在近60代以來得到了迅速發(fā)展，并形成了一門的學科。隨著可控硅的發(fā)展，技術(shù)已經(jīng)非常成熟，質(zhì)量越來越好，產(chǎn)量也有了很大的提高，正向著高壓大電流方向發(fā)展。晶閘管在應用電路中的作用體現(xiàn)在以下幾個方面：可控整流器：作為二極管整流器，將交流整流器轉(zhuǎn)換為直流，在交流電壓恒定的情況下，通過有效控制直流輸出電壓的大小來控制整流器，實現(xiàn)從交流到可變直流的轉(zhuǎn)換；無觸點電源靜態(tài)開關（固態(tài)開關）：作為一種功率開關元件，可以代替接觸器和繼電器，提高開關頻率。所以可控硅模塊一般是可以用在各種的電子器件和電子產(chǎn)品中，晶閘管器件廣泛應用于調(diào)光燈、調(diào)速風機、空調(diào)、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、攝像頭、音響組合、語音控制電路、定時控...

在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件的陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枘K和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術(shù)從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件?？煽毓枘K的特點有：1可控硅模塊采用進口玻璃鈍化方芯片，模塊導通壓降小，功耗低，節(jié)能效果顯著。2可控硅模塊控制觸發(fā)電路采用進口貼片元器件組裝，全部元器件進行高溫老化篩選，可靠性高。3可控硅模塊采用陶瓷覆銅工...

帶你了解可控硅模塊的變化率可控硅模塊經(jīng)常會出現(xiàn)出現(xiàn)在我們的生活中，也起著非常重要的作用，它的優(yōu)勢特點也是大家比較贊賞的，但是可控硅模塊的變化率您了解多少？下面來帶你了解一下可控硅模塊轉(zhuǎn)換電壓的變化率。1、當可控硅模塊驅(qū)動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。2、當負載電流過零時，雙向元件開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅要迅速關斷這個電壓。3、如果換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向模塊回到導通狀態(tài)。4、在可控硅模塊端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)，一般，電阻取100R，電容取...

智能可控硅模塊具有相當不錯的智能水平和適應性，因此這種晶閘管模塊也能夠充分適應電氣控制系統(tǒng)的應用需要。在直流電機調(diào)速方面，單個的智能可控硅模塊可組成一不可逆雙閉環(huán)直流調(diào)速器，兩個模塊可以組成一可逆四象限運行的調(diào)速器。除此之外，可控硅智能模塊在電源和控制方面更有著普遍的應用，在加速器穩(wěn)壓穩(wěn)流電源設計中也時常能夠看到它的身影。各種類型的可控硅集成模塊的用途可控硅集成模塊在現(xiàn)代電氣行業(yè)的發(fā)展中發(fā)揮著非常重要的作用，它也分為很多類型，每個類型都有著不用的用途，下面正高電氣來給你介紹些各種類型的可控硅集成模塊的用途。1、普通的可控硅模塊。應用于各種電力半導體廠家，并使用效果非常突出。2、雙向可控硅。這種...

這主要取決于可控硅模塊對各種干擾的抗干擾能力，那么，如何提升可控硅模塊的抗干擾能力，下面看正高電子科技總結(jié)的以下幾種方法：1、將可控硅模塊控制電源與脈沖電源分開，并且將各路脈沖電源分開，以便于減少或者消除脈沖間的相互干擾，如果有六路脈沖輸出，那就使用六組脈沖電源，當然，各電源一定要采用大容量電容進行濾波，并且盡量提高電源輸出特性的硬度。2、地線要接好。主要包括兩部分，首先是要遵循“一點接地”原則，接著是接地電阻要盡量小。在脈沖電路的實際工程調(diào)試中，很大的一部分工作量都要花在消除干擾“毛刺”上，而這往往就是地線沒有處理好所致。所以說，這點很重要，在這里所說的“一點接地”，就是指各路脈沖的地都要接...

