P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管不需要基極電流驅(qū)動(dòng)，所以較大降低了器件本身的電流；另一面，在采用PNP管的結(jié)構(gòu)中，為了防止PNP晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)降低輸出能力，必須保證較大的輸入輸出壓差；而P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的壓差大致等于輸出電流與其導(dǎo)通電阻的乘積，極小的導(dǎo)通電阻使其壓差非常低。...

ID---暗電流IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM---發(fā)射極峰值電流IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與基極間反向電流IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM---比較大輸出平均電流IFMP---正向脈沖電流IP---峰點(diǎn)電流Ⅳ-...

PTC可恢復(fù)保險(xiǎn)絲的動(dòng)作原理是一種能量的動(dòng)態(tài)平衡，流過(guò)PPTC元件的電流由于PPTC的關(guān)系產(chǎn)生熱量，產(chǎn)生的熱全部或部分散發(fā)到環(huán)境中，而沒(méi)有散發(fā)出去的熱便會(huì)提高PPTC元件的溫度.正常工作時(shí)的溫度較低，產(chǎn)生的熱和散發(fā)的熱達(dá)到平衡.PPTC元件處于低阻狀態(tài)，PPT...

如此反復(fù),由于兩個(gè)整流元件D1、D2輪流導(dǎo)電,結(jié)果負(fù)載電阻Rfz 上在正、負(fù)兩個(gè)半周作用期間,都有同一方向的電流通過(guò),如圖5-4(b)所示的那樣,因此稱為全波整流,全波整流不但利用了正半周,而且還巧妙地利用了負(fù)半周,從而較大地提高了整流效率(Usc=0.9e2...

TO-252封裝尺寸圖電氣特性方面，關(guān)于***比較大額定值，六款二極管的反向重復(fù)峰值電壓均為400v、600v、800v,反向電壓均為400v、600v、800v.平均整流輸出電流為5A/10A，運(yùn)行結(jié)溫均為150℃，儲(chǔ)存溫度均為-55℃~+150℃。正向不重...

半導(dǎo)體二極管主要是依靠 PN 結(jié)而工作的。與 PN 結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號(hào)在內(nèi)，根據(jù) PN 結(jié)構(gòu)造面的特點(diǎn)，把晶體二極管分類如下：1、點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再...

常見(jiàn)晶體三極管特性曲線2-18圖所示：圖2-18晶體三極管特性曲線3、晶體三極管共發(fā)射極放大原理如下圖所示：A、vt是一個(gè)npn型三極管，起放大作用。B、ecc集電極回路電源（集電結(jié)反偏）為輸出信號(hào)提供能量。C、rc是集電極直流負(fù)載電阻，可以把電流的變化量轉(zhuǎn)化...

IF---正向直流電流（正向測(cè)試電流）.鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過(guò)極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流（平均值），硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電...

15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的...

大體意義上講，PN結(jié)的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上，一般半導(dǎo)體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。具體介紹PN結(jié)的形成大體分為三步，首先擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，P區(qū)的空穴濃度遠(yuǎn)大于N區(qū)...

13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區(qū)的 N 型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質(zhì)的）。隧道電流由這些簡(jiǎn)并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生的。如發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個(gè)條件：①費(fèi)米能...

三極管基極偏置電路分析較為困難，掌握一些電路分析方法可以方便基極偏置電路的分析。1、電路分析的***步是在電路中找出三極管的電路符號(hào)，如圖所示，然后在三極管電路符號(hào)中后找出基極，這是分析基極偏置電路的關(guān)鍵一步。2、弟二步從基極出發(fā)，將與基極和電源端相連的所有元...

橋堆的檢測(cè)1．全橋的檢測(cè)大多數(shù)的整流全橋上，均標(biāo)注有“+”、“-”、“~”符號(hào)（其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“-”為輸出電壓的負(fù)極，“~”為交流電壓輸入端），很容易確定出各電極。檢測(cè)時(shí)，可通過(guò)分別測(cè)量“+”極與兩個(gè)“~”極、“-”極與兩個(gè)“~”之間各整流...

半導(dǎo)體三極管是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件.它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用，應(yīng)用十分常見(jiàn).輸入級(jí)和輸出級(jí)都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書(shū)刊和實(shí)用中都簡(jiǎn)稱為TTL電路，它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種，其中用得比較普遍的是...

通俗易懂的三極管工作原理*1、晶體三極管簡(jiǎn)介。晶體三極管是p型和n型半導(dǎo)體的有機(jī)結(jié)合，兩個(gè)pn結(jié)之間的相互影響，使pn結(jié)的功能發(fā)生了質(zhì)的飛躍，具有電流放大作用。晶體三極管按結(jié)構(gòu)粗分有npn型和pnp型兩種類型。如圖2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三極管之...

如果晶體管為PNP型，則通常處于ON狀態(tài)，但不是可以說(shuō)是完美的，直到基腳完全接地為止。將基極引腳接地后，晶體管將處于反向偏置狀態(tài)或被稱為導(dǎo)通狀態(tài)。作為提供給基極引腳的電源，它停止了從集電極到發(fā)射極的電流傳導(dǎo)，并且晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)或正向偏置狀態(tài)。為保護(hù)晶體管，...

橋式整流電路是使用較多的一種整流電路。這種電路,只要增加兩只二極管口連接成"橋"式結(jié)構(gòu),便具有全波整流電路的優(yōu)點(diǎn),而同時(shí)在一定程度上克服了它的缺點(diǎn)。橋式整流電路的工作原理如下:e2為正半周時(shí),對(duì)D1、D3和方向電壓,Dl,D3導(dǎo)通;對(duì)D2、D4加反向電壓,D2...

