?IGBT驅(qū)動電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓栝_關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅...

由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動的。一般負(fù)載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負(fù)載之間常接有濾波器。濾波器對整流電流的直流分量無扼流作用，而對交流分量的感抗很大。這樣，就能在負(fù)載上得到平直的直流電壓Ud，其數(shù)值等于脈動電壓...

保護(hù)裝置整流變壓器微機保護(hù)裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機、高精度電流電壓互感器、高絕緣強度出口中間繼電器、高可靠開關(guān)電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護(hù)、通訊為一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù)。整流變壓器微機保護(hù)裝置的優(yōu)點1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護(hù)，...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，...

若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個關(guān)斷條件：1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向?？梢姡煽毓杵骷粲糜谥绷麟娐?，一旦為觸發(fā)信號開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次，才能使其關(guān)斷。若...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪健⑵桨迨胶推降资饺N，螺旋...

IGBT電源模塊通過集成MOSFET的柵極絕緣層與GTR的雙極型導(dǎo)電機制，實現(xiàn)低損耗高頻開關(guān)功能。其柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)施加正向電壓時形成導(dǎo)電溝道，集電極-發(fā)射極間呈現(xiàn)低阻抗特性 [1]主要部署于高壓能量轉(zhuǎn)換場景：1.工業(yè)控制：驅(qū)動交流電機調(diào)速系統(tǒng)，提升變...

阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，...

。不同的控制策略可以容易的被實現(xiàn)，特別是那些涉及外部輔助信號以顯著提高系統(tǒng)性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質(zhì)上是模塊化的，因此通過追加更多的TCR模塊就能達(dá)到擴容的目的，當(dāng)然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...

由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波，為了減小對電網(wǎng)的諧波污染，為了提高功率因數(shù)，必須提高整流設(shè)備的脈波數(shù)，這可以通過移相的方法來解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個相位移。整流變壓器***用于各類行業(yè)之中，主要分為照明、機床...

TCR的作用就像一個可變電納，改變觸發(fā)角就可以改變電納值，因為所加的交流電壓是恒定的，改變電納值就可以改變基波電流，從而導(dǎo)致電抗器吸收無功功率的變化。但是，當(dāng)觸發(fā)角超過90°以后，電流變?yōu)榉钦业?，隨之就產(chǎn)生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負(fù)半波對稱觸發(fā)，就只會...

2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗?。环粗畡t慢，同時開關(guān)損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和...

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種...

· 驅(qū)動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動器時必須要考慮。另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和...

要使晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變回阻斷狀態(tài)，需要使陽極電流減小到維持電流以下，或者使陽極電壓變?yōu)榉聪?。二、類型與特點類型：單向可控硅：具有單向?qū)щ娦?，常用于直流或單向交流電路的控制。雙向可控硅（TRIAC）：相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接，具有雙向?qū)üδ?，適用于交流電...

當(dāng)控制極G接收到觸發(fā)信號時，晶閘管會從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。值得注意的是，一旦晶閘管導(dǎo)通，即使控制極信號消失，只要陽極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)，直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現(xiàn)反向偏置時，才會重新回到截止?fàn)顟B(tài)。二、應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊...

這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)...

外加電壓使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態(tài)。整流二極管具有明...

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動電路。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT...

橋式整流模塊是一種將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的電力電子器件，采用進(jìn)口方形芯片、高級芯片支撐板，經(jīng)特殊燒結(jié)工藝，保證焊接層無空洞，使用更可靠。采用DCB板及其它高級導(dǎo)熱絕緣材料，導(dǎo)熱性能好，導(dǎo)熱基板不帶電（MDY2000型模塊除外），保證使用安全。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)超過國...

(3) 在跨越檔相鄰兩側(cè)桿塔上的放線滑車均應(yīng)采取接地保護(hù)措施。在跨越施工前，所有接地裝置必須安裝完畢且與鐵塔可靠連接。(4) 跨越不停電線路架線施工應(yīng)在良好天氣下進(jìn)行，遇雷電、雨、雪、霜、霧，相對濕度大于85%或5級以上大風(fēng)時，應(yīng)停止作業(yè)。如施工中遇到上述情況...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調(diào)控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進(jìn)口貼片元件...

跨越施工前應(yīng)由技術(shù)負(fù)責(zé)人按線路施工圖中交叉跨越點斷面圖，對跨越點交叉角度、被跨越不停電電力線路架空地線在交叉點的對地高度、下導(dǎo)線在交叉點的對地高度、導(dǎo)線邊線間寬度、地形情況進(jìn)行復(fù)測。根據(jù)復(fù)測結(jié)果，選擇跨越施工方案。(1) 跨越不停電電力線，在架線施工前，施工單...

2010年，中國科學(xué)院微電子研究所成功研制國內(nèi)***可產(chǎn)業(yè)化IGBT芯片，由中國科學(xué)院微電子研究所設(shè)計研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品（采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu)）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數(shù)均達(dá)到設(shè)計要求，部分性能優(yōu)于國外...

IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時間，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨...

不控整流電路是由無控制功能的整流二極管組成的整流電路。當(dāng)輸入交流電壓一定時，在負(fù)載上得到的直流電壓是不能調(diào)節(jié)的電路。它利用整流二極管的單向?qū)щ娦阅馨淹饧咏涣麟妷鹤優(yōu)橹绷麟妷?。對于理想情況，即整流二極管既無慣性又無損耗，因為二極管的開通和關(guān)斷只需幾微秒，對于50...

跨越施工前應(yīng)由技術(shù)負(fù)責(zé)人按線路施工圖中交叉跨越點斷面圖，對跨越點交叉角度、被跨越不停電電力線路架空地線在交叉點的對地高度、下導(dǎo)線在交叉點的對地高度、導(dǎo)線邊線間寬度、地形情況進(jìn)行復(fù)測。根據(jù)復(fù)測結(jié)果，選擇跨越施工方案。(1) 跨越不停電電力線，在架線施工前，施工單...

觸發(fā)電流（I_gt）和觸發(fā)電壓（V_gt）：用于觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通的電流和電壓。關(guān)斷時間（t_q）：晶閘管從完全導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時間。導(dǎo)通壓降（V_f）：晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下兩端的電壓降。浪涌電流能力（I_tsm）：晶閘管能夠承受的短時過載電流。動態(tài)dv...