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發(fā)布時間:2025-07-09
超表面通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場,傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)在石英基底上實現(xiàn)了亞波長量級的圖案曝光,將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實驗室利用該設(shè)備,研制出寬帶消色差超表面透鏡,在 400-1000nm 波長范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù),使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時,推動超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。亞微米級精度:0.8 mmost小線寬,支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。安徽光刻機(jī)光源波長405微米
Polos系列通過無掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生,同時低能耗設(shè)計(如固態(tài)激光光源)符合綠色實驗室標(biāo)準(zhǔn)。例如,其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%,助力科研機(jī)構(gòu)實現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。安徽桌面無掩模光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化光束引擎高速掃描:SPS POLOS 單次寫入400 m區(qū)域,壓電驅(qū)動提升掃描速度。
針對碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備,將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%,開關(guān)損耗減少 20%,推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結(jié)構(gòu),使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。
在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時,Polos 光刻機(jī)的亞微米級定位精度(±50nm)確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實驗室使用該設(shè)備,在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列,模板的圖案保真度達(dá) 99.8%,邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產(chǎn)的柔性 OLED 背光模組,亮度均勻性提升至 98%,厚度減至 50μm,成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機(jī),相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。6英寸晶圓兼容:Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工,工業(yè)級重復(fù)精度0.1 m。
一所高校的電子工程實驗室專注于新型傳感器的研究。在開發(fā)一款超靈敏壓力傳感器時,面臨著如何在微小尺寸上構(gòu)建高精度電路圖案的難題。德國 Polos 光刻機(jī)的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光的特性,讓研究人員能夠根據(jù)傳感器的特殊需求,設(shè)計并制作出獨特的電路結(jié)構(gòu)。通過 Polos 光刻機(jī)precise的光刻,成功制造出的壓力傳感器,靈敏度比現(xiàn)有市場產(chǎn)品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項patent,并吸引了多家科技企業(yè)的關(guān)注,有望實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,為可穿戴設(shè)備、智能機(jī)器人等領(lǐng)域帶來新的發(fā)展機(jī)遇。Polos-BESM XL:加大加工幅面,滿足中尺寸器件一次性成型需求。安徽光刻機(jī)光源波長405微米
用戶案例broad:全球超500家科研機(jī)構(gòu)采用,覆蓋高校、研究所與企業(yè)實驗室。安徽光刻機(jī)光源波長405微米
某生物力學(xué)實驗室通過 Polos 光刻機(jī),在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細(xì)胞力傳感器。其多材料曝光技術(shù)在 20μm 的懸臂梁上同時制備金屬電極與硅基壓阻元件,傳感器的力分辨率達(dá) 5pN,位移檢測精度達(dá) 1nm。在心肌細(xì)胞收縮力檢測中,該集成傳感器實現(xiàn)了力 - 電信號的同步采集,發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動作電位時程的相關(guān)性達(dá) 0.92,為心臟電機(jī)械耦合機(jī)制研究提供了全新工具,相關(guān)論文發(fā)表于《Biophysical Journal》。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。安徽光刻機(jī)光源波長405微米