可控硅是一種半導(dǎo)體器件，也被稱為可控硅閘流體（SCR）。它是一種具有雙向?qū)щ娦缘钠骷梢栽趯?dǎo)通狀態(tài)和阻斷狀態(tài)之間切換。根據(jù)不同的特性和應(yīng)用，可控硅可以分為以下幾類：1.可控硅（HVSCR）：適用于和大功率應(yīng)用，通常用于電力系統(tǒng)中的電壓和電流。2.低壓可控硅（...

當(dāng)正向電壓達(dá)到一定的觸發(fā)電壓（也稱為門極電壓）時(shí)，晶閘管開始導(dǎo)通。3.導(dǎo)通狀態(tài)：一旦晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通，它將進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。在導(dǎo)通狀態(tài)下，晶閘管的主體結(jié)的PN結(jié)保持正向偏置，使得電流可以從主體結(jié)的陽極（Anode）流向陰極（Cathode）。晶閘管將保持導(dǎo)通狀態(tài)，...

晶閘管（Thyristor）是一種雙向?qū)щ姷陌雽?dǎo)體器件，其工作原理基于PN結(jié)的正向和反向特性。晶閘管主要由四個(gè)層次的PN結(jié)組成，分別是P-N-P-N結(jié)構(gòu)。晶閘管的工作原理如下：1.關(guān)斷狀態(tài)：當(dāng)晶閘管的控制極（Gate）施加零電壓時(shí)，晶閘管處于關(guān)斷狀態(tài)。此時(shí)，晶...

可控硅（SiliconControlledRectifier，SCR）是一種重要的功率電子器件，具有可控性和整流功能。它在電力電子領(lǐng)域中被廣泛應(yīng)用于電力控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源供應(yīng)、電焊、變頻調(diào)速等領(lǐng)域。下面是對(duì)可控硅的作用、設(shè)計(jì)、銷售和組成的簡(jiǎn)介。一、作用：可控...

78XX系列集成穩(wěn)壓器的典型應(yīng)用電路如下圖所示，這是一個(gè)輸出正5V直流電壓的穩(wěn)壓電源電路。IC采用集成穩(wěn)壓器7805，C1、C2分別為輸入端和輸出端濾波電容，RL為負(fù)載電阻。當(dāng)輸出電流較大時(shí)，7805應(yīng)配上散熱板。提高輸出電壓的應(yīng)用電路。穩(wěn)壓二極管VD1串接在...

是一個(gè)固定穩(wěn)壓電路。電阻作用1是向三極管提供偏置電流，使三極管導(dǎo)通。2是向穩(wěn)壓管提供工作電流，穩(wěn)壓管接在基極上。所以基極的電壓被穩(wěn)壓管穩(wěn)定了。又因?yàn)槿龢O管基極與射極之間是一個(gè)二極管，而二極管導(dǎo)通時(shí)兩端電壓是穩(wěn)定的0.7V（以硅管算）。所以此電路輸出電壓等于穩(wěn)壓...

78和79系列分別是正電壓和負(fù)電壓串聯(lián)穩(wěn)壓集成電路，體積小、集成度高、線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率高，在線性電源時(shí)代占領(lǐng)了很大市場(chǎng)。78和79系列集成電路應(yīng)用相對(duì)固定，電路形式簡(jiǎn)單，只是正負(fù)直流電壓輸出時(shí)應(yīng)注意變壓器小輸出功率和小輸出電壓，根據(jù)能量守恒原則，在理想狀...

從輸出性質(zhì)可分為穩(wěn)壓電源、穩(wěn)流電源和集穩(wěn)壓、穩(wěn)流于一身的穩(wěn)壓穩(wěn)流(雙穩(wěn))電源。從輸出值來看可分固定輸出電源、波段開關(guān)調(diào)整式和電位器連續(xù)可調(diào)式幾種。從輸出指示上可分指針型和數(shù)字型等等。電路中三極管Q1是調(diào)整管，基極由三極管Q2的集電極控制，工作在線性區(qū)；Q2構(gòu)成...

面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么最大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：...

晶體三極管，也稱為NPN三極管，是一種由三個(gè)摻雜不同類型的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的電子器件。它由一個(gè)N型半導(dǎo)體材料夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體材料之間構(gòu)成。晶體三極管的結(jié)構(gòu)主要包括發(fā)射極、基極和集電極三個(gè)區(qū)域。晶體三極管的工作原理基于PN結(jié)的電子輸運(yùn)特性。當(dāng)發(fā)射極(N區(qū))與基極...

BVCEO是三極管基極開路時(shí)，集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電極與發(fā)射極之間的電壓超過這個(gè)數(shù)值時(shí)，將可能使三極管產(chǎn)生很大的集電極電流，這種現(xiàn)象叫擊穿。三極管擊穿后會(huì)造成性損壞或性能下降。 PCM是集電極大允許耗散功率。三極管在工作時(shí)，集電極電流...

取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。焊接用的電烙鐵須要不錯(cuò)接地。在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分離。MOS器件各引腳的焊接依次是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)依次相反。電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去...

三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，可控硅不單單是流控型器件，稍微復(fù)雜一點(diǎn)。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件，可以用作開關(guān)，也可以用作信號(hào)放大。三極管分為NPN型和PNP型，當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后，三極管導(dǎo)通。對(duì)于NPN三極管...

下面用數(shù)字萬用表檢測(cè)主板中的場(chǎng)效應(yīng)管，具體方法如下。 1、觀察場(chǎng)效應(yīng)管，看待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管是否損壞，有無燒焦或引腳斷裂等情況。如果有，則場(chǎng)效應(yīng)管損壞。 2、如果待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的外觀沒有問題，接著將場(chǎng)效應(yīng)管從主板中卸下，并清潔場(chǎng)效應(yīng)管的引腳，去除引腳上的污物...

