并聯(lián)型晶體振蕩器：電路振蕩過程：接通電源后，三極管VT導(dǎo)通，有變化Ic電流流過VT，它包含著微弱的0～∞各種頻率的信號(hào)。這些信號(hào)加到C1、C2、X1構(gòu)成的選頻電路，選頻電路從中選出f0信號(hào)，在X1、C1、C2兩端有f0信號(hào)電壓，取C2兩端的f0信號(hào)電壓反饋到VT的基-射極之間進(jìn)行放大，放大后輸出信號(hào)又加到選頻電路，C1、C2兩端的信號(hào)電壓增大，C2兩端的電壓又送到VT基-射極，如此反復(fù)進(jìn)行，VT輸出的信號(hào)越來越大，而VT放大電路的放大倍數(shù)逐漸減小，當(dāng)放大電路的放大倍數(shù)與反饋電路的衰減系數(shù)相等時(shí)，輸出信號(hào)幅度保持穩(wěn)定，不會(huì)再增大，該信號(hào)再送到其他的電路。晶振：晶體振蕩器，有一些電子設(shè)備需要頻率高度穩(wěn)定的交流信號(hào)，而LC振蕩器穩(wěn)定性較差，頻率容易漂移。金華低頻晶振廠家直銷
石英晶體的每次振蕩使計(jì)數(shù)器減1。當(dāng)計(jì)數(shù)器減為0時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)中斷，計(jì)數(shù)器從保持寄存器中重新裝入初始值。這種方法使得對(duì)一個(gè)計(jì)時(shí)器進(jìn)行編程，令其每秒產(chǎn)生60次中斷（或者以任何其它希望的頻率產(chǎn)生中斷）成為可能。每次中斷稱為一個(gè)時(shí)鐘嘀嗒。晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?，在這個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。金華低頻晶振廠家直銷普通晶體振蕩器主要應(yīng)用于穩(wěn)定度要求不高的場(chǎng)合。
石英晶體諧振器（英文：quartz crystal unit或quartz crystal resonator，常被標(biāo)識(shí)為Xtal，Extenal Crystal Osillator，外部晶振器，因?yàn)榫д駟卧３Ｗ鳛殡娐吠饨樱?，?jiǎn)稱石英晶體或晶振，是利用石英晶體（又稱水晶）的壓電效應(yīng)，用來產(chǎn)生高精度振蕩頻率的一種電子元件，屬于被動(dòng)元件。該元件主要由石英晶片、基座、外殼、銀膠、銀等成分組成。根據(jù)引線狀況可分為直插（有引線）與表面貼裝（無引線）兩種類型。當(dāng)前常見的主要封裝型號(hào)有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5與SMD。
晶振的負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。激勵(lì)電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時(shí)，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性，所以用戶選購時(shí)應(yīng)特別說明。普通晶體振蕩器（SPXO）是一種簡(jiǎn)單的晶體振蕩器，通常稱為鐘振。
選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。串聯(lián)型晶體振蕩器具有選頻功能。寧波定制晶振廠家推薦
負(fù)載電容可看作晶振片在電路中串接電容。金華低頻晶振廠家直銷
石英晶體振蕩器分為非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器、溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器、電壓控制晶體振蕩器、恒溫控制式晶體振蕩器和數(shù)字化/μp補(bǔ)償式晶體振蕩器等幾種類型。其中，非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器是較簡(jiǎn)單的一種，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中稱之為標(biāo)準(zhǔn)封裝晶體振蕩器。恒溫控制式晶體振蕩器。恒溫控制式晶體振蕩器是利用恒溫槽使晶體振蕩器或石英晶體振子的溫度保持恒定，將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到較小的晶體振蕩器，在OCXO中，有的只將石英晶體振子置于恒溫槽中，有的是將石英晶體振子和有關(guān)重要元器件置于恒溫槽中。金華低頻晶振廠家直銷
蘇州奧泰克電子科技有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型公司。公司業(yè)務(wù)分為晶體諧振器，晶體振蕩器，石英晶體，音叉晶體等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn)，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批**的專業(yè)化的隊(duì)伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。蘇州奧泰克立足于全國市場(chǎng)，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合前沿的技術(shù)理念，飛快響應(yīng)客戶的變化需求。