天津DDR測試方案商

來源: 發(fā)布時間:2025-05-04

一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計算機測試技術(shù)領(lǐng)域,尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)。背景技術(shù):2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用,測量服務(wù)器內(nèi)存的信號完整性是否符合標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過程中必不可少的重要流程。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存,為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,ddr4鏈路的測試對服務(wù)器存儲性能評估有著至關(guān)重要的影響。3.目前服務(wù)器ddr4信號的測試無法進行正常工作狀態(tài)的讀寫分離,只能利用主控芯片進行讀寫命令來進行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y試,效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形,在信號完整性測試上有比較大的風(fēng)險。DDR內(nèi)存條電路原理圖;天津DDR測試方案商

天津DDR測試方案商,DDR測試

1.目前,比較普遍使用中的DDR2的速度已經(jīng)高達800Mbps,甚至更高的速度,如1066Mbps,而DDR3的速度已經(jīng)高達1600Mbps。對于如此高的速度,從PCB的設(shè)計角度來幫大家分析,要做到嚴(yán)格的時序匹配,以滿足信號的完整性,這里有很多的因素需要考慮,所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯(lián)拓?fù)?、時延匹配、串?dāng)_、信號及電源完整性和時序,目前,有很多EDA工具可以對它們進行很好的計算和仿真,其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術(shù)要求和專有的技術(shù)要求天津DDR測試方案商DDR3信號質(zhì)量自動測試軟件報告;

天津DDR測試方案商,DDR測試

9.DIMM之前介紹的大部分規(guī)則都適合于在PCB上含有一個或更多的DIMM,獨有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區(qū)別。在DIMM組里,對于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里,帶有少的短線菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和樹形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是適用的。

10.案例上面所介紹的相關(guān)規(guī)則,在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里,都已經(jīng)得到普遍的應(yīng)用。在下面的案例中,我們采用MOSAID公司的控制器,它提供了對DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面,采用了IBIS模型,其存儲器的模型來自MICRONTechnolgy,Inc。對于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在這里,數(shù)據(jù)是操作是在1600Mbps下的。對于不帶緩存(unbufferedDIMM(MT_DDR3_0542cc)EBD模型是來自MicronTechnology,下面所有的波形都是采用通常的測試方法,且是在SDRAMdie級進行計算和仿真的。

對于DDR2-800,這所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都適用,只是有少許的差別。然而,也是知道的,菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)被證明在SI方面是具有優(yōu)勢的。對于超過兩片的SDRAM,通常,是根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設(shè)計的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,只有A和D是適合4層板的PCB設(shè)計。然而,對于DDR2-800,所列的這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都能滿足其波形的完整性,而在DDR3的設(shè)計中,特別是在1600Mbps時,則只有D是滿足設(shè)計的。DDR規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義;

天津DDR測試方案商,DDR測試

DDR測試

什么是DDR?

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態(tài)隨機內(nèi)存(DRAM)非常相象。普通同步DRAM(現(xiàn)在被稱為SDR)與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節(jié)省輸入管腳,采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通(RAS)鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后,列地址選通(CAS)鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS,存儲的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動態(tài)隨機內(nèi)存(SDRDRAM)將時鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合,RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據(jù)時鐘指示,可以預(yù)測數(shù)據(jù)和其它信號的位置。因而,數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計性,所以可將內(nèi)存劃分成4個組進行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過突發(fā)模式,可進行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對來自相同行的數(shù)據(jù)進行讀取。 DDR信號質(zhì)量的測試方法、測試裝置與測試設(shè)備與流程;天津DDR測試方案商

DDR的信號探測技術(shù)方法;天津DDR測試方案商

什麼是DDR內(nèi)存?如何測試?

近幾年來,CPU的速度呈指數(shù)倍增長。然而,計算機內(nèi)存的速度增長確不盡人意。在1999年,大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間,英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時代,每一種新技術(shù)的出現(xiàn),就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為:內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會在實際使用過程中得到充分體現(xiàn):3維游戲的速度更快,MP3音樂的播放更加柔和,MPEG視頻運動圖像質(zhì)量更好。今年,一種新型內(nèi)存:DDR內(nèi)存面世了。對大多數(shù)人來說,DDR仍然是一個陌生的名詞,然而,它確是數(shù)以百計前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計師3年來通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高,然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點是DDR的價格更低。 天津DDR測試方案商