MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的***,驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓下降。十分合適應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。下圖所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)...
技術(shù)賦能IDM模式優(yōu)勢:快速響應(yīng)客戶定制需求(如參數(shù)調(diào)整、封裝優(yōu)化),縮短產(chǎn)品開發(fā)周期211。全流程支持:提供從芯片選型、散熱設(shè)計(jì)到失效分析的一站式服務(wù),降低客戶研發(fā)門檻711。產(chǎn)能與成本優(yōu)勢12吋線規(guī)?;a(chǎn):2024年滿產(chǎn)后成本降低15%-20%,保障穩(wěn)定...
杭州瑞陽微電子代理品牌-吉林華微 技術(shù)演進(jìn)與研發(fā)動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品迭代新一代Trench FS IGBT:降低導(dǎo)通損耗20%,提升開關(guān)頻率,適配高頻應(yīng)用(如快充與服務(wù)器電源)10;逆導(dǎo)型IGBT(RC-IGBT):集成FRD功能,減少模塊體積,提升系統(tǒng)...
瑞陽方案:士蘭微1200V車規(guī)級IGBT模塊:導(dǎo)通壓降1.7V(競品2.1V),應(yīng)用于某新勢力SUV電機(jī)控制器,續(xù)航提升8%,量產(chǎn)成本下降1900元「IGBT+SiC二極管」組合:優(yōu)化比亞迪海豹OBC充電機(jī),充電效率從92%提升至96.5%,低溫-20℃充電速...
杭州瑞陽微電子代理品牌-吉林華微 吉林華微電子股份有限公司是中國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的**企業(yè),擁有**IDM(設(shè)計(jì)-制造-封裝一體化)**全產(chǎn)業(yè)鏈能力,總資產(chǎn)69億元,員工2300余人,其中技術(shù)人員占比超30%。公司擁有4英寸、5英寸、6英寸及12英寸晶...
一、IGBT芯片的定義與原理IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降特性,通過電壓控制實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)與高功率傳輸7810。其**結(jié)構(gòu)由柵極、集電極和發(fā)射極構(gòu)成,既能承受高電壓(600V以上)...
1.IGBT具有出色的功率特性,其重復(fù)性能***優(yōu)于MOSFET。在實(shí)際應(yīng)用中,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的恒定功率輸出,這對于提高整個(gè)系統(tǒng)的工作效率具有重要意義。2.以電動(dòng)汽車的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)為例,IGBT的高效功率輸出特性確保了電池能量能夠高效地轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)電機(jī)的動(dòng)力,使...
IPM(智能功率模塊)的驅(qū)動(dòng)電路確實(shí)支持低功耗設(shè)計(jì)。IPM以其低功耗的特點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,這在一定程度上得益于其驅(qū)動(dòng)電路的低功耗設(shè)計(jì)。 首先,IPM內(nèi)部的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)導(dǎo)通壓降低,且開關(guān)速度快,這直接減少了功耗。同時(shí),驅(qū)動(dòng)電...
瑞陽方案:士蘭微1200V車規(guī)級IGBT模塊:導(dǎo)通壓降1.7V(競品2.1V),應(yīng)用于某新勢力SUV電機(jī)控制器,續(xù)航提升8%,量產(chǎn)成本下降1900元「IGBT+SiC二極管」組合:優(yōu)化比亞迪海豹OBC充電機(jī),充電效率從92%提升至96.5%,低溫-20℃充電速...
杭州瑞陽微電子有限公司-由國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)***團(tuán)隊(duì)組建而成,主要人員均具有十年以上行業(yè)從業(yè)經(jīng)歷。他們在半導(dǎo)體領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)和深厚的技術(shù)功底,能夠?yàn)榭蛻籼峁I(yè)的技術(shù)支持和解決方案。2.從產(chǎn)品選型到應(yīng)用設(shè)計(jì),再到售后維護(hù),杭州瑞陽微電子的技術(shù)團(tuán)隊(duì)都能為客戶...
MOS 管應(yīng)用場景全解析:從微瓦到兆瓦的 “能效心臟“ 作為電壓控制型器件,MOS 管憑借低損耗、高頻率、易集成的特性,已滲透至電子產(chǎn)業(yè)全領(lǐng)域。以下基于 2025 年主流技術(shù)與場景,深度拆解其應(yīng)用邏輯: 工業(yè)控制:高效能的“自動(dòng)化引擎”伺服與變...
