ESD（ElectrostaticDischargeProtectionDevices），靜電保護元器件，又稱TVSArray，是由多個TVS晶粒或二極管采用不同的布局設計成具有特定功能的多路或單路ESD保護器件ESD靜電二極管選型事項1）ESD一般用于各類通信端口靜電防護，在一些高速數(shù)據(jù)線路，比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口，ESD靜電保護二極管的結電容應盡量選擇小的，以避免影響通信質量；2）ESD有單向（A）和雙向（C）之分，根據(jù)工作的信號進行選擇，單極性的信號可以選擇單向的ESD或雙向的ESD，雙極性的信號要選擇雙向的ESD；3）具體選擇什么型號的ESD靜電二極管做靜電防護，還需要在專業(yè)的電子工程師指導下選擇。整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的比較大正向平均電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。鹽田區(qū)穩(wěn)壓二極管
ESD靜電二極管特性：低電容，較低可達到零點幾皮法；快速響應時間：通常小于1.0PS；體積小，小型化器件，節(jié)約PCB空間；工作電壓可以根據(jù)IC的工作電壓設計，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；靈活度高，可以根據(jù)應用需求設計電容、封裝形式、浪涌承受能力等參數(shù)。封裝形式多樣化，目前東沃電子擁有的ESD封裝有：QFN-0201、SOD-882、DFN1006-3L、SOT-523、SOD-523、QFN-10、SOD-123S、SOD-323、SOT-23、SOT-143、SOT-363、SOT23-6L、SOIC-8等。電路二極管批發(fā)ESD保護二極管，主要應用于板級保護；
單向瞬變二極管和雙向瞬變二極管區(qū)別為以下幾點：1.單向用在直流，雙向用在交流；2.單向TVS管的特性與穩(wěn)壓二極管相似，雙向TVS管的特性相當于兩個穩(wěn)壓二極管反向串聯(lián)；3.極間電容Cj單向的比雙向的大；4.USB數(shù)據(jù)線上全部用的雙向；5.電流曲線不同。單方向的TVS管的電路符號與普通的穩(wěn)壓管相同，其正向特性與普通二極管相同，反向特性為典型的PN結雪崩器件。雙向二極管正反向都是典型的PN結雪崩器件。所以，需要區(qū)分場合應用，不能簡單的直接進行替換。
ESD靜電二極管特性?低電容，比較低可達到零點幾皮法；?快速響應時間：通常小于1.0PS；?體積小，小型化器件，節(jié)約PCB空間；?工作電壓可以根據(jù)IC的工作電壓設計，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；?靈活度高，可以根據(jù)應用需求設計電容、封裝形式、浪涌承受能力等參數(shù)。ESD靜電二極管選型指南1）ESD靜電二極管的截止電壓要大于電路中最高工作電壓；2）脈沖峰值電流IPP和比較大箝位電壓VC的選擇，要根據(jù)線路上可能出現(xiàn)的比較大浪涌電流來選擇合適IPP的型號，需要注意的是，此時的VC應小于被保護晶片所能耐受的比較大峰值電壓；3）用于信號傳輸電路保護時，一定要注意所傳輸信號的頻率或傳輸速率，當信號頻率或傳輸速率較高時，應選用低電容系列的ESD靜電二極管；4）根據(jù)電路設計布局及被保護線路數(shù)選擇合適的封裝。ESD封裝的大小從一定程度上可以反應器件的防護等級大小，一般封裝越大的器件可容納的ESD芯片面積也越大，防護等級也越高，反之亦然。對于交流電來說，因為不斷變化，因此最高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。
晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。具有單向導電性能， 即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導通。龍華區(qū)瞬態(tài)二極管廠家
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變容二極管：變容二極管(VaractorDiodes)為特殊二極管的一種。當外加順向偏壓時，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負極）結的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴散電容效應；當外加反向偏壓時，則會產(chǎn)生過渡電容效應。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生，所以在應用上均供給反向偏壓。變容二極管也稱為壓控變容器，是根據(jù)所提供的電壓變化而改變結電容的半導體。也就是說，作為可變電容器，可以被應用于FM調諧器及TV調諧器等諧振電路和FM調制電路中。其實我們可以把它看成一個PN結，我們想，如果在PN結上加一個反向電壓V（變容二極管是反向來用的），則N型半導體內的電子被引向正極，P型半導體內的空穴被引向負極，然后形成既沒有電子也沒有空穴的耗盡層，該耗盡層的寬度我們設為d，隨著反向電壓V的變化而變化。如此一來，反向電壓V增大，則耗盡層d變寬，二極管的電容量C就減少（根據(jù)C=kS/d），而反向電壓減小，則耗盡層寬d變窄，二極管的電容量變大。反向電壓V的改變引起耗盡層的變化，從而改變了壓控變容器的結容量C。達到了目的。鹽田區(qū)穩(wěn)壓二極管
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