目前，彈/箭上使用的無刷直流電機(jī)或電動(dòng)舵機(jī)的功率日趨增加，對(duì)于無刷直流電機(jī)或電動(dòng)舵機(jī)的驅(qū)動(dòng)器來說，因彈/箭上電池電壓的限制，只有提升電流才能輸出足夠的功率。而大的電流帶來了更大的耗散功率和發(fā)熱量，這就會(huì)增加驅(qū)動(dòng)器的體積、重量，無形中就增加了彈/箭的無效載荷，縮短了射程。碳化硅肖特基二極管所具有的耐高溫、反向恢復(fù)電流為零的特性，可極大地提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能，減小耗散功率、體積和重量，提高產(chǎn)品的可靠性。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經(jīng)過各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過一般的磨料。 碳化硅在大自然也存在于罕見的礦物，莫桑石中。金山區(qū)碳化硅哪家好
碳化硅磨料通常以石英、石油焦炭為主要原料。它們?cè)趥淞瞎ば蛑薪?jīng)過機(jī)械加工，成為合適的粒度，然后按照化學(xué)計(jì)算，混合成為爐料。磨料調(diào)節(jié)爐料的透氣性，在配爐料時(shí)要加適量的木屑。制煉綠碳化硅時(shí)，爐料中還要加適量的食鹽。生產(chǎn)操作：采用混料機(jī)混料，控制水分為2%~3%，裝料順序是在爐底先鋪上一層未反應(yīng)料，然后添加新配料到一定高度，在其上面鋪一層非晶形料，然后繼續(xù)加配料至爐芯水平，爐子裝好后即可通電合成，以電流電壓強(qiáng)度來控制反應(yīng)過程。在生產(chǎn)碳化硅時(shí)，爐芯放在配料制成的底盤上，中間略凸起以適應(yīng)在爐役過程中出現(xiàn)的塌陷。爐芯上部鋪放混好的配料，同時(shí)也放非晶質(zhì)料或生產(chǎn)未反應(yīng)料，爐子裝好后形成中間高、兩邊低。爐子裝好后即可通電合成，以電流電壓強(qiáng)度來控制反應(yīng)過程。破碎后用硫酸酸洗，除掉合成料中的鐵、鋁、鈣、鎂等雜質(zhì)。金山區(qū)碳化硅哪家好一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。
在選購(gòu)好碳化硅后，對(duì)于碳化硅的存放也是不容忽視的。常見的碳化硅多為碳化硅粉，在冶煉中使用，雖然可以提升反應(yīng)速率，但是若是存放不當(dāng)，也很容易造成碳化硅的失效。因此在存放碳化硅是應(yīng)當(dāng)放置在陰涼干燥的室內(nèi)，避免陽(yáng)光的照射。 黑碳化硅質(zhì)地比剛玉磨料性脆，硬度較硬，其韌性也次于剛玉類磨料，對(duì)于抗拉強(qiáng)度較低的材料，如非金屬材料（各種板材如木質(zhì)膠合板、刨花板、高中低密度纖維板、竹質(zhì)板、硅酸鈣板、皮革、玻璃、陶瓷、石材等）和有色金屬（鋁、銅、鉛等）等材料的加工尤為適宜，對(duì)質(zhì)地堅(jiān)硬而脆性材料的加工也是比較理想的磨料。綠碳化硅比黑碳化硅的質(zhì)地更純,硬度比黑碳化硅還要高,其磨削用途與黑碳化硅相同之外,更適合用于材料的精磨如磨螺紋、磨量具等,在磨削材料上更多的用于硬質(zhì)合金、金剛石制品的工件。
二級(jí)品碳化硅， 該層已經(jīng)成α-SiC，但結(jié)晶較小，很脆弱，雜質(zhì)也較多，碳化硅含量只有90~95%，還不能作磨料用。二級(jí)品與無定形物外觀上很易分辨。無定形物層β-SiC如粉末狀，無光澤，而二級(jí)品為六方結(jié)晶體，晶面清晰，有光澤，如鏡面反光。二級(jí)品與一級(jí)品無本質(zhì)上的差別，在結(jié)晶筒上分為二級(jí)品層與一級(jí)品層，完全是人為地按用途及質(zhì)量要求劃分的。而上述的其他料層，有些則是物料本質(zhì)不同，外觀差別很大；有些則自然粘結(jié)成層。與無定形物一樣，二級(jí)品層有時(shí)也有小泡狀空洞。一級(jí)品碳化硅結(jié)晶塊，這是電阻爐的主要產(chǎn)品，是粗大的α-SiC結(jié)晶，SiC含量在96%以上。其厚度視爐功率及部位不同為50~450mm不等。結(jié)晶粗大緊密，有黑色的或綠色的。碳化硅可以利用硅與氧元素之間的親和作用來脫氧。
與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應(yīng)用，如電源、太陽(yáng)能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。另外，SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項(xiàng)指標(biāo)均優(yōu)于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達(dá)600℃，遠(yuǎn)高于硅器件工作溫度。技術(shù)成熟度較高，應(yīng)用潛力較大。碳化硅器件具有更低的導(dǎo)通電阻。在低擊穿電壓 (約 50V 下）,碳化硅器件的比導(dǎo)通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100。在高擊穿電壓 (約 5kV 下）,比導(dǎo)通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類器件的約 1/300。 更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗,從而能獲得更高的整機(jī)效率。碳化硅高溫時(shí)能抗氧化。金山區(qū)碳化硅工廠
由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場(chǎng)強(qiáng)度及高較大電流密度。金山區(qū)碳化硅哪家好
因?yàn)橛泊嗖牧系目估瓘?qiáng)度比抗壓強(qiáng)度要小，對(duì)磨粒施加載荷時(shí)，會(huì)在硬脆材料表面的拉伸應(yīng)力的較大處產(chǎn)生微裂紋。當(dāng)縱橫交錯(cuò)的裂紋延伸且相互交叉時(shí)，受裂紋包圍的部分就會(huì)破碎并崩離出小碎塊。此為硬脆材料研磨時(shí)的切屑生成和表面形成的基本過程。由于碳化硅材料屬于高硬脆性材料，需要采用專門用的研磨液，碳化硅研磨的主要技術(shù)難點(diǎn)在于高硬度材料減薄厚度的精確測(cè)量及控制，磨削后晶圓表面出現(xiàn)損傷、微裂紋和殘余應(yīng)力，碳化硅晶圓減薄后會(huì)產(chǎn)生比碳化硅晶圓更大的翹曲現(xiàn)象。 金山區(qū)碳化硅哪家好
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