只有使器件中的電流減到低于某個數(shù)值或陰極與陽極之間電壓減小到零或負值時，器件才可恢復到關閉狀態(tài)。多種用途的，根據(jù)結(jié)構(gòu)及用途的不同，它已有很多不同的類型，除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有；1、快速的。這種可以工作在較高的頻率下，用于大功率直流開關、電脈沖加工電源、激光電源和雷達調(diào)制器等電路中。2、雙向的。它的特點是可以使用正的或負的控制極脈沖，控制兩個方向電流的導通。它主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈米調(diào)節(jié)及直流電極調(diào)速和換向電路等。3、逆導的。主要用于直流供電國輛（如無軌電車）的調(diào)速。4、可關斷的。這是一種新型產(chǎn)品，它利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導通，而用負的控制極脈沖可以關斷陽極電流，恢...

在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件的陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅模塊和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術(shù)從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件?？煽毓枘K的特點有：1可控硅模塊采用進口玻璃鈍化方芯片，模塊導通壓降小，功耗低，節(jié)能效果顯著。2可控硅模塊控制觸發(fā)電路采用進口貼片元器件組裝，全部元器件進行高溫老化篩選，可靠性高。3可控硅模塊采用陶瓷覆銅工...

因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。3對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅。4對維持電流：IH是維持可控硅保持通態(tài)所必需的極小主電流，它與結(jié)溫有關，結(jié)溫越高，則IH越小。5對電壓上升率的：dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù)。由于雙向可控硅的制造工藝決...

以智能數(shù)字控制電路做的電源功率控制電器，它的效率是很高的，沒有磨損，響應速度比較快，沒有機械的噪聲，占地面積不是很大，同時重量也不是很大。接下來，正高的小編就和大家看看可控硅模塊控制器的特點有哪些：1可控硅模塊控制器里面集成了75度超溫保護報警設備，還有三相不平衡報警2使用世界規(guī)范的MODBUSRTU通訊當做標配，應用阻燃型ABS外殼，更加的不易發(fā)生危險3可控硅模塊控制器里面應用密電流傳感器，可以限流，另外還使用50和60赫茲切換設備，更具有應用價格4里面使用12位AD轉(zhuǎn)換器，做到了比較精細的調(diào)節(jié)5可控硅模塊控制器里面使用了精密的電壓傳感器，能夠做到過壓和限壓的保護，同時使用調(diào)壓、調(diào)功和整流一...

他們的用途、形式都是一樣類型產(chǎn)品，從這一點上（使用的形式、性質(zhì)角度）沒有區(qū)別，因為固態(tài)繼電器也是可控硅做的（三極管的固態(tài)繼電器除外）。那么他們之間有什么區(qū)別呢？沒有一件事，兩個名字。它們的區(qū)別在于晶閘管是晶閘管，固態(tài)繼電器是晶閘管+同步觸發(fā)驅(qū)動。這就是區(qū)別?，F(xiàn)在有一種“智能硅控制模塊”，它將可控硅元件和同步觸發(fā)驅(qū)動集成在一個模塊中。這種可控硅整流器與固態(tài)繼電器沒有區(qū)別。當然，它和形狀是有區(qū)別的。負邏輯控制和反等功。固態(tài)繼電器輸入輸出電路的隔離耦合方式。相信通過以上的介紹，大家應該對可控硅模塊和單相固態(tài)繼電器有一個非常清晰的了解。如果你想?yún)^(qū)分它們，它們也很好的區(qū)分。你可以直接從形狀上看出區(qū)別?？?..

帶你了解可控硅模塊的變化率可控硅模塊經(jīng)常會出現(xiàn)出現(xiàn)在我們的生活中，也起著非常重要的作用，它的優(yōu)勢特點也是大家比較贊賞的，但是可控硅模塊的變化率您了解多少？下面來帶你了解一下可控硅模塊轉(zhuǎn)換電壓的變化率。1、當可控硅模塊驅(qū)動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。2、當負載電流過零時，雙向元件開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅要迅速關斷這個電壓。3、如果換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向模塊回到導通狀態(tài)。4、在可控硅模塊端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)，一般，電阻取100R，電容取...