場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn)，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫s...

如果我們?cè)谏厦孢@個(gè)圖中,將電阻Rc換成一個(gè)燈泡,那么當(dāng)基極電流為0時(shí),集電極電流為0,燈泡滅.如果基極電流比較大時(shí)(大于流過燈泡的電流除以三極管 的放大倍數(shù) β),三極管就飽和,相當(dāng)于開關(guān)閉合,燈泡就亮了.由于電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點(diǎn)就行了,所以就...

場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 。CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ)。這種工藝技術(shù)采用一種增強(qiáng)模式設(shè)計(jì)，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接，使得當(dāng)一個(gè)導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)閉合。在場(chǎng)效...

制造三極管時(shí)，有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）及基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以...

通過分流來衰減放大管射極電壓的“穩(wěn)定”，也許這個(gè)圖并不能讓你一下子看出它是“并聯(lián)”的，但細(xì)心一看，確實(shí)如此。不過，大家在此還要注意一下：此處的穩(wěn)壓管，是利用它的非線性區(qū)工作的，因此，如果認(rèn)為它是一個(gè)電源，它也是一個(gè)非線性電源。為了便于大家理解，回頭我們找一個(gè)理...

LT431分部電路被調(diào)整以增加流過自身的電流，這也增加了電流限制電路。結(jié)果，限流電阻的電壓降增加，輸出電壓等于輸入電壓減去限流電阻，壓降的增加導(dǎo)致輸出電壓下降。從而實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié)。因?yàn)?Vref 端的電壓始終穩(wěn)定在 2.5V，那么連接到 REF 端與地之間的電阻...

78XX系列集成穩(wěn)壓器的典型應(yīng)用電路如下圖所示，這是一個(gè)輸出正5V直流電壓的穩(wěn)壓電源電路。IC采用集成穩(wěn)壓器7805，C1、C2分別為輸入端和輸出端濾波電容，RL為負(fù)載電阻。當(dāng)輸出電流較大時(shí)，7805應(yīng)配上散熱板。提高輸出電壓的應(yīng)用電路。穩(wěn)壓二極管VD1串接在...

基于上述線性穩(wěn)壓電路的線性穩(wěn)壓電源雖然電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作可靠，但它存在著效率低(只有30%-50%)、體積大、銅鐵消耗量大，工作溫度高及調(diào)整范圍小等缺點(diǎn)。為線性型穩(wěn)壓電源功耗較大的缺點(diǎn)，研制了開關(guān)型穩(wěn)壓電源。開關(guān)穩(wěn)壓器的轉(zhuǎn)換率可達(dá)60%~85%以上，而且可以省...

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效...

場(chǎng)效應(yīng)管（FieldEffectTransistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功率小、易于集成等特點(diǎn)。在電路中，場(chǎng)效應(yīng)管通常用字母“Q”表示。場(chǎng)效應(yīng)管一般具有3個(gè)極，即柵極（G）、源極（S）和漏極...

選用三極管需要了解三極管的主要參數(shù)。若手中有一本晶體管特性手冊(cè)好。三極管的參數(shù)很多，其中必須了解的四個(gè)極限參數(shù)：ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等，可滿足95%以上的使用需要。ICM是集電極大允許電流。三極管工作時(shí)當(dāng)它的集電極電流超過一...

BVCEO是三極管基極開路時(shí)，集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電極與發(fā)射極之間的電壓超過這個(gè)數(shù)值時(shí)，將可能使三極管產(chǎn)生很大的集電極電流，這種現(xiàn)象叫擊穿。三極管擊穿后會(huì)造成性損壞或性能下降。 PCM是集電極大允許耗散功率。三極管在工作時(shí)，集電極電流...

晶體管是一種與其他電路元件結(jié)合使用時(shí)可產(chǎn)生電流增益、電壓增益和信號(hào)功率增益的多結(jié)半導(dǎo)體器件。因此，晶體管稱為有源器件，而二極管稱為無源器件。晶體管的基本工作方式是在其兩端施加電壓時(shí)控制另一端的電流。晶體管兩種主要類型：雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)...

選用三極管需要了解三極管的主要參數(shù)。若手中有一本晶體管特性手冊(cè)好。三極管的參數(shù)很多，其中必須了解的四個(gè)極限參數(shù)：ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等，可滿足95%以上的使用需要。ICM是集電極大允許電流。三極管工作時(shí)當(dāng)它的集電極電流超過一定數(shù)...

二極管在汞弧閥（具有冷陰極的汞蒸氣離子閥）中，一種難熔的導(dǎo)電陽極與一池作為陰極的液態(tài)汞之間會(huì)形成電弧，電壓?jiǎn)挝豢蛇_(dá)數(shù)百千瓦，這對(duì)高壓直流輸電的發(fā)展起到了促進(jìn)作用。一些小型的熱離子整流器有時(shí)候也用汞蒸氣填充，以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強(qiáng)真空器件的電流額...

二極管一個(gè)熱離子二極管就是一個(gè)真空管（也稱“電子管”），由一個(gè)包含著兩個(gè)電極的密封真空玻璃殼組成：由燈絲加熱的陰極，和一個(gè)陽極。早期產(chǎn)品的外觀和現(xiàn)在的白熾燈泡相當(dāng)類似。在操作中，一個(gè)單獨(dú)的電流通過由鎳鉻合金制成的高電阻燈絲（加熱器），將陰極加熱到紅熱狀態(tài)（...