光電探測器，屬于光線傳感器的一種，它常用于攝像頭和其他成像設備中。它們可以感知稱為“光子”的基本粒子的圖案，并通過這些圖案創(chuàng)造出圖像。不同的光電探測器用于感知光譜的不同部分。例如，夜視眼鏡中使用的光電探測器就是用于感知肉眼不可見的熱輻射。還有一些光電探測器應用于攝像頭，這些攝像頭通過環(huán)境中化學物質反射光線的方式來辨別它們。光電探測器的多功能程度主要取決于三個因素：運行速度、感知低強度光線的能力、感知的頻譜范圍。通常來說，如果工程師們改善了這三個因素中的某一個，那么另外兩個因素中就會至少有一個變得惡化。線性度和靈敏度是衡量PIN型光電探測器性能的兩個重要參數(shù)。高轉換效率光電探測器交易價格
光電導探測器主要是通過電陰值的變化來檢測，以下我將以光敏電阻為例介紹其工作原理。光敏電阻又稱光導管,它沒有極性,純粹是一個電阻器件,使用時既可加直流電壓,也可以加交流電壓。無光照時,光敏電阻值（暗電阻）很大,電路中電流（暗電流）很小。當光敏電阻受到一定波長范圍的光照時,它的阻值（亮電阻）急劇減少,電路中電流迅速增大。一般希望暗電阻越大越好,亮電阻越小越好,此時光敏電阻的靈敏度高。實際光敏電阻的暗電阻值一般在兆歐級,亮電阻在幾千歐以下。廣東相干接收機光電探測器工作原理光電探測器是光接收器的主要器件之一，用來將光功率轉換為電流。
在數(shù)字傳輸系統(tǒng)中，DPSK和DQPSK的使用已經(jīng)非常普遍，這就標志著采用相位敏感的編碼和傳輸技術將成為一種趨勢。而檢測靈敏度和頻譜效率是這種趨勢的關鍵所在。其他影響選擇檢測方案的因素還包括物理層的安全可靠性和網(wǎng)絡的自適應性，兩者都可得益于采用相干光技術的幅度，頻率和偏振編碼。相干模擬傳輸與非相干傳輸相比，也同樣具有很大的優(yōu)勢，其中在動態(tài)范圍方面較為很大。雖然模擬通信不及數(shù)字通信應用較廣，但是模擬傳輸在很多特殊環(huán)境應用上有很重要的作用。
當光線照在物體上，使物體的電導率發(fā)生變化，或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象叫內(nèi)光電效應。利用這種現(xiàn)象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導體材料的價帶與導帶間有一個帶隙，其能量間隔為Eg。一般情況下，價帶中的電子不會自發(fā)地躍遷到導帶，所以半導體材料的導電性遠不如導體。但如果通過某種方式給價帶中的電子提供能量，就可以將其激發(fā)到導帶中，形成載流子，增加導電性。光照就是一種激勵方式。當入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時，價帶中的電子就會吸收光子的能量，躍遷到導帶，而在價帶中下一個空穴，形成一對可以導電的電子——空穴對。這里的電子并未逸出形成光電子，但顯然存在著由于光照而產(chǎn)生的電效應。因此,這種光電效應就是一種內(nèi)光電效應。從理論和實驗結果分析,要使價帶中的電子躍遷到導帶,也存在一個入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個關系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時,才會發(fā)生電子的帶間躍遷。當入射光能量較小,不能使電子由價帶躍遷到導帶時,有可能使電子吸收光能后,在一個能帶內(nèi)的亞能級結構間躍遷。光生伏特的效應是指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。
光電探測器是光接收器的主要器件之一，用來將光功率轉換為電流。根據(jù)系統(tǒng)的性能目標，可以選用PIN或APD（雪崩光電二極管）光電探測器。誤碼率（BER）是用于指定通信傳輸系統(tǒng)可靠性的主要指標，通常與接收機靈敏度值相關，該值定義了必須到達光電探測器的較小平均光功率，以實現(xiàn)所需的BER性能。另外，信道的Q值可以從采樣的信號統(tǒng)計中計算出來，并用于估計系統(tǒng)的誤碼率。光電探測器在定義基本通信系統(tǒng)的較終靈敏度方面起著重要的作用，因為它以散彈噪聲和熱噪聲的形式提供統(tǒng)計擾動，并引入了暗電流及定義響應率來衡量每單位輸入功率獲得多少電輸出。這些特性取決于入射光的波長和傳感器的材料特性和物理設計。光電導效應是指在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài)，而引起材料電導率的變化的象。廣東7GHZ APD光電探測器價格對比
光子型探測器是有選擇性響應波長的探測器件。高轉換效率光電探測器交易價格
1873年，英國W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導體的發(fā)展，各種新的光電導材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。工作原理和特性光電導效應是內(nèi)光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發(fā)到導帶，從而產(chǎn)生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數(shù)，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。高轉換效率光電探測器交易價格
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