徐匯區(qū)碳化硅廠商

來源: 發(fā)布時間:2023-03-29

碳化硅主要有四大應(yīng)用領(lǐng)域,即:功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng),不能算高新技術(shù)產(chǎn)品,而技術(shù)含量極高 的納米級碳化硅粉體的應(yīng)用短時間不可能形成規(guī)模經(jīng)濟。 ⑴ 作為磨料,可用來做磨具,如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。 ⑵ 作為冶金脫氧劑和耐高溫材料。 ⑶ 高純度的單晶,可用于制造半導(dǎo)體、制造碳化硅纖維。 主要用途:用于3-12英寸單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體等線切割。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)工程性加工材料。 碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。徐匯區(qū)碳化硅廠商

開關(guān)頻率高于20KHz時,全SiC模塊的輸出功率比IGBT模塊高100%以上。此外,輸出功率對開關(guān)頻率的依賴也小。反過來,全SiC功率模塊可用于非常高的開關(guān)頻率,因為與10kHz時的輸出功率相比,40kHz時的輸出功率只低28%。當(dāng)開關(guān)頻率低于5kHz時,IGBT模塊顯示出較高的輸出功率。這是以內(nèi)全SiC的模塊中所用的SiC芯片組是針對非常高的開關(guān)頻率而優(yōu)化的。針對較低開關(guān)頻率的優(yōu)化也是可能的。再次,通過考慮用于硅和SiC芯片的芯片面積,來處理這兩個模塊的功率密度是有用的。在圖4b中,輸出功率除以芯片面積得到功率密度。 楊浦區(qū)碳化硅廠家定制β-碳化硅,立方晶系結(jié)構(gòu),與鉆石相似,則在低于2000 °C生成,結(jié)構(gòu)如頁面所示。

碳化硅,是一種無機物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用較普遍、較經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實驗時,在實驗室偶然發(fā)現(xiàn)的一種碳化物,當(dāng)時誤認為是金剛石的混合體,故取名金剛砂,1893年艾奇遜研究出來了工業(yè)冶煉碳化硅的方法,也就是大家常說的艾奇遜爐,一直沿用至今,以碳質(zhì)材料為爐芯體的電阻爐,通電加熱石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。

純碳化硅為無色,而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產(chǎn)生之二氧化硅保護層所致。純碳化硅是無色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍乃至黑色,透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體,已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)越石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊,經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。我國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體.

碳化硅半導(dǎo)體材料的革新:碳化硅基功率器件性能優(yōu)于硅基器件,更高效,更節(jié)能,更輕便!隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的日益普及,需要在高溫和苛刻的電流循環(huán)條件下,對二極管操作進行各種耐久性測試,以評估其性能。毫無疑問,功率電子器件作為基本元器件,將在未來幾年中持續(xù)發(fā)展。而新型碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料更是不負眾望,它比傳統(tǒng)硅材料導(dǎo)熱性更佳、開關(guān)速度更高,而且可以使器件尺寸做到更小。因此,碳化硅開關(guān)也成為設(shè)計人員的新寵。碳化硅二極管主要為肖特基二極管。一款商用碳化硅肖特基二極管十多年前就已推出。碳化硅作為磨料,可用來做磨具,如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。楊浦區(qū)碳化硅廠家定制

在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上,不少人試著用它來取代硅。徐匯區(qū)碳化硅廠商

目前用直拉法,72小時能生長出2-3米左右的硅單晶棒,一根單晶棒一次能切下上千片硅片。你知道72小時能長多少厚碳化硅單晶體嗎?只有幾厘米都不到!?。∧壳拜^快的碳化硅單晶生長的方法,生長速度在0.1mm/h-0.2mm/h左右,因此72小時也只有7.2mm~14.4mm厚度的晶體。所以大家可以想象,生產(chǎn)出來的碳化硅單晶片能貴成啥樣了。目前4英寸碳化硅襯底售價在2000-3000元左右,6英寸襯底更是達到6000-8000元的水平,外延片至少再X2的價格以上,而且還有價無貨。徐匯區(qū)碳化硅廠商

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