重慶德國PSP-POLOS光刻機MAX層厚可達到10微米

某智能機器人實驗室采用 Polos 光刻機制造了磁控微納機器人。其激光直寫技術在鎳鈦合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋槳結構，機器人在旋轉磁場下的推進速度達 50μm/s，轉向精度小于 5°。通過自定義三維運動軌跡，該機器人在微流控芯片中成功實現(xiàn)了單個紅細胞的捕獲與轉運，操作成功率從傳統(tǒng)方法的 40% 提升至 85%。其輕量化設計（質量 < 1μg）還支持在活細胞表面進行納米級手術，相關成果入選《Science Robotics》年度創(chuàng)新技術。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM 光刻機：無掩模激光技術，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實驗室微納加工。重慶德國PSP-POLOS光刻機MAX層厚可達到10微米

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產(chǎn)品水平。該技術還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。上海POLOSBEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米客戶認可：全球 500 + 客戶滿意度達 98%，復購率 75%，技術支持響應時間 < 2 小時。

SPS POLOS μ以桌面化設計降低設備投入成本，無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅動快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。

Polos系列通過無掩模技術減少化學廢料產(chǎn)生，同時低能耗設計（如固態(tài)激光光源）符合綠色實驗室標準。例如，其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機能耗降低30%，助力科研機構實現(xiàn)碳中和目標。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。德國 SPS Polos：深耕微納加工 35 年，專注半導體與生命科學領域，全球布局 6 大技術中心，服務 500 + 科研機構。

大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優(yōu)勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入?yún)^(qū)域達155×155 mm，平臺重復性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設計，內置高性能筆記本實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。微型傳感器量產(chǎn)：80 μm開環(huán)諧振器加工能力，推動工業(yè)級MEMS傳感器升級。江蘇桌面無掩模光刻機讓你隨意進行納米圖案化

Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設計，科研級精度實現(xiàn)復雜結構一次性成型。重慶德國PSP-POLOS光刻機MAX層厚可達到10微米

某材料科學研究中心在探索新型納米復合材料的性能時，需要在材料表面構建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機成為實現(xiàn)這一目標的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結構。經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復合材料，其電學、光學和力學性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學性能普通的納米材料，在經(jīng)過 Polos 光刻機處理后，對特定波長光的吸收率提高了 30%，為開發(fā)新型光電器件和光學傳感器提供了新的材料選擇和設計思路 。重慶德國PSP-POLOS光刻機MAX層厚可達到10微米