額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個,如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志,如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V,管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述,小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三個電極,用硅半導體材料制成的管芯由額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。嘉定區(qū)如何晶閘管供應商
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè)、農業(yè)、交通運輸、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。普陀區(qū)選擇晶閘管聯(lián)系人普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。
維持電流: IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,它與結溫有關,結溫越高, 則 IH 越小。 [1]·電壓上升率的**: dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù)。此值超限將可能導致可控硅出現(xiàn)誤導通的現(xiàn)象。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容。 [1]對負載小,或電流持續(xù)時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅, 可在自由空間工作。 但大部分情況下,需要安裝在散熱器或散熱的支架上,為了減小熱阻,可控硅與散熱器間要涂上導熱硅脂。 [1]
可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結(J1、J2、J3),從J1結構的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導體器件。結構原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱作雙向晶閘管。可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等??煽毓璧闹饕獏?shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態(tài)時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度。畫出它的波形(c)及(d),只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出。閔行區(qū)進口晶閘管聯(lián)系人
控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。嘉定區(qū)如何晶閘管供應商
PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后,當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區(qū)。(5)應在額定參數(shù)范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態(tài)電流(IT)即比較大穩(wěn)定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。嘉定區(qū)如何晶閘管供應商
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