信號處理領(lǐng)域 憑借寄生電容低、開關(guān)頻率高的特點(diǎn),在射頻放大器中,作為**組件放大高頻信號,同時(shí)保持信號的低噪聲特性,為通信系統(tǒng)的發(fā)射端和接收端提供清晰、穩(wěn)定的信號支持,保障無線通信的順暢。 在混頻器和調(diào)制器中,用于信號的頻率轉(zhuǎn)換,憑借高開關(guān)速度...
快充充電器中的應(yīng)用 威兆VSP009N10MS是一款耐壓為110V的增強(qiáng)型NMOS,采用PDFN5×6封裝,使用5V邏輯電平控制,導(dǎo)阻為6.5mΩ,100%通過雪崩測試,采用無鉛無鹵素工藝制造,符合RoHS規(guī)范,可應(yīng)用于同步整流的MOS管,助力充電器...
1.隨著科技的不斷進(jìn)步和市場需求的持續(xù)增長,IGBT市場前景廣闊。杭州瑞陽微電子將繼續(xù)秉承創(chuàng)新、合作、共贏的發(fā)展理念,不斷提升自身實(shí)力。2.在技術(shù)創(chuàng)新方面,公司將加大研發(fā)投入,積極探索IGBT的新技術(shù)、新工藝,提升產(chǎn)品性能和質(zhì)量。在市場拓展方面,公司將進(jìn)一步加...
考慮載流子的存儲(chǔ)效應(yīng),關(guān)斷時(shí)需要***過剩載流子,這會(huì)導(dǎo)致關(guān)斷延遲,影響開關(guān)速度。這也是 IGBT 在高頻應(yīng)用中的限制,相比 MOSFET,開關(guān)速度較慢,但導(dǎo)通壓降更低,適合高壓大電流。 IGBT的物理結(jié)構(gòu)是理解其原理的基礎(chǔ)(以N溝道IGBT為例):...
IGBT的高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度是關(guān)鍵,這些特點(diǎn)使得它在節(jié)能和高效方面表現(xiàn)突出。如新能源汽車的主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、工業(yè)變頻器等。 挑戰(zhàn)與機(jī)遇技術(shù)壁壘:高壓大電流芯片(如1700V/200A)的良率與可靠性仍需突破15。產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同:F...
技術(shù)賦能IDM模式優(yōu)勢:快速響應(yīng)客戶定制需求(如參數(shù)調(diào)整、封裝優(yōu)化),縮短產(chǎn)品開發(fā)周期211。全流程支持:提供從芯片選型、散熱設(shè)計(jì)到失效分析的一站式服務(wù),降低客戶研發(fā)門檻711。產(chǎn)能與成本優(yōu)勢12吋線規(guī)?;a(chǎn):2024年滿產(chǎn)后成本降低15%-20%,保障穩(wěn)定...
MOS 管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,MOSFET),是通過柵極電壓精細(xì)調(diào)控電流的半導(dǎo)體器件,被譽(yù)為電子電路的 “智能閥門”。其**結(jié)構(gòu)以絕緣氧化層隔離柵極與導(dǎo)電溝道,實(shí)現(xiàn)高輸入阻抗(>10^12Ω)、低導(dǎo)通電阻(mΩ 級)、納秒級開關(guān)速度三大特性,廣...
在可再生能源發(fā)電領(lǐng)域,某大型光伏電站使用我們的IGBT產(chǎn)品后,發(fā)電效率提高了[X]%,有效降低了發(fā)電成本,提高了電站的經(jīng)濟(jì)效益。這些成功案例充分證明了我們產(chǎn)品的***性能和可靠性。 我們擁有一支專業(yè)的服務(wù)團(tuán)隊(duì),為客戶提供***的支持和保障。在售前階段...
IGBT主要由芯片、覆銅陶瓷襯底、基板、散熱器等部分通過精密焊接組合而成。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)來看,它擁有柵極G、集電極c和發(fā)射極E,屬于典型的三端器件,這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)賦予了IGBT獨(dú)特的電氣性能和工作特性。 其中,芯片是IGBT的**,如同人類的大腦,負(fù)責(zé)處理...
隨著全球經(jīng)濟(jì)的發(fā)展以及新能源產(chǎn)業(yè)的崛起,IGBT市場規(guī)模呈現(xiàn)出持續(xù)增長的態(tài)勢。據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,近年來IGBT市場規(guī)模不斷擴(kuò)大,預(yù)計(jì)在未來幾年還將保持較高的增長率。 新能源汽車、可再生能源發(fā)電、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)GBT的強(qiáng)勁需求,成為推動(dòng)市場規(guī)模增長的...
