SDRAM各管腳功能說(shuō)明：1、CLK是由系統(tǒng)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的，SDRAM所有的輸入信號(hào)都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計(jì)數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，高電平時(shí)時(shí)鐘有效，低電平時(shí)時(shí)鐘無(wú)效，CKE為低電平時(shí)SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時(shí)包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效，當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部所有的命令信號(hào)都被屏蔽，同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效，這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，D...

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號(hào)線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時(shí)保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號(hào)是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時(shí)良好的信號(hào)完整性。2、對(duì)于DDR信號(hào)數(shù)據(jù)信號(hào)DQ是參考選通信號(hào)DQS的，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號(hào)+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號(hào)+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號(hào)組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成8組，每組里面的所有信號(hào)在布局布線時(shí)要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長(zhǎng)度上匹配，這樣才能保證良好的信號(hào)完整性和時(shí)序匹配關(guān)系，要保證過(guò)孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)...

FPGA管換注意事項(xiàng)，首先和客戶確認(rèn)是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導(dǎo)入更改之后再調(diào)整管腳，管換的一般原則如下，在調(diào)整時(shí)應(yīng)嚴(yán)格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調(diào)整，I/O管腳、Input管腳或者Output管腳可調(diào)整。（2）FPGA的同一BANK的供電電壓相同，如果兩個(gè)Bank電壓不同，則I/O管腳不能交換；如果電壓相同，應(yīng)優(yōu)先考慮在同一BANK內(nèi)交換，其次在BANK間交換。（3）對(duì)于全局時(shí)鐘管腳，只能在全局時(shí)鐘管腳間進(jìn)行調(diào)整，并與客戶進(jìn)行確認(rèn)。（4）差分信號(hào)對(duì)要關(guān)聯(lián)起來(lái)成對(duì)調(diào)整，成對(duì)調(diào)整，不能單根調(diào)整，即N和N調(diào)整，P和P調(diào)整...

生成Gerber文件（1）生成Gerber文件：根據(jù)各EDA軟件操作，生成Gerber文件。（2）檢查Gerber文件：檢查Gerber文件步驟：種類→數(shù)量→格式→時(shí)間。Gerber文件種類及數(shù)量：各層線路、絲印層、阻焊層、鋼網(wǎng)層、鉆孔表、IPC網(wǎng)表必須齊全且不能重復(fù)。盲埋孔板或背鉆板輸出的鉆孔文件個(gè)數(shù)與孔的類型有關(guān)，有多少種盲埋孔或背鉆孔，就會(huì)對(duì)應(yīng)有多少個(gè)鉆孔文件，要注意核實(shí)確認(rèn)。Gerber文件格式：Mentor、Allegro、AD、Pads依據(jù)各EDA設(shè)計(jì)軟件操作手冊(cè)生成。所有Gerber文件生成時(shí)間要求保持在連續(xù)5分鐘以內(nèi)。 IPC網(wǎng)表自檢將Gerber文件導(dǎo)入CAM350軟件進(jìn)行I...

電氣方面注意事項(xiàng)（1）TVS管、ESD、保險(xiǎn)絲等保護(hù)器件靠近接口放置；（2）熱敏器件遠(yuǎn)離大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分區(qū)布局；（4）數(shù)字、模擬器件分區(qū)布局；（5）電源模塊、模擬電路、時(shí)鐘電路、射頻電路、隔離器件布局按器件資料；（6）串聯(lián)電阻靠近源端放置；串聯(lián)電容靠近末端放置；并聯(lián)電阻靠近末端放置；（7）退藕電容靠近芯片的電源管腳；（8）接口電路靠近接口；（9）充分考慮收發(fā)芯片距離，以便走線長(zhǎng)度滿足要求；（10）器件按原理圖擺一起；（11）二極管、LED等極性與原理圖應(yīng)保持一致。DDR3的PCB布局布線要求是什么？宜昌如何PCB設(shè)計(jì)怎么樣導(dǎo)入網(wǎng)表（1）原理圖和PCB文件各自之一的設(shè)計(jì)，...

