吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠:半導(dǎo)體芯片制造的材料 YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。 YK-300 正性光刻膠分辨率達(dá) 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝...
操作細(xì)節(jié)與工藝優(yōu)化 無(wú)鉛錫片焊接操作 有鉛錫片焊接操作 預(yù)熱步驟 必須執(zhí)行階梯式預(yù)熱(如分低溫100℃→中溫150℃→高溫200℃),確保板材水分揮發(fā)和助焊劑激發(fā),減少爆板風(fēng)險(xiǎn)。 可簡(jiǎn)化預(yù)熱(甚至不預(yù)熱),直接進(jìn)入焊接溫度。 焊點(diǎn)...
感光機(jī)制 ? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過(guò)交聯(lián)反應(yīng)固化,適用于精細(xì)圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm)。 ? SBQ型(單液型):預(yù)混光敏劑,無(wú)需調(diào)配,感光度高(曝光時(shí)間...
應(yīng)用場(chǎng)景 領(lǐng)域 無(wú)鉛錫片適用場(chǎng)景 有鉛錫片適用場(chǎng)景 電子焊接與封裝 強(qiáng)制要求場(chǎng)景:如消費(fèi)電子(手機(jī)、電腦)、醫(yī)療器械、汽車電子(需滿足環(huán)保標(biāo)準(zhǔn))、食品接觸設(shè)備(如咖啡機(jī)內(nèi)部焊點(diǎn))。 受限場(chǎng)景:只在少數(shù)允許含鉛的領(lǐng)域使用,如非環(huán)保要求的低端...
晶須生長(zhǎng)的「隱患與對(duì)策」:純錫片在長(zhǎng)期應(yīng)力下可能產(chǎn)生「錫晶須」(直徑1-5μm,長(zhǎng)度可達(dá)1mm),導(dǎo)致電路短路。通過(guò)添加0.05%的鎳或銻,可抑制晶須生長(zhǎng)速率90%以上,保障精密儀器(如衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng))10年以上無(wú)故障運(yùn)行。 相圖原理的...
人才與生態(tài):跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)的“青黃不接” 前段人才的結(jié)構(gòu)性短缺 光刻膠研發(fā)需材料化學(xué)、半導(dǎo)體工藝、分析檢測(cè)等多領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)高校相關(guān)專業(yè)畢業(yè)生30%進(jìn)入光刻膠行業(yè),且缺乏具有10年以上經(jīng)驗(yàn)的工程師。日本企業(yè)通過(guò)“技術(shù)導(dǎo)師制”培養(yǎng)人才,...
合金的「性能調(diào)節(jié)器」:當(dāng)錫中加入0.5%-3%的銀(如SAC305焊錫片),合金熔點(diǎn)從231.9℃降至217℃,同時(shí)焊點(diǎn)抗拉強(qiáng)度提升40%,這種「溫柔的強(qiáng)化」讓錫片能在手機(jī)芯片焊接中承受高頻振動(dòng)而不斷裂。 導(dǎo)電性的「微米級(jí)橋梁」:在電...
錫渣回收的「零浪費(fèi)哲學(xué)」:電子廠的廢料錫渣(含錫95%以上)通過(guò)真空蒸餾技術(shù)(溫度500℃,真空度<1Pa)提純,回收率可達(dá)99.5%,在提純后的錫片雜質(zhì)含量<0.05%,重新用于偏高級(jí)方向芯片焊接,真正實(shí)現(xiàn)「從焊點(diǎn)到焊點(diǎn)」的閉環(huán)利用。 ...
物理與機(jī)械性能 無(wú)鉛錫片 有鉛錫片 熔點(diǎn) 較高,通常在217℃~260℃之間(取決于合金成分,如SAC305熔點(diǎn)217℃,Sn-Cu合金熔點(diǎn)227℃),焊接需更高溫度(240℃~260℃)。 較低,共晶合金(63Sn-37Pb)熔點(diǎn)183...
納米電子器件制造 ? 半導(dǎo)體芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻膠(分辨率≤10nm)用于制備晶體管柵極、納米導(dǎo)線等關(guān)鍵結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶體管)。 ? 二維材料器件:在石墨烯、二...
依托自主研發(fā)與國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈,吉田半導(dǎo)體 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%,躋身國(guó)內(nèi)前段企業(yè)。吉田半導(dǎo)體 YK-200 LCD 正性光刻膠采用國(guó)產(chǎn)樹(shù)脂與單體,實(shí)現(xiàn) 100% 國(guó)產(chǎn)化替代。其分辨率 0.35μm,附著力 > 3N/cm,性能優(yōu)于 JSR 的 AR-...
吉田半導(dǎo)體厚板光刻膠 JT-3001:國(guó)產(chǎn)技術(shù)助力 PCB 行業(yè)升級(jí) JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻,成為國(guó)產(chǎn) PCB 電路板制造推薦材料。 吉田半導(dǎo)體自主研發(fā)的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率 1.5μm,抗深蝕刻...
市場(chǎng)拓展 ? 短期目標(biāo):2025年前實(shí)現(xiàn)LCD光刻膠國(guó)內(nèi)市占率10%,半導(dǎo)體負(fù)性膠進(jìn)入中芯國(guó)際、華虹供應(yīng)鏈,納米壓印膠完成臺(tái)積電驗(yàn)證。 ? 長(zhǎng)期愿景:成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商,2030年芯片光刻膠營(yíng)收占比超40...
吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠:半導(dǎo)體芯片制造的材料 YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。 YK-300 正性光刻膠分辨率達(dá) 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝...