1.選擇與杭州瑞陽微電子合作,客戶將享受到豐富的產(chǎn)品資源。公司代理的眾多品牌和豐富的產(chǎn)品種類,能夠滿足客戶多樣化的需求,為客戶提供一站式采購服務(wù),節(jié)省采購成本和時(shí)間。2.專業(yè)的技術(shù)支持是杭州瑞陽微電子的**優(yōu)勢之一。公司的技術(shù)團(tuán)隊(duì)能夠?yàn)榭蛻籼峁漠a(chǎn)品設(shè)計(jì)到應(yīng)用...
考慮載流子的存儲(chǔ)效應(yīng),關(guān)斷時(shí)需要***過剩載流子,這會(huì)導(dǎo)致關(guān)斷延遲,影響開關(guān)速度。這也是 IGBT 在高頻應(yīng)用中的限制,相比 MOSFET,開關(guān)速度較慢,但導(dǎo)通壓降更低,適合高壓大電流。 IGBT的物理結(jié)構(gòu)是理解其原理的基礎(chǔ)(以N溝道IGBT為例):...
在光伏、風(fēng)電等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中,IGBT是不可或缺的關(guān)鍵器件。在光伏逆變器中,IGBT將太陽能電池產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,送入電網(wǎng),就像一個(gè)“電力翻譯官”,實(shí)現(xiàn)不同電流形式的轉(zhuǎn)換。 在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中,IGBT用于控制變流器和逆變器,調(diào)整和同步發(fā)...
1.IGBT主要由三部分構(gòu)成:金屬氧化物半導(dǎo)體氧化層(MOS)、雙極型晶體管(BJT)和絕緣層。2.MOS是IGBT的**控制部分,通過控制電路調(diào)節(jié)其金屬氧化物半導(dǎo)體氧化層,進(jìn)而精細(xì)控制晶體管的電流和電壓參數(shù);BJT負(fù)責(zé)產(chǎn)生高功率,是實(shí)現(xiàn)大功率輸出的關(guān)鍵;...
三、技術(shù)演進(jìn)趨勢芯片工藝微溝槽柵技術(shù):導(dǎo)通電阻降低15%薄晶圓加工:厚度<70μm(1200V器件)封裝創(chuàng)新DSC雙面冷卻:熱阻降低40%.XT互聯(lián)技術(shù):功率循環(huán)能力提升5倍材料突破SiC混合模塊:開關(guān)損耗減少30%鋁線鍵合→銅線鍵合:熱疲勞壽命提升10倍...
集成度高 MOS管易于集成到大規(guī)模集成電路中,是現(xiàn)代電子技術(shù)發(fā)展的重要基礎(chǔ)。它讓電子設(shè)備體積更小、功能更強(qiáng)大,像手機(jī)、電腦等電子產(chǎn)品中的芯片,都離不開MOS管的集成應(yīng)用,推動(dòng)了電子設(shè)備向小型化、智能化發(fā)展。 可以把它看作是“電子積木”,能夠方便...
在新能源汽車中,IGBT扮演著至關(guān)重要的角色,是電動(dòng)汽車及充電樁等設(shè)備的**技術(shù)部件。在電動(dòng)控制系統(tǒng)中,IGBT模塊負(fù)責(zé)將大功率直流/交流(DC/AC)逆變,為汽車電機(jī)提供動(dòng)力,就像汽車的“心臟起搏器”,確保電機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行。 在車載空調(diào)控制系統(tǒng)中,...
1.選擇與杭州瑞陽微電子合作,客戶將享受到豐富的產(chǎn)品資源。公司代理的眾多品牌和豐富的產(chǎn)品種類,能夠滿足客戶多樣化的需求,為客戶提供一站式采購服務(wù),節(jié)省采購成本和時(shí)間。2.專業(yè)的技術(shù)支持是杭州瑞陽微電子的**優(yōu)勢之一。公司的技術(shù)團(tuán)隊(duì)能夠?yàn)榭蛻籼峁漠a(chǎn)品設(shè)計(jì)到應(yīng)用...
行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢國產(chǎn)化進(jìn)程加速國內(nèi)廠商如士蘭微、芯導(dǎo)科技已突破1200V/200A芯片技術(shù),車規(guī)級模塊通過認(rèn)證,逐步替代英飛凌、三菱等國際品牌410。芯導(dǎo)科技2024年?duì)I收3.53億元,重點(diǎn)開發(fā)650V/1200V IGBT芯片,并布局第三代半導(dǎo)體(GaN ...