電源電路放置優(yōu)先處理開(kāi)關(guān)電源模塊布局，并按器件資料要求設(shè)計(jì)。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個(gè)管腳共用同一過(guò)孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過(guò)孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優(yōu)先把電源、地進(jìn)行合并，且合并的管腳不能超過(guò)2個(gè)，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤或者8角焊盤：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，04...

繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板（1）設(shè)置允許布局區(qū)域：回流焊?jìng)魉瓦叺膶挾纫鬄?mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件；一般使用板框長(zhǎng)邊用作回流焊?jìng)魉瓦?；短邊?nèi)縮默認(rèn)2mm，不小于1mm；如短邊作為傳送邊時(shí)，寬長(zhǎng)比＞2:3；傳送邊進(jìn)板方向不允許有缺口；傳送邊中間有缺口時(shí)長(zhǎng)度不超過(guò)傳送邊1/3。特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄表》中。（2）設(shè)置允許布線區(qū)域：允許布線區(qū)域?yàn)閺陌蹇蜻吘墐?nèi)縮默認(rèn)40Mil，不小于20Mil；特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（3）螺釘孔禁布區(qū)域由器件焊盤單邊向外擴(kuò)大1mm，...

電源模塊擺放電源模塊要遠(yuǎn)離易受干擾的電路，如ADC、DAC、RF、時(shí)鐘等電路模塊，發(fā)熱量大的電源模塊，需要拉大與其它電路的距離，與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源，靠近模塊擺放，負(fù)載為整板電源供電的模塊優(yōu)先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板邊擺放，便于插拔,客戶有指定位置除外。（2）驅(qū)動(dòng)電路靠近接口擺放。（3）測(cè)溫電路靠近發(fā)熱量大的電源模塊或功耗比較高的芯片擺放,擺放時(shí)確定正反面。（4）光耦、繼電器、隔離變壓器、共模電感等隔離器件的輸入輸出模塊分開(kāi)擺放,隔離間距40Mil以上。（5）熱敏感元件（電解電容、晶振）遠(yuǎn)離大功率的功能模塊、散熱...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計(jì)到DRAM芯片內(nèi)部，用來(lái)改善信號(hào)品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡(jiǎn)單，布局布線也相對(duì)較容易一些。說(shuō)明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因?yàn)閿?shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個(gè)方向的要求。而在DDR2芯片提供一個(gè)ODT引腳來(lái)控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。寫操作時(shí)，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開(kāi)芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時(shí)，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。OD...

DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說(shuō)明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡(jiǎn)述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘，DDR的所有命令信號(hào)，地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行...

導(dǎo)入網(wǎng)表（1）原理圖和PCB文件各自之一的設(shè)計(jì)，在原理圖中生成網(wǎng)表，并導(dǎo)入到新建PCBLayout文件中，確認(rèn)網(wǎng)表導(dǎo)入過(guò)程中無(wú)錯(cuò)誤提示，確保原理圖和PCB的一致性。（2）原理圖和PCB文件為工程文件的，把創(chuàng)建的PCB文件的放到工程中，執(zhí)行更新網(wǎng)表操作。（3）將導(dǎo)入網(wǎng)表后的PCBLayout文件中所有器件無(wú)遺漏的全部平鋪放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內(nèi)。（4）為確保原理圖和PCB的一致性，需與客戶確認(rèn)軟件版本，設(shè)計(jì)時(shí)使用和客戶相同軟件版本。（5）不允許使用替代封裝，資料不齊全時(shí)暫停設(shè)計(jì)；如必須替代封裝，則替代封裝在絲印字符層寫上“替代”、字體大小和封裝體一樣。什么是模擬電源和...

關(guān)鍵信號(hào)布線（1）射頻信號(hào)：優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點(diǎn)接地。（2）中頻、低頻信號(hào)：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號(hào)不要進(jìn)入中頻、低頻信號(hào)布線區(qū)域。（3）時(shí)鐘信號(hào)：時(shí)鐘走線長(zhǎng)度＞500Mil時(shí)必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時(shí)鐘頻率≥100M時(shí)在換層處增加回流地過(guò)孔。（4）高速信號(hào)：5G以上的高速串行信號(hào)需同時(shí)在過(guò)孔處增加回流地過(guò)孔。PCB設(shè)計(jì)中PCI-E接口通用設(shè)計(jì)要求有哪些？荊州高效PCB設(shè)計(jì)原理工藝方面注意事項(xiàng)（1）質(zhì)量較大、體...

