沈陽制版光刻膠感光膠 吉田半導體供應

發(fā)貨地點:廣東省東莞市

發(fā)布時間:2025-05-14

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詳細信息

 半導體集成電路

應用場景:

晶圓制造:正性膠為主(如ArF/EUV膠),實現(xiàn)20nm以下線寬,用于晶體管柵極、接觸孔等精細結構;

封裝工藝:負性膠用于凸點(Bump)制造,厚膠(5-50μm)耐電鍍溶液腐蝕。

關鍵要求:高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝(如150℃以上高溫、等離子體轟擊)。

 印刷電路板(PCB)

應用場景:

線路成像:負性膠(如環(huán)化橡膠膠)用于雙面板/多層板外層線路,線寬≥50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化銅);

阻焊層:厚負性膠(50-100μm)覆蓋非焊盤區(qū)域,耐260℃焊接溫度和助焊劑腐蝕;

撓性PCB(FPC):正性膠用于精細線路(線寬≤20μm),需耐彎曲應力。

優(yōu)勢:工藝簡單、成本低,適合大面積基板(如1.2m×1.0m的PCB基板)。

 平板顯示

應用場景:

彩色濾光片:正性膠制作黑矩陣(BM)和RGB色阻間隔層,耐UV固化和濕法蝕刻(如HF溶液);

OLED像素定義:負性膠形成像素開口(孔徑5-50μm),耐有機溶劑(如OLED蒸鍍前的清洗液);

觸控面板:正性膠制作透明電極(如ITO線路),線寬≤10μm,需透光率>90%。

關鍵參數(shù):高透光性、低收縮率(避免圖案變形)。

感光膠的工藝和應用。沈陽制版光刻膠感光膠

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 綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟
公司采用水性光刻膠技術,溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%,符合歐盟REACH法規(guī)和國內環(huán)保標準。同時,其光刻膠廢液回收項目已投產(chǎn),通過膜分離+精餾技術實現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用,年減排VOCs(揮發(fā)性有機物)超100噸。

 低碳供應鏈管理
吉田半導體與上游供應商合作開發(fā)生物基樹脂,部分產(chǎn)品采用可再生原料(如植物基丙烯酸酯),碳排放強度較傳統(tǒng)工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領域獲得客戶青睞,相關訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。
常州納米壓印光刻膠生產(chǎn)廠家負性光刻膠生產(chǎn)廠家。

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定義與特性

正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負性光刻膠(未曝光區(qū)域溶解)相比,其優(yōu)勢是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導體制造(尤其是制程)的主流選擇。

化學組成與工作原理

 主要成分

樹脂(成膜劑):

傳統(tǒng)正性膠:采用**酚醛樹脂(Novolak)與重氮萘醌(DNQ,光敏劑)**的復合體系(PAC體系),占比約80%-90%。

化學增幅型(用于DUV/EUV):含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物,搭配光酸發(fā)生器(PAG),通過酸催化反應提高感光度和分辨率。

溶劑:溶解樹脂和感光劑,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。

添加劑:表面活性劑(改善涂布均勻性)、穩(wěn)定劑(防止暗反應)、堿溶解度調節(jié)劑等。

 工作原理

曝光前:光敏劑(如DNQ)與樹脂結合,形成不溶于堿性顯影液的復合物。

曝光時:

傳統(tǒng)PAC體系:DNQ在紫外光(G線436nm、I線365nm)照射下發(fā)生光分解,生成羧酸,使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。

化學增幅型:PAG在DUV/EUV光下產(chǎn)生活性酸,催化樹脂發(fā)生脫保護反應,大幅提高顯影速率(靈敏度提升10倍以上)。

顯影后:曝光區(qū)域溶解去除,未曝光區(qū)域保留,形成正性圖案。

 吉田半導體納米壓印光刻膠 JT-2000:國產(chǎn)技術突破耐高溫極限

自主研發(fā) JT-2000 納米壓印光刻膠耐受 250℃高溫,為國產(chǎn)納米器件制造提供關鍵材料。吉田半導體 JT-2000 納米壓印光刻膠采用國產(chǎn)交聯(lián)樹脂,在 250℃高溫下仍保持圖形保真度 > 95%。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與全自動化工藝,其高粘接強度與耐強酸強堿特性,適用于光學元件、傳感器等精密器件。產(chǎn)品已通過國內科研機構驗證,應用于國產(chǎn) EUV 光刻機前道工藝,幫助客戶實現(xiàn)納米結構加工自主化。
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吉田半導體 YK-300 正性光刻膠:半導體芯片制造的材料

YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩(wěn)定性。產(chǎn)品已通過中芯國際量產(chǎn)驗證,良率達 98% 以上,生產(chǎn)過程執(zhí)行 ISO9001 標準,幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產(chǎn)與定制化需求,為國產(chǎn)芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐。
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吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。沈陽制版光刻膠感光膠

光刻膠的工作原理:

1. 涂覆與曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均勻涂覆光刻膠,通過掩膜(或直接電子束掃描)對特定區(qū)域曝光。

2. 化學變化:曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學反應(正性膠曝光后溶解,負性膠曝光后交聯(lián)不溶)。

3. 顯影與刻蝕:溶解未反應的部分,留下圖案化的膠層,作為后續(xù)刻蝕或沉積的掩模,將圖案轉移到基底上。

在納米技術中,關鍵挑戰(zhàn)是突破光的衍射極限(λ/2),因此需依賴高能束曝光技術(如電子束光刻、極紫外EUV光刻)和高性能光刻膠(高分辨率、低缺陷)。

沈陽制版光刻膠感光膠

 

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