福建批發(fā)傳感器線(xiàn)圈

    該位移使發(fā)射線(xiàn)圈106產(chǎn)生的磁場(chǎng)變形。來(lái)自位移330的雜散場(chǎng)在接收線(xiàn)圈104中產(chǎn)生不平衡。因此，將由于這些特征而產(chǎn)生位置確定的不準(zhǔn)確性。圖4a和圖4b示出可用于評(píng)估位置定位系統(tǒng)的校準(zhǔn)和測(cè)試設(shè)備400。由于諸如上文所述的那些之類(lèi)的磁耦合原理的不理想性，可以使用校準(zhǔn)過(guò)程來(lái)校正目標(biāo)相對(duì)于定位設(shè)備的測(cè)量位置。此外，系統(tǒng)400可用于測(cè)試諸如上文所述的那些之類(lèi)的定位系統(tǒng)的準(zhǔn)確性。圖4a示出示例系統(tǒng)400的框圖。如圖4a所示，金屬目標(biāo)408被安裝在平臺(tái)406上，使得在位置定位系統(tǒng)410上方。定位器404能夠以精確的方式相對(duì)于位置定位系統(tǒng)410移動(dòng)平臺(tái)406。如上所述，位置定位系統(tǒng)410包括形成在pcb上的發(fā)射線(xiàn)圈和接收線(xiàn)圈，并且可以包括控制器402，控制器402從接收線(xiàn)圈接收信號(hào)并處理該信號(hào)并驅(qū)動(dòng)發(fā)射線(xiàn)圈。如圖4a進(jìn)一步示出的，金屬目標(biāo)408沿z方向定位，以在金屬目標(biāo)408與位置定位系統(tǒng)410之間提供氣隙(ag)。在一些實(shí)施例中，定位器404能夠如在坐標(biāo)系420中所示的在x-y平面中線(xiàn)性地移動(dòng)金屬目標(biāo)408。在一些實(shí)施例中，定位器404根據(jù)需要在位置定位器系統(tǒng)410上方圍繞旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)金屬目標(biāo)408，例如，用于測(cè)試旋轉(zhuǎn)定位器而不是線(xiàn)性定位器。關(guān)于傳感器線(xiàn)圈的定義是什么？福建批發(fā)傳感器線(xiàn)圈

類(lèi)似地，在余弦定向線(xiàn)圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類(lèi)似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線(xiàn)圈112和余弦定向線(xiàn)圈110處于180°位置。因此，正弦定向線(xiàn)圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對(duì)于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線(xiàn)圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線(xiàn)圖。如圖2d所示，可以通過(guò)處理vcos和vsin的值來(lái)確定角位置。如圖所示，通過(guò)從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對(duì)目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對(duì)于接收線(xiàn)圈104的角位置可以根據(jù)來(lái)自正弦定向線(xiàn)圈112的vsin和余弦定向線(xiàn)圈110的vcos的值來(lái)確定，如圖2e所示。定制傳感器線(xiàn)圈優(yōu)勢(shì)關(guān)于傳感器線(xiàn)圈的商家有哪些？

    圖10d示出導(dǎo)線(xiàn)1020的一維模型與基準(zhǔn)矩形跡線(xiàn)1022在距跡線(xiàn)中心1mm的距離處的差異。單個(gè)矩形跡線(xiàn)1022的表示可以通過(guò)單導(dǎo)線(xiàn)配置和多導(dǎo)線(xiàn)配置兩者來(lái)實(shí)現(xiàn)?？梢钥闯?，該場(chǎng)與一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分?jǐn)?shù)1％。由于接收線(xiàn)圈的大多數(shù)點(diǎn)相對(duì)于發(fā)射線(xiàn)圈的距離遠(yuǎn)大于1mm，因此1維導(dǎo)線(xiàn)模型在大多數(shù)應(yīng)用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來(lái)表示發(fā)射線(xiàn)圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計(jì)算為代價(jià)將由發(fā)射線(xiàn)圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)的建模誤差減小了一個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線(xiàn)建模為一維跡線(xiàn)。因此，通過(guò)使用1維導(dǎo)線(xiàn)模型可以預(yù)先計(jì)算由發(fā)射線(xiàn)圈產(chǎn)生的源磁場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級(jí)的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結(jié)果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計(jì)算，然而，此類(lèi)模型可能需要許多元素，并且需要增加計(jì)算。如上文所討論的，類(lèi)似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個(gè)網(wǎng)格元素)來(lái)達(dá)到所提出的一維模型的準(zhǔn)確性。