通過(guò)規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求，提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護(hù)部門設(shè)計(jì)部。定義與縮略語(yǔ)（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計(jì)為印制電路板圖的全過(guò)程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具繪制，表達(dá)硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具自動(dòng)生成的，表達(dá)元器件電氣連接關(guān)系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖，把元器件放置到板上的過(guò)程。（6）布線：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求...

關(guān)鍵信號(hào)布線（1）射頻信號(hào)：優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點(diǎn)接地。（2）中頻、低頻信號(hào)：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號(hào)不要進(jìn)入中頻、低頻信號(hào)布線區(qū)域。（3）時(shí)鐘信號(hào)：時(shí)鐘走線長(zhǎng)度＞500Mil時(shí)必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時(shí)鐘頻率≥100M時(shí)在換層處增加回流地過(guò)孔。（4）高速信號(hào)：5G以上的高速串行信號(hào)需同時(shí)在過(guò)孔處增加回流地過(guò)孔。DDR與SDRAM信號(hào)的不同之處在哪？孝感設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)加工導(dǎo)入網(wǎng)表（1）原理圖和PCB文件各自之一的...

生成Gerber文件（1）生成Gerber文件：根據(jù)各EDA軟件操作，生成Gerber文件。（2）檢查Gerber文件：檢查Gerber文件步驟：種類→數(shù)量→格式→時(shí)間。Gerber文件種類及數(shù)量：各層線路、絲印層、阻焊層、鋼網(wǎng)層、鉆孔表、IPC網(wǎng)表必須齊全且不能重復(fù)。盲埋孔板或背鉆板輸出的鉆孔文件個(gè)數(shù)與孔的類型有關(guān)，有多少種盲埋孔或背鉆孔，就會(huì)對(duì)應(yīng)有多少個(gè)鉆孔文件，要注意核實(shí)確認(rèn)。Gerber文件格式：Mentor、Allegro、AD、Pads依據(jù)各EDA設(shè)計(jì)軟件操作手冊(cè)生成。所有Gerber文件生成時(shí)間要求保持在連續(xù)5分鐘以內(nèi)。 IPC網(wǎng)表自檢將Gerber文件導(dǎo)入CAM350軟件進(jìn)行I...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計(jì)到DRAM芯片內(nèi)部，用來(lái)改善信號(hào)品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡(jiǎn)單，布局布線也相對(duì)較容易一些。說(shuō)明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因?yàn)閿?shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個(gè)方向的要求。而在DDR2芯片提供一個(gè)ODT引腳來(lái)控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。寫操作時(shí)，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開(kāi)芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時(shí)，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。OD...

電源、地處理，（1）不同電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮分割帶優(yōu)先≥20Mil，在BGA投影區(qū)域內(nèi)分隔帶小為10Mil。（2）開(kāi)關(guān)電源按器件資料單點(diǎn)接地，電感下不允許走線；（3）電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮的最小寬度處滿足電源、地電流大小的通流能力，參考4.8銅皮寬度通流表。（4）電源、地平面的換層處過(guò)孔數(shù)量必須滿足電流載流能力，參考4.8過(guò)孔孔徑通流表。（5）3個(gè)以上相鄰過(guò)孔反焊盤邊緣間距≥4Mil，禁止出現(xiàn)過(guò)孔割斷銅皮的情況，（6）模擬電源、模擬地只在模擬區(qū)域劃分，數(shù)字電源、數(shù)字地只在數(shù)字區(qū)域劃分，投影區(qū)域在所有層面禁止重疊，如下如圖所示。建議在模擬區(qū)域的所有平面層鋪模擬地處理（7）跨區(qū)信號(hào)線從模擬地和數(shù)字地的橋接處...

電源電路放置優(yōu)先處理開(kāi)關(guān)電源模塊布局，并按器件資料要求設(shè)計(jì)。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個(gè)管腳共用同一過(guò)孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過(guò)孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優(yōu)先把電源、地進(jìn)行合并，且合并的管腳不能超過(guò)2個(gè)，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤或者8角焊盤：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，04...

