作為中國半導體材料領域的企業(yè)，吉田半導體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略，通過 23 年技術沉淀與持續(xù)創(chuàng)新，成功突破多項 “卡脖子” 技術，構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國產(chǎn)化能力。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造、顯示面板、精密電子等領域，為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關鍵支撐。
吉田半導體依托自主研發(fā)中心與產(chǎn)學研合作，在光刻膠領域?qū)崿F(xiàn)多項技術突破：
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YK-300 正性光刻膠：分辨率達 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于 45nm 及以上制程，良率達 98% 以上，成本較進口產(chǎn)品降低 40%，已通過中芯國際量產(chǎn)驗證。
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SU-3 負性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，成功應用于高通 5G 基帶芯片封裝，良率提升至 98.5%。
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JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限，圖形保真度 > 95%，性能對標德國 MicroResist 系列，已應用于國產(chǎn) EUV 光刻機前道工藝。
光刻膠半導體領域的應用。安徽高溫光刻膠
技術挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢
更高分辨率需求：
EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標＜5nm），通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。
缺陷控制：
半導體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個/mL，需優(yōu)化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。
國產(chǎn)化突破：
國內(nèi)企業(yè)（如上海新陽、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。
環(huán)保與節(jié)能：
開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導體制造能耗）。
典型產(chǎn)品示例
傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。
DUV正性膠：信越化學的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認證的國產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點）。
EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。
正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料，其技術進步直接關聯(lián)芯片制程的突破，未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
常州LED光刻膠供應商發(fā)展戰(zhàn)略與行業(yè)地位。
國家大基金三期：注冊資本3440億元，明確將光刻膠列為重點投資領域，計劃投入超500億元支持樹脂、光引發(fā)劑等原料研發(fā)，相當于前兩期投入總和的3倍。
地方專項政策：湖北省對通過驗證的光刻膠企業(yè)給予設備采購補貼+稅收減免，武漢太紫微憑借全流程國產(chǎn)化技術獲中芯國際百萬級訂單；福建省提出2030年化工新材料自給率達90%，光刻膠是重點突破方向。
研發(fā)專項：科技部“雙十計劃”設立20億元經(jīng)費，要求2025年KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率突破10%，并啟動EUV光刻膠預研。
技術挑戰(zhàn)：
技術壁壘：EUV光刻膠、3nm以下制程材料仍處研發(fā)階段，光刻膠分辨率、靈敏度與國際水平存在差距（如東京應化ArF膠分辨率達14nm）。
供應鏈風險：樹脂、光引發(fā)劑等原材料自給率不足8%，部分依賴進口（如日本信越化學）；美國對華技術封鎖可能影響設備采購。
客戶驗證：光刻膠需通過晶圓廠全流程測試，驗證周期長（1-2年），國內(nèi)企業(yè)在頭部客戶滲透率較低。
未來展望：
短期（2025-2027年）：KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率預計提升至10%-15%，南大光電、上海新陽等企業(yè)實現(xiàn)28nm-7nm制程產(chǎn)品量產(chǎn)，部分替代日本進口。
中期（2028-2030年）：EUV光刻膠進入中試驗證階段，原材料自給率提升至30%，國內(nèi)企業(yè)在全球市場份額突破15%。
長期（2030年后）：實現(xiàn)光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控，技術指標對標國際前列，成為全球半導體材料重要供應商。
光刻膠廠家推薦吉田半導體。
主要應用場景
印刷電路板（PCB）：
通孔/線路加工：負性膠厚度可達20-50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化鐵、堿性氯化銅），適合制作大尺寸線路（線寬/線距≥50μm），如雙面板、多層板的外層電路。
阻焊層：作為絕緣保護層，覆蓋非焊盤區(qū)域，需厚膠（50-100μm）和高耐焊接溫度（260℃以上），負性膠因工藝簡單、成本低而廣泛應用。
微機電系統(tǒng)（MEMS）：
深硅蝕刻（DRIE）：負性膠作為蝕刻掩膜，厚度可達100μm以上，耐SF等強腐蝕性氣體，用于制作加速度計、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)（深寬比＞20:1）。
模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具，利用負性膠的厚膠成型能力。
平板顯示（LCD）：
彩色濾光片（CF）基板預處理：在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層，耐濕法蝕刻（如HF溶液），確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。
功率半導體與分立器件：
IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻：負性膠用于制作較寬的隔離溝槽（寬度＞10μm），耐高濃度酸堿蝕刻，降低工藝成本。
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對比國際巨頭的差異化競爭力
維度 吉田光刻膠 國際巨頭（如JSR、東京應化）
技術定位 聚焦細分市場（如納米壓印、LCD） 主導高級半導體光刻膠（ArF、EUV）
成本優(yōu)勢 原材料自主化率超80%，成本低20% 依賴進口原材料，成本高
客戶響應 48小時內(nèi)提供定制化解決方案 認證周期長（2-3年）
區(qū)域市場 東南亞、北美市占率超15% 全球市占率超60%
風險與挑戰(zhàn)
前段技術瓶頸：ArF、EUV光刻膠仍依賴進口，研發(fā)投入不足國際巨頭的1/10。
客戶認證周期：半導體光刻膠需2-3年驗證，吉田尚未進入主流晶圓廠供應鏈。
供應鏈風險：部分樹脂（如ArF用含氟樹脂）依賴日本住友電木。
安徽高溫光刻膠
