可控硅模塊自身特點，在應用時盡量避開Ⅳ象限。如果工作沒有Ⅳ象限，我們可以推薦客戶選用免緩沖三象限系列的雙向可控硅模塊。雙向可控硅模塊象限分布圖和說明：一象限：T1(-)T2(+)，G相對T1為(+)第二象限：T1(-)T2(+)，G相對T1為(-)第三象限：T1(+)T2(-)，G相對T1為(-)淄博正高電氣有限公司是一家專注于功率模塊研發(fā)、封裝、銷售的****。我司專業(yè)研發(fā)、封裝團隊具有十年以上的從業(yè)經驗，經過與國外眾多行業(yè)的通力合作，研發(fā)出獨特的一次焊接工藝，配合公司先進的生產檢測設備解決了熱阻大、過流小、空洞率高等業(yè)界難題。為公司提供一系列優(yōu)良、高性能的功率模塊。目前公司主要產品；可...

淄博正高電氣有限公司的可控硅模塊一種晶閘管模塊組件。能解決現(xiàn)有的晶閘管組件存在的問題。包括散熱單元、晶閘管電路單元、絕緣單元，散熱單元包括下散熱器、上散熱器、緊固螺栓；晶閘管電路單元包括下電極、芯片、第二陰極壓塊、陰極壓塊、導電塊、第二芯片、第二導電塊、上電極；絕緣單元包括絕緣膠體、絕緣殼體、絕緣陶瓷、絕緣套管、絕緣件，絕緣膠體包裹在自導電塊及第二導電塊中下部開始經過陰極壓塊、第二芯片、芯片、第二陰極壓塊、下電極至下散熱器上，絕緣膠體橫向外側由絕緣殼體包裹，下電極與下散熱器之間的縫隙由絕緣陶瓷填充，下電極的左側通過絕緣件隔離，緊固螺栓外側套接所述絕緣套管。結構簡單新穎，操作及使用方便且實用性強...

可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。優(yōu)點/可控硅模塊編輯體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導體器件，其主要的功能是功率控制?？煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關斷可控硅等?？煽毓璧奶攸c是具有可控的單向導電性，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結構，形成3個PN結，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內電池負極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結的正向電阻，應有較小的阻值。如下圖所示。對調兩表筆后，測其反向電阻，應...

可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極a，陰極K和控制機G所構成的?？煽毓枘K的應用領域模塊應用詳細說明介紹：可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業(yè)、通訊等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能?？煽毓枘K的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號，通過調整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調節(jié)，實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通...

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金...

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金...

淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經濟發(fā)達、文化底蘊深厚的淄博市臨淄區(qū)，是專業(yè)從事電力電子產品、及其相關產品的開發(fā)、生產、銷售及服務為一體的高科技企業(yè)。主要生產各類規(guī)格型號的晶閘管智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產品，并可根據(jù)用戶需求進行產品設計加工。近年來，本公司堅持以人為本，始終立足于科技的前沿，狠抓產品質量，產品銷往全國各地，深受用戶的好評。淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步，在社會各界及客戶的大力支持下，生機勃發(fā)，春意盎然。面向未來，前程似錦，豪情滿懷。今后，我們將進一步優(yōu)化產品品質，堅持科技創(chuàng)新，一切為用戶著想，以前列的服...

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關斷可控硅等?？煽毓璧奶攸c是具有可控的單向導電性，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓?？煽毓杩梢杂萌f用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結構，形成3個PN結，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內電池負極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結的正向電阻，應有較小的阻值。如下圖所示。對調兩表筆后，測其反向電阻，應...

模塊散熱條件的好壞直接關系到產品的使用壽命和短時過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中必須配備散熱器和風機，建議采用帶有過熱保護功能的產品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經過嚴格測算，確定了不同型號的產品所應該配備的散熱器型號，推薦采用廠家配套的散熱器和風機，用戶自備時按以下原則選?。?、軸流風機的風速應大于6m/s；2、必須能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于80℃；3、模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現(xiàn)對流并適當增大散熱器面積；5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產生，模塊底板和...

大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結，相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路?，F(xiàn)在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的...

所以在運用中有必要裝備散熱器和風機，主張選用帶有過熱維護功用的商品，有水冷散熱條件的優(yōu)先挑選水冷散熱。經過嚴肅測算，斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型，推薦選用廠家配套的散熱器和風機，大家自備時可以按照以下準則挑選：1、軸流風機的風速應大于6m/s；2、有必要能確保模塊正常作業(yè)時散熱底板溫度不大于80℃；3、可控硅模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或選用天然冷卻；4、選用天然辦法冷卻時散熱器周圍的空氣能結束對流并恰當增大散熱器面積；5、悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊，壓線端子聯(lián)接強健，以削減次生熱量的發(fā)生，模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導熱硅脂或墊上一片底板大小的導熱墊，以抵達佳...

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應用較多?？煽毓栌腥齻€電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。其結構示意圖和符號。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有...

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號（小觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，此條件見表1應用舉例：可控硅在實際應用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來有直流觸發(fā)電路，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等。1.直流觸發(fā)電路：如...

大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結，相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路?，F(xiàn)在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的...