布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說(shuō)明書》對(duì)整板布線約束的要求。同時(shí)也應(yīng)該符合客戶對(duì)過(guò)孔工藝、小線寬線距等的特殊要求，無(wú)法滿足時(shí)需和客戶客戶溝通并記錄到《設(shè)計(jì)中心溝通記錄》郵件通知客戶確認(rèn)。布線的流程步驟如下：關(guān)鍵信號(hào)布線→整板布線→ICT測(cè)試點(diǎn)添加→電源、地處理→等長(zhǎng)線處理→布線優(yōu)化，關(guān)鍵信號(hào)布線關(guān)鍵信號(hào)布線的順序：射頻信號(hào)→中頻、低頻信號(hào)→時(shí)鐘信號(hào)→高速信號(hào)。關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循如下基本原則：★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號(hào)層走線?！镆勒詹季智闆r短布線。★走線間距單端線必須滿足3W以...

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

整板扇出（1）對(duì)板上已處理的表層線和過(guò)孔按照規(guī)則進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。（2）格點(diǎn)優(yōu)先選用25Mil的，其次采用5Mil格點(diǎn)，過(guò)孔扇出在格點(diǎn)上，相同器件過(guò)孔走線采用復(fù)制方式，保證過(guò)孔上下左右對(duì)齊、常見(jiàn)分立器件的扇出形式（3）8MIL過(guò)孔中心間距35MIL以上，10MIL過(guò)孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過(guò)孔間距一般為30Mil（或過(guò)孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過(guò)電容再打過(guò)孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過(guò)孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔，模塊內(nèi)通過(guò)表層線直連，無(wú)法連接的打過(guò)孔處理。（6）電源輸出過(guò)孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過(guò)孔扇出在輸入濾波電容之前，過(guò)孔...

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見(jiàn)接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見(jiàn)接口模塊：常用外設(shè)接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號(hào)流向?qū)⒏鹘涌谀K電路靠近其所對(duì)應(yīng)的接口擺放，采用“先防護(hù)后濾波”的思路擺放接口保護(hù)器件，常用接口模塊參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。（2）電源接口模塊：根據(jù)信號(hào)流向依次擺放保險(xiǎn)絲、穩(wěn)壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿足載流要求。高低電壓區(qū)域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留...

導(dǎo)入網(wǎng)表（1）原理圖和PCB文件各自之一的設(shè)計(jì)，在原理圖中生成網(wǎng)表，并導(dǎo)入到新建PCBLayout文件中，確認(rèn)網(wǎng)表導(dǎo)入過(guò)程中無(wú)錯(cuò)誤提示，確保原理圖和PCB的一致性。（2）原理圖和PCB文件為工程文件的，把創(chuàng)建的PCB文件的放到工程中，執(zhí)行更新網(wǎng)表操作。（3）將導(dǎo)入網(wǎng)表后的PCBLayout文件中所有器件無(wú)遺漏的全部平鋪放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內(nèi)。（4）為確保原理圖和PCB的一致性，需與客戶確認(rèn)軟件版本，設(shè)計(jì)時(shí)使用和客戶相同軟件版本。（5）不允許使用替代封裝，資料不齊全時(shí)暫停設(shè)計(jì)；如必須替代封裝，則替代封裝在絲印字符層寫上“替代”、字體大小和封裝體一樣。PCB典型的電路...

FPGA管換注意事項(xiàng)，首先和客戶確認(rèn)是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導(dǎo)入更改之后再調(diào)整管腳，管換的一般原則如下，在調(diào)整時(shí)應(yīng)嚴(yán)格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調(diào)整，I/O管腳、Input管腳或者Output管腳可調(diào)整。（2）FPGA的同一BANK的供電電壓相同，如果兩個(gè)Bank電壓不同，則I/O管腳不能交換；如果電壓相同，應(yīng)優(yōu)先考慮在同一BANK內(nèi)交換，其次在BANK間交換。（3）對(duì)于全局時(shí)鐘管腳，只能在全局時(shí)鐘管腳間進(jìn)行調(diào)整，并與客戶進(jìn)行確認(rèn)。（4）差分信號(hào)對(duì)要關(guān)聯(lián)起來(lái)成對(duì)調(diào)整，成對(duì)調(diào)整，不能單根調(diào)整，即N和N調(diào)整，P和P調(diào)整...

