技術(shù)優(yōu)勢：23年研發(fā)沉淀與細分領(lǐng)域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，實現(xiàn)了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學器件等領(lǐng)域。
技術(shù)壁壘：公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗，掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達PPT級。
細分領(lǐng)域技術(shù)先進
納米壓印光刻膠：在納米級圖案化領(lǐng)域（如量子點顯示、生物芯片）實現(xiàn)技術(shù)突破，分辨率達3μm，填補國內(nèi)空缺。
LCD光刻膠：針對顯示面板行業(yè)需求，開發(fā)出高感光度、高對比度的光刻膠，適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù)。
研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術(shù)性企業(yè)認證，與新材料領(lǐng)域同伴們合作開發(fā)半導(dǎo)體光刻膠，計劃2025年啟動半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā)。
負性光刻膠生產(chǎn)廠家。北京光刻膠廠家
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司成立于 2023 年，總部位于東莞松山湖經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，注冊資本 2000 萬元。作為高新企業(yè)和廣東省專精特新企業(yè)，公司專注于半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、LCD 光刻膠、納米壓印光刻膠、半導(dǎo)體錫膏、焊片及靶材等領(lǐng)域。其光刻膠產(chǎn)品以高分辨率、耐蝕刻性和環(huán)保特性著稱，廣泛應(yīng)用于芯片制造、顯示面板及精密電子元件生產(chǎn)。
公司依托 23 年行業(yè)經(jīng)驗積累，構(gòu)建了完整的技術(shù)研發(fā)體系，擁有全自動化生產(chǎn)設(shè)備及多項技術(shù)。原材料均選用美國、德國、日本進口的材料，并通過 ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系認證，生產(chǎn)流程嚴格執(zhí)行 8S 現(xiàn)場管理標準，確保產(chǎn)品穩(wěn)定性與一致性。目前，吉田半導(dǎo)體已與多家世界 500 強企業(yè)及電子加工企業(yè)建立長期合作，產(chǎn)品遠銷全球市場，致力于成為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的企業(yè)。
青島阻焊油墨光刻膠國產(chǎn)廠商松山湖光刻膠廠家吉田，2000 萬級產(chǎn)能，48 小時極速交付！
吉田半導(dǎo)體水性感光膠 JT-1200：水油兼容，鋼片加工精度 ±5μm
JT-1200 水性感光膠解決鋼片加工難題，提升汽車電子部件制造精度。
針對汽車電子鋼片加工需求，吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 JT-1200 水性感光膠實現(xiàn)水油兼容性達 100%，加工精度 ±5μm。其高粘接強度與耐強酸強堿特性，確保復(fù)雜結(jié)構(gòu)的長期可靠性。其涂布性能優(yōu)良，易做精細網(wǎng)點，適用于安全氣囊傳感器、車載攝像頭模組等精密部件。產(chǎn)品通過 IATF 16949 汽車行業(yè)認證，生產(chǎn)過程嚴格控制金屬離子含量，確保電子產(chǎn)品可靠性。
吉田半導(dǎo)體 SU-3 負性光刻膠：國產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝
自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導(dǎo)體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復(fù)雜圖形的完整性，已應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與工藝，不采用國外材料，成本較進口產(chǎn)品降低 40%，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%，為國產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐。
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關(guān)鍵工藝流程
涂布：
在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整），需均勻無氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。
前烘（Soft Bake）：
加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強附著力（避免顯影時邊緣剝離）。
曝光：
光源匹配：
G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。
DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲芯片）。
EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級缺陷）。
曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm），避免過曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。
顯影：
采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區(qū)域膠膜溶解，未曝光區(qū)域保留，形成三維立體圖案。
后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
化學增幅型膠需此步驟，通過加熱（90-130℃）激發(fā)光酸催化反應(yīng)，提高分辨率和耐蝕刻性。
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吉田半導(dǎo)體強化研發(fā)，布局下一代光刻技術(shù)。北京光刻膠廠家
定義與特性
正性光刻膠是一種在曝光后，曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案一致的圖形。與負性光刻膠（未曝光區(qū)域溶解）相比，其優(yōu)勢是分辨率高、圖案邊緣清晰，是半導(dǎo)體制造（尤其是制程）的主流選擇。
化學組成與工作原理
主要成分
樹脂（成膜劑）：
傳統(tǒng)正性膠：采用**酚醛樹脂（Novolak）與重氮萘醌（DNQ，光敏劑）**的復(fù)合體系（PAC體系），占比約80%-90%。
化學增幅型（用于DUV/EUV）：含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物，搭配光酸發(fā)生器（PAG），通過酸催化反應(yīng)提高感光度和分辨率。
溶劑：溶解樹脂和感光劑，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。
添加劑：表面活性劑（改善涂布均勻性）、穩(wěn)定劑（防止暗反應(yīng)）、堿溶解度調(diào)節(jié)劑等。
工作原理
曝光前：光敏劑（如DNQ）與樹脂結(jié)合，形成不溶于堿性顯影液的復(fù)合物。
曝光時：
傳統(tǒng)PAC體系：DNQ在紫外光（G線436nm、I線365nm）照射下發(fā)生光分解，生成羧酸，使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。
化學增幅型：PAG在DUV/EUV光下產(chǎn)生活性酸，催化樹脂發(fā)生脫保護反應(yīng)，大幅提高顯影速率（靈敏度提升10倍以上）。
顯影后：曝光區(qū)域溶解去除，未曝光區(qū)域保留，形成正性圖案。
北京光刻膠廠家
