testo 875-2i紅外熱像儀附件

紅外熱像儀的工作原理是基于物體發(fā)出的紅外輻射和熱量分布。它利用紅外傳感器和光學(xué)系統(tǒng)來(lái)捕捉和轉(zhuǎn)換紅外輻射成為可見(jiàn)圖像。具體來(lái)說(shuō)，紅外熱像儀包括以下幾個(gè)關(guān)鍵組件：紅外傳感器：紅外傳感器是紅外熱像儀的主要部件，它能夠感知物體發(fā)出的紅外輻射。紅外輻射是物體由于熱量而發(fā)出的電磁波，其波長(zhǎng)范圍通常在0.7至1000微米之間。光學(xué)系統(tǒng)：紅外熱像儀的光學(xué)系統(tǒng)包括透鏡、反射鏡和光學(xué)濾波器等。透鏡用于聚焦紅外輻射，反射鏡用于將紅外輻射反射到紅外傳感器上，光學(xué)濾波器則用于選擇特定波長(zhǎng)范圍的紅外輻射。紅外圖像處理器：紅外圖像處理器負(fù)責(zé)接收紅外傳感器捕捉到的紅外輻射信號(hào)，并將其轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)圖像。它會(huì)對(duì)紅外輻射信號(hào)進(jìn)行放大、濾波、調(diào)整和處理，以生成高質(zhì)量的熱圖像。顯示器：紅外熱像儀通常配備顯示器，用于顯示紅外圖像。顯示器可以是內(nèi)置于熱像儀本身的屏幕，也可以是通過(guò)連接到其他設(shè)備上的外部顯示器。紅外線(xiàn)熱像儀靈敏度高，如保溫杯、熱飯盒等都能監(jiān)測(cè)出來(lái)，并將定位在發(fā)熱點(diǎn)，監(jiān)測(cè)精度高。testo 875-2i紅外熱像儀附件

nGaAs是由兩種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料組成的三元系半導(dǎo)體化合物，它的帶隙隨組分比例的變化而變化。基于此材料制備的IR探測(cè)器，其響應(yīng)截止波長(zhǎng)可達(dá)到3μm以上，響應(yīng)范圍完全覆蓋NIR波段，是該波段探測(cè)器團(tuán)體里**重要的成員。在該體系下，其他化合物性能如下圖所示：與其它的常用IR探測(cè)器相比，InGaAs探測(cè)器的興起較晚，在上世紀(jì)80年代才開(kāi)始走進(jìn)人類(lèi)的視野。近年來(lái)，得益于NIR成像的強(qiáng)勢(shì)崛起，InGaAs的發(fā)展勢(shì)頭也十分迅猛。在實(shí)際生產(chǎn)中，一般將InGaAs材料生長(zhǎng)在磷化銦(InP)襯底上，紅外熱像儀兩者的晶格失配度也會(huì)隨InGaAs組分的變化而變化。雙光路紅外熱像儀性?xún)r(jià)比紅外熱像儀是否可以用于建筑和房屋檢測(cè)？

紅外測(cè)溫儀：在對(duì)物體進(jìn)行測(cè)量時(shí)只能測(cè)一個(gè)點(diǎn)，可以把它認(rèn)為成只有一個(gè)像素的熱像儀，因此其顯示目標(biāo)上單個(gè)點(diǎn)的溫度測(cè)量值。小貼士提醒:在知道準(zhǔn)確的位置要進(jìn)行近距離檢測(cè)時(shí)，紅外測(cè)溫儀經(jīng)濟(jì)實(shí)惠并具有出色的性能。面對(duì)以下情況時(shí)，建議優(yōu)先考慮紅外熱像儀。NO.2進(jìn)行小目標(biāo)測(cè)量紅外測(cè)溫儀光斑尺寸的同時(shí)就限制了需在近距離情況下測(cè)量小物體溫度的能力。但要測(cè)量極小的元件時(shí)，則需要搭配特寫(xiě)光學(xué)元件（微距鏡頭）的紅外熱像儀能聚焦到每像素光斑尺寸小于5μm，這樣更有利于被測(cè)物件得到準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。

紅外熱像儀可以用于夜視嗎？是的，紅外熱像儀可以用于夜視。由于紅外熱像儀可以檢測(cè)物體發(fā)出的紅外輻射，而紅外輻射與物體的溫度相關(guān)，因此即使在完全黑暗的環(huán)境下，紅外熱像儀仍然可以捕捉到物體的熱量分布，從而實(shí)現(xiàn)夜視功能。紅外熱像儀可以將物體的熱量分布轉(zhuǎn)化為熱圖像，以不同的顏色或灰度表示不同溫度區(qū)域，使用戶(hù)能夠看到在可見(jiàn)光下無(wú)法察覺(jué)的物體或景象。因此，紅外熱像儀在夜間作戰(zhàn)、安防監(jiān)控、搜索救援等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。通俗地講熱像儀就是將物體發(fā)出的不可見(jiàn)紅外能量轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢?jiàn)的熱圖像。

(2)InSb探測(cè)器(PC&PV)InSb屬于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料,它是**早應(yīng)用于IR探測(cè)技術(shù)的材料之一,其生長(zhǎng)技術(shù)已發(fā)展得非常成熟?在液氮溫度下,InSb帶隙所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)稍稍大于5μm,此時(shí)InSb探測(cè)器的響應(yīng)范圍完美覆蓋MIR波段,且探測(cè)率能在整個(gè)MIR波段維持很高的水平,因此InSb探測(cè)器在MIR波段探測(cè)方面有著舉足輕重的地位?下圖是InSb半導(dǎo)體材料及完成后的芯片。隨著紅外熱像儀工作溫度的上升,InSb探測(cè)器的量子效率可維持不變,直至160K才開(kāi)始逐漸衰減?InSb FPA探測(cè)器被廣泛應(yīng)用到了***與天文領(lǐng)域,美國(guó)RVS(Raytheon Vision Systems)是這類(lèi)探測(cè)器比較大且**出色的制造商?紅外熱像儀的電池壽命如何？PYROVIEW M480N portable紅外熱像儀

紅外熱像儀可以用于夜視嗎？testo 875-2i紅外熱像儀附件

截止目前,紅外熱像儀HgCdTe材料依舊是制作高性能IR光子探測(cè)器的比較好的材料?與InGaAs類(lèi)似,HgCdTe也是一種三元系半導(dǎo)體化合物,其帶隙也會(huì)隨組分的改變而改變,借此HgCdTe探測(cè)器可覆蓋1-22μm的超寬波段?HgCdTe探測(cè)器在NIR?MIR和LWIR三個(gè)波段都能表現(xiàn)出十分優(yōu)異的性能,所以它問(wèn)世不久便成為了IR探測(cè)器大家族中的霸主?然而,隨著近些年InGaAs探測(cè)器的興起,HgCdTe探測(cè)器在NIR波段的地位日趨下降;在MIR波段,雖然InSb探測(cè)器的探測(cè)率不如HgCdTe探測(cè)器,但由于InSb的材料生長(zhǎng)技術(shù)比HgCdTe成熟,HgCdTe探測(cè)器在該波段已達(dá)不到一家獨(dú)大的地步;對(duì)于LWIR波段,HgCdTe探測(cè)器仍具有很強(qiáng)的統(tǒng)治地位?testo 875-2i紅外熱像儀附件