋼脫氧、鑄造球墨化、耐磨制品生產(chǎn)等領(lǐng)域。

在模塊層面上，SiC主要有兩個(gè)好處：更小的芯片尺寸和更低的動(dòng)態(tài)損耗。在系統(tǒng)層面上，這些優(yōu)勢(shì)可被以多種方式利用。低動(dòng)態(tài)損耗帶來(lái)輸出功率的明顯增加，將提供減輕重量和減小體積的機(jī)會(huì)。值得一提的是，無(wú)需額外的冷卻能力就可實(shí)現(xiàn)功率的增加。因?yàn)榕c硅器件相比，SiC帶來(lái)實(shí)際的損耗減少，可能在相同的冷卻條件下得到更高的輸出功率。低的功率損耗能提高能效，允許設(shè)計(jì)高效率的逆變器，例如用于太陽(yáng)能和UPS應(yīng)用。此外，低動(dòng)態(tài)損耗使得SiC器件非常適用于20kHz以上的較高開(kāi)關(guān)頻率。利用高開(kāi)關(guān)頻率，可以減少LC濾波器的成本和尺寸。根據(jù)所使用的芯片面積，在4kHz的低開(kāi)關(guān)頻率下也可以展示SiC的優(yōu)點(diǎn)。SiC的其它優(yōu)點(diǎn)涉及到增強(qiáng)的散熱和正溫度系數(shù)，這對(duì)并聯(lián)的的SiC芯片很重要。所有這一切都使得SiC在普遍的可能應(yīng)用范圍內(nèi)成為非常有吸引力的材料。

該電爐所用的燒成方法俗稱(chēng)：埋粉燒成。它一通電即為加熱開(kāi)始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高（2600～2700℃），爐料達(dá)到1450℃時(shí)開(kāi)始合成SiC（但SiC主要是在≥1800℃時(shí)形成），且放出CO。。然而，≥2600℃時(shí)SiC會(huì)分解，但分解出的Si又會(huì)與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產(chǎn)時(shí)只對(duì)單一電爐供電，以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來(lái)基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應(yīng)基本結(jié)束，再經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的冷卻就可以拆除側(cè)墻，然后逐步取出爐料。綠碳化硅含SiC約97%以上，自銳性好、鈦合金和光學(xué)玻璃，用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。

碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性的晶體生長(zhǎng)工藝則是其中較重要的技術(shù)。之前，這項(xiàng)技術(shù)只掌握在美國(guó)人手里，且長(zhǎng)期對(duì)我國(guó)技術(shù)封鎖。過(guò)去，我國(guó)的半導(dǎo)體材料長(zhǎng)期依賴(lài)國(guó)外進(jìn)口，由此帶來(lái)的問(wèn)題就是半導(dǎo)體材料價(jià)格昂貴、渠道不穩(wěn)，隨時(shí)都可能面對(duì)禁運(yùn)的風(fēng)險(xiǎn)，而且產(chǎn)品的質(zhì)量也難以得到有效保證，國(guó)人備受半導(dǎo)體材料和重要技術(shù) “卡脖子”之痛。碳化硅晶體的生長(zhǎng)條件十分嚴(yán)苛，不只需要經(jīng)歷高溫還需要壓力精確控制的生長(zhǎng)環(huán)境，同時(shí)這些晶體的生長(zhǎng)速度很緩慢，生長(zhǎng)質(zhì)量也不易控制。在生長(zhǎng)的過(guò)程中即便只出現(xiàn)一絲肉眼無(wú)法察覺(jué)的管洞，也可能影響這個(gè)晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量。碳化硅晶體的生長(zhǎng)過(guò)程就如同“蒙眼繡花”一樣，因?yàn)闇囟忍?，難以進(jìn)行人工干預(yù)，所以晶體的生長(zhǎng)過(guò)程十分容易遭到擾動(dòng)，而如何在苛刻的生長(zhǎng)條件下穩(wěn)定生長(zhǎng)環(huán)境恰恰又是晶體生長(zhǎng)較重要的技術(shù)。要想生產(chǎn)出高質(zhì)量的碳化硅晶片，就必須攻克這些技術(shù)難關(guān)。 碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個(gè)常用的基本品種，都屬α-SiC。普陀區(qū)碳化硅供應(yīng)商

同成型壓力對(duì)粘土質(zhì)碳化硅制品質(zhì)量的影響還是非常大的。碳化硅廠家電話(huà)

近期，基板質(zhì)量的進(jìn)步已經(jīng)導(dǎo)致SiC器件的良率和可靠性的顯著提高。襯底的這種可用性以及更高的可用性極大地提高了這些晶體管的效率和制造成本，從而促進(jìn)了它們?cè)谥T如車(chē)載充電器和牽引逆變器之類(lèi)的電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)中的普遍采用。憑借SiC晶體管可實(shí)現(xiàn)更高效率和更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而減小了磁性元件的尺寸，WBG材料推動(dòng)了SiC在工業(yè)市場(chǎng)上許多功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的采用，這是汽車(chē)應(yīng)用所獲得的收益。碳化硅（SiC）是碳和硅的化合物，碳化硅單晶材料目前采用物相輸運(yùn)（PVT）法，在超過(guò)2000℃的高溫下，將碳粉和硅粉通過(guò)高溫分解成原子，通過(guò)溫度控制沉積在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶體。 碳化硅廠家電話(huà)

上海鈰威新材料科技有限公司目前已成為一家集產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售相結(jié)合的貿(mào)易型企業(yè)。公司成立于2013-12-09，自成立以來(lái)一直秉承自我研發(fā)與技術(shù)引進(jìn)相結(jié)合的科技發(fā)展戰(zhàn)略。本公司主要從事增碳劑，硅鐵，碳化硅，鉻鐵領(lǐng)域內(nèi)的增碳劑，硅鐵，碳化硅，鉻鐵等產(chǎn)品的研究開(kāi)發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng)、成果豐碩的技術(shù)隊(duì)伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長(zhǎng)期合作的關(guān)系。鈰威致力于開(kāi)拓國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，與冶金礦產(chǎn)行業(yè)內(nèi)企業(yè)建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的伙伴關(guān)系，公司以產(chǎn)品質(zhì)量及良好的售后服務(wù)，獲得客戶(hù)及業(yè)內(nèi)的一致好評(píng)。上海鈰威新材料科技有限公司本著先做人，后做事，誠(chéng)信為本的態(tài)度，立志于為客戶(hù)提供增碳劑，硅鐵，碳化硅，鉻鐵行業(yè)解決方案，節(jié)省客戶(hù)成本。歡迎新老客戶(hù)來(lái)電咨詢(xún)。