輸出電壓與輸入電壓比值很小，下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應選擇在大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算：I>KI負載U大，MU實際K：安全系數(shù)，阻性負載K=，感性負載K=2；I負載：負載流過的大電流；U...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件?？煽毓枘K從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(...

可控硅模塊又叫晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。用萬用表可以區(qū)分可控硅模塊的三個電極普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R100擋...

相當廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導通時間的一致性對于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時刻導通，使兩個管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對上述問題，通常采取強觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時間內導通。三、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應的范圍內進行移相。同時，無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調壓的...

BG集電極電平升高，SCR即開通，所以彩燈能隨室內收錄機播出的音樂節(jié)奏而閃爍發(fā)光。W可用來調節(jié)聲控靈敏度，W由大調小時，聲控靈敏度愈高，但W過小時，電燈常亮，這時就失去聲控作用，使用調試時，將W由大逐漸調小至某一阻值時，電燈即點亮，再將W退回少許（即稍微調大），電燈就熄滅，這時聲控靈敏度高，離HTD二三米遠處普通談話聲就能使彩燈閃爍。如嫌靈敏度太高，只要將W調大些即可，電燈長亮不熄，表示BG的放大倍數(shù)β值過小，應更換β大些的三極管。電阻均為1/8W碳膜電阻。簡易延時照明燈本文介紹的這種延時照明燈非常簡單，安裝也十分方便，將它直接連接于普通開關的兩端即可。使用時，打開開關電燈點亮，關燈后由于延時...

相當廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導通時間的一致性對于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時刻導通，使兩個管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對上述問題，通常采取強觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時間內導通。三、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應的范圍內進行移相。同時，無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調壓的...

即導通角為180（或p），正是由于正弦波被切割、波形遭受破壞，會給電網帶來干擾等問題……好的調光設備應采取必要措施，努力降低使用可控硅技術后產生的干擾?？煽毓璧淖饔每煽毓璧淖饔弥痪褪强煽卣?，這也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構成了一個可控整流電路。在一個基本的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時，可控硅才被觸發(fā)導通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間，來進一步調節(jié)負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用?？煽毓璧淖饔弥褪怯米鳠o觸...

即導通角為180（或p），正是由于正弦波被切割、波形遭受破壞，會給電網帶來干擾等問題……好的調光設備應采取必要措施，努力降低使用可控硅技術后產生的干擾?？煽毓璧淖饔每煽毓璧淖饔弥痪褪强煽卣?，這也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構成了一個可控整流電路。在一個基本的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時，可控硅才被觸發(fā)導通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間，來進一步調節(jié)負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。可控硅的作用之二就是用作無觸...

光控電子開關光控電子開關，它的“開”和“關”是靠可控硅的導通和阻斷來實現(xiàn)的，而可控硅的導通和阻斷又是受自然光的亮度（或人為亮度）的大小所控制的。該裝置適合作為街道、宿舍走廊或其它公共場所照明燈，起到日熄夜亮的控制作用，以節(jié)約用電。工作原理：電路如上圖所示，220V交流電通過燈泡H及整流全橋后，變成直流脈動電壓，作為正向偏壓，加在可控硅VS及R支路上。白天，亮度大于一定程度時，光敏二極管D呈現(xiàn)底阻狀態(tài)≤1KΩ，使三極管V截止，其發(fā)射極無電流輸出，單向可控硅VS因無觸發(fā)電流而阻斷。此時流過燈泡H的電流≤，燈泡H不能發(fā)光。電阻R1和穩(wěn)壓二極管DW使三極管V偏壓不超過，對三極管起保護作用。夜晚，亮度小...

可控硅模塊觸發(fā)電路時需要滿足的必定要求可控硅模塊的作用主要體驗在電路中，在電路中經常會見到可控硅模塊的身影，由此可見它的應用是多么的強大，可控硅模塊的其中一個作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時需要滿足三個必定條件，下面正高電氣帶您來看看這三個條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號應有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個過程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導通需要一定的時間，不是一觸即通，只有當可控硅的陽極電...

可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化。2,觸發(fā)導通在控制極G上加入正向電壓時因J3正偏，P2區(qū)的空穴時入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內部正反饋作用的基礎上，加上IGT的作用，使可控硅提前導通，導致圖3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。一、可控硅的概念和結構？晶閘管又叫可控硅。自從20世紀50年代問世以來已經發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件?？煽毓枘K從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(...

VT2截止，NE555第①腳接地端開路而不工作，此時，電路的耗電只為VT1、VT2的穿透電流，約3～5μA，四節(jié)電池能使用一年半以上。按下K1后，VT1飽和導通，R3兩端電壓接近電源電壓，VT2飽和導通，NE555工作，此時，NE555第②腳由高電平變?yōu)榈碗娖?，而且低?/3的電源電壓，NE555翻轉，第③腳輸出高電平，其一路能過R7驅動光電耦合器4N25，使雙向可控硅VS導通，床頭燈H點亮；另一路通過二極管VD1、電阻R6向VT2提供足夠大的偏流，維持VT2飽和導通，此時，即使K1斷開，VT2的工作狀態(tài)也不變，即NE555的暫穩(wěn)狀態(tài)不變。在此期間，電源經R5為C1充電，使C1兩端電壓不斷升高...

大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結，相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路?，F(xiàn)在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的...

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結構也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。②從外形方面來講，焊接式的模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影...