“設(shè)備-材料-工藝”閉環(huán)驗(yàn)證 吉田半導(dǎo)體與中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機(jī)制,針對(duì)28nm及以上成熟制程開(kāi)發(fā)專門(mén)使用光刻膠,例如其KrF光刻膠已通過(guò)中芯國(guó)際北京廠的產(chǎn)線驗(yàn)證,良率達(dá)95%以上。此外,公司參與國(guó)家重大專項(xiàng)(如02專項(xiàng)),與中...
應(yīng)用場(chǎng)景 半導(dǎo)體集成電路(IC)制造: ? 邏輯芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細(xì)圖案化(如10nm節(jié)點(diǎn)線寬只有100nm)。 ? 存儲(chǔ)...
技術(shù)研發(fā):從配方到工藝的經(jīng)驗(yàn)壁壘 配方設(shè)計(jì)的“黑箱效應(yīng)” 光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合,需通過(guò)數(shù)萬(wàn)次實(shí)驗(yàn)優(yōu)化。例如,ArF光刻膠需在193nm波長(zhǎng)下實(shí)現(xiàn)0.1μm分辨率,其光酸產(chǎn)率、熱穩(wěn)定性等參數(shù)需精確匹配光刻機(jī)性能...
光刻膠系列: 厚板光刻膠 JT - 3001,具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年; 水油光刻膠 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 負(fù)性光刻膠,分辨率優(yōu)異,對(duì)比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng)...
研發(fā)投入 ? 擁有自己實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)團(tuán)隊(duì),研發(fā)費(fèi)用占比超15%,聚焦EUV光刻膠前驅(qū)體、低缺陷納米壓印膠等前沿領(lǐng)域,與中山大學(xué)、華南理工大學(xué)建立產(chǎn)學(xué)研合作。 ? 專項(xiàng)布局:累計(jì)申請(qǐng)光刻膠相關(guān)的項(xiàng)目30余項(xiàng),涵蓋樹(shù)脂合成...
定義與特性 負(fù)性光刻膠是一種在曝光后,未曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比,其主要特點(diǎn)是耐蝕刻性強(qiáng)、工藝簡(jiǎn)單、成本低,但分辨率較低(通?!?μm),主要應(yīng)用于對(duì)精度要求相對(duì)較低、需...
吉田半導(dǎo)體水性感光膠 JT-1200:水油兼容,鋼片加工精度 ±5μm JT-1200 水性感光膠解決鋼片加工難題,提升汽車電子部件制造精度。 針對(duì)汽車電子鋼片加工需求,吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 JT-1200 水性感光膠實(shí)現(xiàn)水油兼容性達(dá) 100%,加工精度...
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司憑借技術(shù)創(chuàng)新與質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì),在半導(dǎo)體材料行業(yè)占據(jù)重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產(chǎn)品,其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強(qiáng)酸強(qiáng)堿環(huán)境,適用于高精度納米結(jié)構(gòu)制造;LCD 光刻膠以高穩(wěn)定性和精細(xì)度成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。...
納米壓印光刻膠 微納光學(xué)器件制造:制作衍射光學(xué)元件、微透鏡陣列等微納光學(xué)器件時(shí),納米壓印光刻膠可實(shí)現(xiàn)高精度的微納結(jié)構(gòu)復(fù)制。通過(guò)納米壓印技術(shù),將模板上的微納圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上,再經(jīng)過(guò)后續(xù)處理,可制造出具有特定光學(xué)性能的微納光學(xué)器件,應(yīng)用于光通信...
光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域 光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域: 半導(dǎo)體制造 ? 功能:在晶圓表面形成微細(xì)電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。 ? 分類: ...
國(guó)家大基金三期:注冊(cè)資本3440億元,明確將光刻膠列為重點(diǎn)投資領(lǐng)域,計(jì)劃投入超500億元支持樹(shù)脂、光引發(fā)劑等原料研發(fā),相當(dāng)于前兩期投入總和的3倍。 地方專項(xiàng)政策:湖北省對(duì)通過(guò)驗(yàn)證的光刻膠企業(yè)給予設(shè)備采購(gòu)補(bǔ)貼+稅收減免,武漢太紫微憑借全流程...
鋰電池的「儲(chǔ)鋰新希望」:科研團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的錫碳合金負(fù)極片(錫含量50%),利用錫的「合金化儲(chǔ)鋰」機(jī)制(每克錫可嵌入4.2個(gè)鋰原子),使電池能量密度從180mAh/g提升至350mAh/g,未來(lái)有望讓電動(dòng)車?yán)m(xù)航突破1000公里。 3D打印的...
不同光刻膠類型的適用場(chǎng)景對(duì)比 類型 波長(zhǎng)范圍 分辨率 典型應(yīng)用產(chǎn)品 G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣 吉田半導(dǎo)體JT-100系列 KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片...
厚板光刻膠 電路板制造:在制作對(duì)線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時(shí),厚板光刻膠可確保線路的精細(xì)度和穩(wěn)定性,比如汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的電路板,能承受復(fù)雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況。 功率器件制造:像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)...
國(guó)際廠商策略調(diào)整 應(yīng)用材料公司獲曝光后處理,可將光刻膠工藝效率提升40%。杜邦因反壟斷調(diào)查在中國(guó)市場(chǎng)面臨壓力,但其新一代乾膜式感光型介電質(zhì)材料(CYCLOTENE DF6000 PID)仍在推進(jìn),試圖通過(guò)差異化技術(shù)維持優(yōu)勢(shì)。日本企業(yè)則通過(guò)技術(shù)授權(quán)(...