    可以替代地修改余弦接收線(xiàn)圈，并且相對(duì)于余弦接收線(xiàn)圈定義正弦接收線(xiàn)圈。為了說(shuō)明的目的，圖13示出對(duì)關(guān)于圖12所描述的正弦接收線(xiàn)圈的修改。接收線(xiàn)圈(rx)設(shè)計(jì)可以用雙環(huán)路迭代來(lái)定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線(xiàn)圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ(chēng)地部分延伸(如跡線(xiàn)1310所示)，以補(bǔ)償由于目標(biāo)非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線(xiàn)圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線(xiàn)圈1316所有點(diǎn)上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線(xiàn)圈1316沿y方向變形，如跡線(xiàn)1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計(jì)算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號(hào)失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個(gè)接收器線(xiàn)圈中的通孔比另一個(gè)接收器線(xiàn)圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對(duì)稱(chēng))時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動(dòng)時(shí)正弦信號(hào)相對(duì)于余弦信號(hào)的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實(shí)現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo)，通孔的設(shè)計(jì)方式是使sin(1316)rx線(xiàn)圈和cos(1318)rx線(xiàn)圈在pcb底部中的部分的長(zhǎng)度相同。此外，通孔相對(duì)于設(shè)計(jì)的對(duì)稱(chēng)中心是對(duì)稱(chēng)的。在步驟1212中，定義正弦接收線(xiàn)圈跡線(xiàn)和余弦接收線(xiàn)圈跡線(xiàn)。在一些實(shí)施例中，使用一維模型來(lái)定義跡線(xiàn)。在步驟1214中。傳感器線(xiàn)圈推薦，無(wú)錫東英電子有限公司值得信賴(lài)，還等什么，快來(lái)call我司吧！

它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL品質(zhì)因素品質(zhì)因素Q是表示線(xiàn)圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。它是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時(shí)，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。線(xiàn)圈的Q值與導(dǎo)線(xiàn)的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線(xiàn)圈的Q值通常為幾十到幾百。電感器品質(zhì)因數(shù)的高低與線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)的直流電阻、線(xiàn)圈骨架的介質(zhì)損耗及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關(guān)。分布電容任何電感線(xiàn)圈，其匝與匝之間、層與層之間，線(xiàn)圈與參考地之間，線(xiàn)圈與磁屏蔽罩間等都存在一定的電容，這些電容稱(chēng)為電感線(xiàn)圈的分布電容。若將這些分布電容綜合在一起，就成為一個(gè)與電感線(xiàn)圈并聯(lián)的等效電容C。分布電容的存在使線(xiàn)圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線(xiàn)圈的分布電容越小越好。額定電流額定電流是指電感器有正常工作時(shí)反允許通過(guò)的大電流值。若工作電流超過(guò)額定電流，則電感器就會(huì)因發(fā)熱而使性能參數(shù)發(fā)生改變，甚至還會(huì)因過(guò)流而燒毀。允許偏差允許偏差是指電感器上標(biāo)稱(chēng)的電感量與實(shí)際電感的允許誤差值。一般用于振蕩或?yàn)V波等電路中的電感器要求精度較高。專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)傳感器線(xiàn)圈的廠(chǎng)家；性能優(yōu)良傳感器線(xiàn)圈廠(chǎng)家

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為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線(xiàn)圈設(shè)計(jì)800的示例，其中線(xiàn)圈1028和線(xiàn)圈1026分別與線(xiàn)圈804和線(xiàn)圈806的跡線(xiàn)的一維近似相對(duì)應(yīng)。為了簡(jiǎn)化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線(xiàn)圈802，但是發(fā)射線(xiàn)圈802的跡線(xiàn)也通過(guò)一維導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)近似。在仿真了來(lái)自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線(xiàn)圈802的電磁場(chǎng)之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過(guò)原始邊界積分公式來(lái)計(jì)算的。金屬目標(biāo)1024通常可以被建模為薄金屬片。通常，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測(cè)量。如上文關(guān)于導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場(chǎng)的穿透深度的大約兩倍的厚度時(shí)，感應(yīng)電流密度在整個(gè)層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。福建批發(fā)傳感器線(xiàn)圈

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