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來源: 發(fā)布時間:2025-04-20

自愈式并聯(lián)電容器結構與紙質電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質。特點如下: [11] 1. 頻率特性好,介電損耗小。 [11] 2. 不能做成大的容量,耐熱能力差。 [11] 3. 濾波器、積分、振蕩、定時電路。瓷介電容器穿心式或支柱式結構瓷介電容器,它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特性好,介電損耗小,有溫度補償作用。 [11] 1. 不能做成大的容量,受振動會引起容量變化。 [11] 2. 特別適于高頻旁路。 [11]獨石電容器(多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合后一次繞結成一塊不可分割的整體,外面再用樹脂包封而成。是一種小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器。高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)定的性能,體積極小,容量誤差較大。一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.008~0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單,價格便宜,能得到較大的電容量。 [11]按電介質分類:有機介質電容器、無機介質電容器、電解電容器、電熱電容器和空氣介質電容器等。上海哪里有電容器哪里買

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●積分:用在積分電路中的電容器稱為積分電容。在電勢場掃描的同步分離電路中,采用這種積分電容電路,可以從場復合同步信號中取出場同步信號。 [6] ●微分:用在微分電路中的電容器稱為微分電容。在觸發(fā)器電路中為了得到尖頂觸發(fā)信號,采用這種微分電容電路,以從各類(主要是矩形脈沖)信號中得到尖頂脈沖觸發(fā)信號。 [6] ●補償:用在補償電路中的電容器稱為補償電容,在卡座的低音補償電路中,使用這種低頻補償電容電路,以提升放音信號中的低頻信號,此外,還有高頻補償電容電路。徐匯區(qū)哪些是電容器怎么樣一般在低頻電路內,通常不能在高于3~4MHz的頻率上運用。

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兩個相互靠近的導體,中間夾一層不導電的絕緣介質,這就構成了電容器。當電容器的兩個極板之間加上電壓時,電容器就會儲存電荷。電容器的電容量在數(shù)值上等于一個導電極板上的電荷量與兩個極板之間的電壓之比。電容器的電容量的基本單位是法拉(F)。在電路圖中通常用字母C表示電容元件。 [1] 電容器在調諧、旁路、耦合、濾波等電路中起著重要的作用。晶體管收音機的調諧電路要用到它,彩色電視機的耦合電路、旁路電路等也要用到它。 [1]

國際上統(tǒng)一規(guī)定,給電容器外加1伏特直流電壓時,它所能儲存的電荷量,為該電容器的電容量(即單位電壓下的電量),用字母C表示。電容量的基本單位為法拉(F)。在1伏特直流電壓作用下,如果電容器儲存的電荷為1庫侖,電容量就被定為1法拉,法拉用符號F表示,1F=1Q/V。在實際應用中,電容器的電容量往往比1法拉小得多,常用較小的單位,如毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)、皮法(pF)等,它們的關系是:1微法等于百萬分之一法拉;1皮法等于百萬分之一微法,即: [5] 1法拉(F)=1000毫法(mF);1毫法(mF)=1000微法(μF);1微法(μF)=1000納法(nF);1納法(nF)=1000皮法(pF);即:1F=1000000μF;1μF=1000000pF。 [5]高頻旁路:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。

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第四部分:序號,用數(shù)字或字母表示。 [7]  包括品種、尺寸代號、溫度特性、直流工作電壓、標稱值、允許誤差、標準代號。 [8] 容量標示1.直標法用數(shù)字和單位符號直接標出。如1 表示1微法,有些電容用“R”表示小數(shù)點,如R56表示0.56微法。 [10] 2.文字符號法用數(shù)字和文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。如p10表示0.1pF、1p0表示1pF、6P8表示6.8pF、2u2表示2.2uF。3.色標法用色環(huán)或色點表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標法與電阻相同。 [10] 4.數(shù)學計數(shù)法:數(shù)學計數(shù)法一般是三位數(shù)字,***位和第二位數(shù)字為有效數(shù)字,第三位數(shù)字為倍數(shù)。低頻旁路:紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。金山區(qū)好的電容器

容量誤差大,泄漏電流大;普通的不適于在高頻和低溫下應用,不宜使用在25kHz以上頻率。上海哪里有電容器哪里買

(2)額定電壓,為在比較低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的比較高直流電壓。如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器將被擊穿,造成損壞。在實際中,隨著溫度的升高,耐壓值將會變低。 [4] (3)絕緣電阻。直流電壓加在電容上,產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻。當電容較小時,其值主要取決于電容的表面狀態(tài);容量大于0.1μF時,其值主要取決于介質。通常情況,絕緣電阻越大越好。 [4] (4)損耗。電容在電場作用下,在單位時間內因發(fā)熱所消耗的能量稱做損耗。損耗與頻率范圍、介質、電導、電容金屬部分的電阻等有關。 [4]上海哪里有電容器哪里買

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