選型提示：維持電流Ihold：保險(xiǎn)絲的維持電流應(yīng)該高于被保護(hù)電路正常工作電流，否則會(huì)影響電路正常工作.比較大耐壓Vmax：應(yīng)大于被保護(hù)電路的工作電壓，否則會(huì)導(dǎo)致PPTC失效.環(huán)境溫度：應(yīng)該考慮被保護(hù)電路的工作環(huán)境溫度或者器件熱功率，PPTC器件受溫度影響，不適...

ID---暗電流IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM---發(fā)射極峰值電流IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與基極間反向電流IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM---比較大輸出平均電流IFMP---正向脈沖電流IP---峰點(diǎn)電流Ⅳ-...

（一）整流橋的原理和介紹整流橋的整流作用是通過(guò)二極管的單向?qū)ㄔ韥?lái)完成工作的，通俗的來(lái)說(shuō)二極管它是正向?qū)ê头聪蚪刂梗簿褪钦f(shuō)，二極管只允許它的正極進(jìn)正電和負(fù)極進(jìn)負(fù)電。二極管只允許電流單向通過(guò)，所以將其接入交流電路時(shí)它能使電路中的電流只按單向流動(dòng)。整流器通常...

12、 雪崩二極管 （Avalanche Diode）它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對(duì)晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時(shí)間，所以其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時(shí)間，若適當(dāng)?shù)乜刂贫稍綍r(shí)間，那么，在電...

2015年，北美占據(jù)了FinFET市場(chǎng)的大多數(shù)份額。2016到2022年，亞太區(qū)市場(chǎng)將以年復(fù)合增長(zhǎng)率比較高的速度擴(kuò)大。一些亞太地區(qū)的國(guó)家是主要的制造中心，將為的FinFET技術(shù)的發(fā)展提供充足機(jī)會(huì)。智能手機(jī)和自動(dòng)汽車對(duì)于高性能CPU需求的不斷增長(zhǎng)是推動(dòng)該地區(qū)市場(chǎng)...

肖特基二極管的檢測(cè)二端型肖特基二極管可以用萬(wàn)用表R×1檔測(cè)量。正常時(shí)，其正向電阻值（黑表筆接正極）為Ω，投向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得正、反電阻值均為無(wú)窮大或均接近0，則說(shuō)明該二極管已開(kāi)路或擊穿損壞。三端型肖特基二極管應(yīng)先測(cè)出其公共端，判別出共陰對(duì)管，還是共陽(yáng)對(duì)管...

8、變?nèi)荻O管用于自動(dòng)頻率控制（AFC）和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過(guò)施加反向電壓， 使其 PN 結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用于自動(dòng)頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴(kuò)散型二極管，但是也可采...

整流二極管較突出的作用是其能夠防止電流倒灌。當(dāng)整流二極管加上正電壓時(shí)，正電壓起始部分的正電壓很小，不能有效克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用。當(dāng)整流二極管的正電流幾乎為零時(shí)，這一部分被稱為死區(qū)，不能引導(dǎo)二極管的正電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)整流二極管的正電壓大于死區(qū)電壓時(shí)，有...

穩(wěn)壓二極管與普通整流二極管的區(qū)分*首先利用萬(wàn)用表R×1K擋，按把被測(cè)管的正、負(fù)電極判斷出來(lái)。然后將萬(wàn)用表?yè)苤罵×10K擋上，黑表筆接被測(cè)管的負(fù)極，肖特基二極管接法，紅表筆接被測(cè)管的正極，若此時(shí)測(cè)得的反向電阻值比用R×1K擋測(cè)量的反向電阻小很多，說(shuō)明被測(cè)管為穩(wěn)壓...

3、限幅用二極管大多數(shù)二極管能作為限幅使用。也有象保護(hù)儀表用和高頻齊納管那樣的專業(yè)使用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強(qiáng)的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售：依據(jù)限制電壓需要，把若干個(gè)必要的整流二極管串聯(lián)起來(lái)形成一個(gè)整體。4...

從操作：它們都是過(guò)流保護(hù)，可用于制造電路電流，在許多情況下可互換使用.例如，在對(duì)過(guò)電流保護(hù)要求較低的電池保護(hù)應(yīng)用中，這兩類產(chǎn)品可以引導(dǎo)潮流，甚至可以替代，而且大多數(shù)時(shí)候，它們?nèi)杂凶约旱念I(lǐng)域.在諸如某些IC或電源輸入/輸出等重要器件保護(hù)應(yīng)用中，但一次性熔絲可能具...

選型提示：維持電流Ihold：保險(xiǎn)絲的維持電流應(yīng)該高于被保護(hù)電路正常工作電流，否則會(huì)影響電路正常工作.比較大耐壓Vmax：應(yīng)大于被保護(hù)電路的工作電壓，否則會(huì)導(dǎo)致PPTC失效.環(huán)境溫度：應(yīng)該考慮被保護(hù)電路的工作環(huán)境溫度或者器件熱功率，PPTC器件受溫度影響，不適...

早期的二極管也就是半導(dǎo)體的制作工藝是將兩個(gè)立體的摻雜材料放在一起高溫熔接而成，現(xiàn)在的二極管和原來(lái)相比只是制作工藝更加精確，讓兩個(gè)相鄰的不同摻雜區(qū)域組合構(gòu)成，一個(gè)區(qū)域是在半導(dǎo)體材料中摻入施主原子產(chǎn)生自由電子的n區(qū)域，另一個(gè)是摻入受主原子形成有自由空穴的p型區(qū)域，...