當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正...
需要特別指出的是,二極管作為整流元件,要根據(jù)不同的整流方式和負(fù)載大小加以選擇。如選擇不當(dāng),則或者不能安全工作,甚至燒了管子;或者大材小用,造成浪費(fèi)。異常整流(anomalous rectification)內(nèi)向的整流作用。即指在膜上通電的時(shí)候,內(nèi)向的電流易于流...
LED的光學(xué)參數(shù)中重要的幾個(gè)方面就是:光通量、發(fā)光效率、發(fā)光強(qiáng)度、光強(qiáng)分布、波長(zhǎng)。發(fā)光效率和光通量發(fā)光效率就是光通量與電功率之比,單位一般為lm/W。發(fā)光效率**了光源的節(jié)能特性,這是衡量現(xiàn)代光源性能的一個(gè)重要指標(biāo)。發(fā)光強(qiáng)度和光強(qiáng)分布LED發(fā)光強(qiáng)度是表征它在某...
移相全橋 PWM DC/DC 變換器基本的全橋電路結(jié)構(gòu)基本的 DC/DC 全橋變換器由全橋逆變器和輸出整流濾波電路構(gòu)成,右圖 顯示了PWM DC/DC 全橋變換器的電路基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及主要波形。Vin是直流輸入電壓,Q1&D1~Q4&D4構(gòu)成變換器的兩個(gè)橋臂,高...
晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。它屬于NPNP四層器件,三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?,故除門極G以外的...
這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,具有無火花、動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個(gè)電極。但是,它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極,...
按電路結(jié)構(gòu)可分為零式電路和橋式電路1)零式電路指帶零點(diǎn)或中性點(diǎn)的電路,又稱半波電路。它的特點(diǎn)所有整流元件的陰極(或陽極)都接到一個(gè)公共接點(diǎn)﹐向直流負(fù)載供電﹐負(fù)載的另一根線接到交流電源的零點(diǎn)。2)橋式電路實(shí)際上是由兩個(gè)半波電路串聯(lián)而成,故又稱全波電路。3、按電網(wǎng)...
反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊...
另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10~100Ω,C=10~470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)...
變壓器次級(jí)電壓e2,是一個(gè)方向和大小都隨時(shí)間變化的正弦波電壓,它的波形如圖5-2所示。在0~π時(shí)間內(nèi),e2為正半周即變壓器上端為正下端為負(fù),此時(shí)二極管承受正向電壓面導(dǎo)通,e2通過它加在負(fù)載電阻Rfz上。在π~2π 時(shí)間內(nèi),e2為負(fù)半周,變壓器次級(jí)下端為正上端為...
3)多相整流電路 隨著整流電路的功率進(jìn)一步增大(如軋鋼電動(dòng)機(jī),功率達(dá)數(shù)兆瓦),為了減輕對(duì)電網(wǎng)的干擾﹐特別是減輕整流電路高次諧波對(duì)電網(wǎng)的影響,可采用十二相﹑十八相﹑二十四相,乃至三十六相的多相整流電路。采用多相整流電路能改善功率因數(shù),提高脈動(dòng)頻率,使變壓器初級(jí)電...
IGBT驅(qū)動(dòng):IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā),其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng),負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn),加快關(guān)斷速度,減小關(guān)斷損耗。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用**的驅(qū)動(dòng)芯片,如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系...
所以對(duì)這兩種整流電路,要求電路的整流二極管其承受反向峰值電壓的能力較高;兩只二極管導(dǎo)通,另兩只二極管截止,它們串聯(lián)起來承受正向峰值電壓,在每只二極管兩端只有正向峰值電壓的一半,所以對(duì)這一電路中整流二極管承受反向峰值電壓的能力要求較低。整流電路5、在要求直流電壓...
-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個(gè)應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器時(shí),必須考慮下列細(xì)節(jié):· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動(dòng)功率PG。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電...
IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻VISO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--...
IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時(shí),也具有低的通...
波長(zhǎng)對(duì)于LED的光譜特性我們主要看它的單色性是否優(yōu)良,而且要注意到紅、黃、藍(lán)、綠、白色LED等主要的顏色是否**。因?yàn)樵谠S多場(chǎng)合下,比如交通信號(hào)燈對(duì)顏色就要求比較嚴(yán)格,不過據(jù)觀察我國(guó)的一些LED信號(hào)燈中綠色發(fā)藍(lán),紅色的為深紅,從這個(gè)現(xiàn)象來看我們對(duì)LED的光譜特...
“驅(qū)動(dòng)”這個(gè)詞在中文中有多種含義,具體取決于上下文。以下是一些常見的解釋:物理意義:指推動(dòng)或驅(qū)使某物運(yùn)動(dòng)的力量或機(jī)制。例如,汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)汽車前進(jìn)。技術(shù)意義:在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域,驅(qū)動(dòng)程序(Driver)是指一種軟件,它使操作系統(tǒng)能夠與硬件設(shè)備進(jìn)行通信。例如,打印機(jī)...
變壓器次級(jí)電壓u21和u22大小相等,相位相反,即 u21 = - u22 。式中,U2 是變壓器次級(jí)半邊繞組交流電壓的有效值。全波整流電路的工作過程是:在u2 的正半周(ωt = 0~π)D1正偏導(dǎo)通,D2反偏截止,RL上有自上而下的電流流過,RL上的電壓與...
這樣一來,輸出高低電平時(shí),T3 一路和 T4 一路將交替工作,從而減低了功耗,提高了每個(gè)管的承受能力。又由于不論走哪一路,管子導(dǎo)通電阻都很小,使 RC 常數(shù)很小,轉(zhuǎn)變速度很快。因此,推拉式輸出級(jí)既提高電路的負(fù)載能力,又提高開關(guān)速度。推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分...
如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies...
意法ST公司:TW=5mA,SW=10mA,CW=35mA,BW=50mA,C=25mA,B=50mA,H=15mA,T=15mA,注意:以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍,產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值/典型值/最大值,而非“=”一個(gè)參數(shù)值。雙...
“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且*需一個(gè)觸發(fā)電路,是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端:TRIode(取**個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開...
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅??煽毓栝_關(guān)(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅...
led驅(qū)動(dòng)電路是一種用于可控硅調(diào)光器的電路,分為兩類AC/ DC轉(zhuǎn)換和DC/ DC轉(zhuǎn)換兩類,又根據(jù)驅(qū)動(dòng)原理的不同,可以分為線性驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路。LED在具體的使用時(shí),要注意驅(qū)動(dòng)電路的選用。LED 驅(qū)動(dòng)電路除了要滿足安全要求外,另外的基本功能應(yīng)有兩個(gè)方面:...
1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí),首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí),可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...
二極管的電路符號(hào)如圖1所示。二極管有兩個(gè)電極,由P區(qū)引出的電極是正極,又叫陽極;由N區(qū)引出的電極是負(fù)極,又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向,二極管的文字符號(hào)用VD表示。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)...
動(dòng)態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。 [4]電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時(shí)的穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化量。 [4]比較高工作頻率比較高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣,其結(jié)電容由勢(shì)壘電容組成。所以比...
MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。針對(duì)兩個(gè)與電源無關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在...
根據(jù)圖2中,RC充放電電路的輸出經(jīng)過增益電路后可得電流參考為:式中k為增益,VC為RC充放電電路的輸入電壓,τ為RC的時(shí)間系數(shù),θ為可控硅的導(dǎo)通角。則在**小導(dǎo)通角對(duì)應(yīng)的輸出為零,即電路輸出的**大值對(duì)應(yīng)電流參考的**大值:從式(1)和式(2)可得輸出電流表達(dá)...