關(guān)鍵信號(hào)布線（1）射頻信號(hào)：優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點(diǎn)接地。（2）中頻、低頻信號(hào)：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號(hào)不要進(jìn)入中頻、低頻信號(hào)布線區(qū)域。（3）時(shí)鐘信號(hào)：時(shí)鐘走線長(zhǎng)度＞500Mil時(shí)必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時(shí)鐘頻率≥100M時(shí)在換層處增加回流地過(guò)孔。（4）高速信號(hào)：5G以上的高速串行信號(hào)需同時(shí)在過(guò)孔處增加回流地過(guò)孔。PCB設(shè)計(jì)常用規(guī)則之絲印調(diào)整。黃石專業(yè)PCB設(shè)計(jì)包括哪些布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須...

設(shè)計(jì)規(guī)劃設(shè)計(jì)規(guī)劃子流程：梳理功能要求→確認(rèn)設(shè)計(jì)要求→梳理設(shè)計(jì)要求。梳理功能要求（1）逐頁(yè)瀏覽原理圖，熟悉項(xiàng)目類型。項(xiàng)目類型可分為：數(shù)字板、模擬板、數(shù)?；旌习?、射頻板、射頻數(shù)?；旌习?、功率電源板、背板等，依據(jù)項(xiàng)目類型逐頁(yè)查看原理圖梳理五大功能模塊：輸入模塊、輸出模塊、電源模塊、信號(hào)處理模塊、時(shí)鐘及復(fù)位模塊。（2）器件認(rèn)定：在單板設(shè)計(jì)中，承擔(dān)信號(hào)處理功能器件，或因體積較大，直接影響布局布線的器件。如：FPGA，DSP，A/D芯片，D/A芯片，恒溫晶振，時(shí)鐘芯片，大體積電源芯片。確認(rèn)設(shè)計(jì)要求（1）客戶按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》表格模板，規(guī)范填寫，信息無(wú)遺漏；可以協(xié)助客戶梳理《PCBLa...

電氣方面注意事項(xiàng)（1）TVS管、ESD、保險(xiǎn)絲等保護(hù)器件靠近接口放置；（2）熱敏器件遠(yuǎn)離大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分區(qū)布局；（4）數(shù)字、模擬器件分區(qū)布局；（5）電源模塊、模擬電路、時(shí)鐘電路、射頻電路、隔離器件布局按器件資料；（6）串聯(lián)電阻靠近源端放置；串聯(lián)電容靠近末端放置；并聯(lián)電阻靠近末端放置；（7）退藕電容靠近芯片的電源管腳；（8）接口電路靠近接口；（9）充分考慮收發(fā)芯片距離，以便走線長(zhǎng)度滿足要求；（10）器件按原理圖擺一起；（11）二極管、LED等極性與原理圖應(yīng)保持一致。射頻、中頻電路的基本概念是什么？鄂州專業(yè)PCB設(shè)計(jì)走線等長(zhǎng)線處理等長(zhǎng)線處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長(zhǎng)線...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡(jiǎn)稱，是使用很的一種存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時(shí)鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時(shí)鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當(dāng)數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的...

評(píng)估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評(píng)估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關(guān)注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內(nèi)無(wú)BGA封裝的芯片，一般可以用一個(gè)電源層處理所有的電源；如果有BGA封裝的芯片，主要以BGA封裝芯片為評(píng)估對(duì)象，如果BGA內(nèi)的電源種類數(shù)≤3種，用一個(gè)電源平面，如果＞3種，則使用2個(gè)電源平面，如果＞6則使用3個(gè)電源平面，以此類推。備注：1、對(duì)于電流＜1A的電源可以采用走線層鋪銅的方式處理。2、對(duì)于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號(hào)層鋪銅的方式處理。地平面層數(shù)的評(píng)估：在確定了走線層...