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以往的光刻膠剝離液對(duì)金屬的腐蝕較大,可能進(jìn)入疊層內(nèi)部造成線路減薄,藥液殘留,影響產(chǎn)品的質(zhì)量。因此有必要開(kāi)發(fā)一種不會(huì)對(duì)疊層晶圓產(chǎn)生過(guò)腐蝕的光刻膠剝離液。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液,既具有較高的光刻膠剝離效率,又不會(huì)對(duì)晶圓內(nèi)層有很大的腐蝕。本發(fā)明通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)上述目的:一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液,配方包括10~20wt%二甲基亞砜,10~20wt%一乙醇胺,5~11wt%四甲基氫氧化銨,~1wt%硫脲類緩蝕劑和~2wt%聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑,5~15wt%n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。具體的。如何挑選一款適合自己公司的剝離液?上海京東方用的蝕刻液剝離液銷售公司
本技術(shù)通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的:一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置,包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu),所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架,所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī),所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)置有所述電機(jī)減速箱,所述電機(jī)減速箱上方安裝有印刷品傳送帶,所述印刷品傳送帶一側(cè)安裝有所述印刷品放置箱,所述印刷品放置箱一側(cè)安裝有所述表面印刷結(jié)構(gòu),所述表面印刷結(jié)構(gòu)上方設(shè)置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安裝有油墨加壓器,所述油墨加壓器下方安裝有高壓噴頭,所述高壓噴頭一側(cè)安裝有防濺射擋板。上海什么剝離液什么價(jià)格專業(yè)配方,博洋剝離液是您的明智之選。
隨著電子元器件制作要求的提高,相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對(duì)濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢(shì),并規(guī)范世界超凈高純?cè)噭┑臉?biāo)準(zhǔn),國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個(gè)數(shù)和應(yīng)用范圍等指標(biāo)制定國(guó)際等級(jí)分類標(biāo)準(zhǔn)。濕電子化學(xué)品在各應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)有所不同,光伏太陽(yáng)能電池領(lǐng)域一般只需要G1級(jí)水平;平板顯示和LED領(lǐng)域?qū)耠娮踊瘜W(xué)品的等級(jí)要求為G2、G3水平;半導(dǎo)體領(lǐng)域中,集成電路用濕電子化學(xué)品的純度要求較高,基本集中在G3、G4水平,分立器件對(duì)濕電子化學(xué)品純度的要求低于集成電路,基本集中在G2級(jí)水平。一般認(rèn)為,產(chǎn)生集成電路斷絲、短路等物理性故障的雜質(zhì)分子大小為**小線寬的1/10。因此隨著集成電路電線寬的尺寸減少,對(duì)工藝中所需的濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。從技術(shù)趨勢(shì)上看,滿足納米級(jí)集成電路加工需求是超凈高純?cè)噭┙窈蟀l(fā)展方向之一。
所述過(guò)濾器包括多個(gè)并列排布的子過(guò)濾器,所述道包括多個(gè)子管道,每一所述子管道與一子過(guò)濾器連通,且所述多個(gè)子管道與當(dāng)前級(jí)腔室對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱連通。在一些實(shí)施例中,所述第二管道包括公共子管道及多個(gè)第二子管道,每一所述第二子管道與一子過(guò)濾器連通,每一所述第二子管道與所述公共子管道連通,所述公共子管道與所述下一級(jí)腔室連通。在一些實(shí)施例中,所述閥門開(kāi)關(guān)設(shè)置在每一所述子管道上。在一些實(shí)施例中,所述閥門開(kāi)關(guān)設(shè)置在每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中,所述閥門開(kāi)關(guān)設(shè)置在每一所述子管道及每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中,所述第二管道包括多個(gè)第三子管道,每一所述第三子管道與一子過(guò)濾器連通,且每一所述第三子管道與所述下一級(jí)腔室連通。在一些實(shí)施例中,所述閥門開(kāi)關(guān)設(shè)置在每一所述第三子管道上。本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法,包括:將多級(jí)腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液;將來(lái)自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑;使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過(guò)濾器過(guò)濾來(lái)自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過(guò)濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室。國(guó)內(nèi)那里可以買到效果好的剝離液;
剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品,主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì),同時(shí)防止對(duì)襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽(yáng)能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料,下游應(yīng)用領(lǐng)域,但整體應(yīng)用需求較低,因此市場(chǎng)規(guī)模偏小。剝離液應(yīng)用在太陽(yáng)能電池中,對(duì)于剝離液的潔凈度要求較低,需達(dá)到G1等級(jí),下游客戶主要要天合、韓華、通威等;應(yīng)用到面板中,通常要達(dá)到G2、G3等級(jí),且高世代線對(duì)于剝離液的要求要高于低世代線,下游客戶有京東方、中星光電;在半導(dǎo)體中的應(yīng)用可分等級(jí),在8英寸及以下的晶圓制造中,對(duì)于剝離液的要求達(dá)到G3、G4水平,大硅片、12英寸晶元等產(chǎn)品要達(dá)到G5水平。剝離液可用于去除光刻膠;蘇州銀蝕刻液剝離液價(jià)格
剝離液中加入特有添加劑可有效保護(hù)對(duì)應(yīng)金屬;上海京東方用的蝕刻液剝離液銷售公司
避免接觸皮膚、眼睛和衣服;存儲(chǔ):密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護(hù)極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風(fēng):良好的通風(fēng)措施,保持良好通風(fēng)人員保護(hù)設(shè)備:橡膠手套、防護(hù)目鏡,避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓;9.物理和化學(xué)性能物理測(cè)試:液體顏色:微黃氣味:類氨熔點(diǎn):-24~-23℃沸點(diǎn):165~204℃閃點(diǎn):110℃蒸汽壓mmHg@20℃蒸汽壓密度(空氣=1):密度(水=1):粘度:10~200cps水中溶解性:任意比例混溶其它溶劑:溶于部分有機(jī)溶劑PH值:10.穩(wěn)定性與活性穩(wěn)定性:穩(wěn)定危險(xiǎn)反應(yīng):有機(jī)和無(wú)機(jī)酸、強(qiáng)氧化劑、堿金屬、強(qiáng)酸混溶性:強(qiáng)氧化劑和酸不能混溶,在高溫氣壓下可與二硫化碳反應(yīng)避免條件:熱、火、火源及混溶11.毒性N-Methyl-2-pyrrolidone實(shí)際毒性LD50/口服:3600mg/kgLD50/皮膚接觸(兔):8000mg/kgLC50/吸入(鼠):>mg/1/4hN,N-DIMETHYLACETAMIDELD50/口服/鼠:>2000mg/kgLD50/皮膚接觸/兔:>。上海京東方用的蝕刻液剝離液銷售公司