由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流，即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽極電壓。2.增加負載電路中的電阻。以上是可控硅模塊的導通狀態(tài)，希望能幫助您。過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因?？煽毓枘K對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值...

因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。3對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅。4對維持電流：IH是維持可控硅保持通態(tài)所必需的極小主電流，它與結(jié)溫有關，結(jié)溫越高，則IH越小。5對電壓上升率的：dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù)。由于雙向可控硅的制造工藝決...

由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流，即高于電流IL?？煽毓鑼ê蟮碾妷航岛苄?。接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽極電壓。2.增加負載電路中的電阻。以上是可控硅模塊的導通狀態(tài)，希望能幫助您。過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因?？煽毓枘K對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值...

小編給大家?guī)淼氖牵涸鯓佑帽韥頊y試可控硅的好壞。希望對大家有所幫助。我們都知道：可控硅是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點，從而在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了普遍的應用。怎么判斷判定可控硅的電極小功率可控硅的電極從外形上可以差別，一般陽極為外殼，陰極線比控制極引線長。如果其它型式的封裝，不知電極引線時可以用萬用表的電阻檔進行判別。方法是將負表筆試接某一電極，正表筆依次碰觸另外兩個電極，假如有一次阻值很小(約幾百歐姆)，另一次阻值很大(約幾千歐姆)，說明負表筆接的正是控制極(G)。在阻值小的那次測量中，接正表筆的一端是陰極(C或K)，阻值大的那次...

從而有效保證了可控硅模塊的芯片溫度能夠保持在較高額度之下，不至于因為溫度過高而性能下降。4使得可控硅模塊的芯片能夠與外部系統(tǒng)實現(xiàn)可靠的信號傳輸，從而保證了信號的完整。可以說，可控硅模塊之所以會被封裝起來原因主要就是保護芯片不受損，可以看出，之所以這么做也是為了能夠更好的使用可控硅模塊，更大程度地發(fā)揮其作用。導致可控硅失控的原因有哪些？眾所周知，可控硅模塊憑借著體積小、重量輕、可靠性高等特點，被大眾所喜歡，進而普遍的運用在特定的行業(yè)中。我們在使用可控硅模塊時，有時會出現(xiàn)可控硅么失控的情況，這是為什么呢？，正高的小編就給大家解答一下可控硅模塊失控的原因：1可控硅模塊的正向阻斷力降低在可控硅模塊日常...

溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應同時進行。2可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。3可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行，也可單獨進行，被測減速機在符合規(guī)定時，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度相信大家在了解可控硅模塊的升溫測試方法之后，在以后的使用中就可以測試溫度，如果溫度過高就及時采取降溫措施，這樣能夠提高工作效率，又使機器受到了保護。以上便是小編給大家推薦的如何測試可控硅升溫的方法，希望對大家有所幫助?？煽毓?，也被叫做晶閘管，它是一種大功率的電器...

如：手機、冰箱、空調(diào)、電器等等這些都必須要通過3C認證的，如果沒有，那同樣也屬于違法的行為。而CQC認證就是自愿性認證，CQC和CCC是屬于同一機構(gòu)，審核的單位和內(nèi)容都是相同的，區(qū)別在于一個是自愿性的認證，一個是強制性的認證。于是做CCC還是CQC這就要看所生產(chǎn)的產(chǎn)品屬性是否屬于國家強制性認證的范圍。還有一點，做了3C認證就不能做CQC認證，同樣做了CQC認證就不能做3C認證。以上便是正高的小編給大家簡單的解答了一下為什么可控硅模塊沒有3C認證，希望對大家有所幫助！可控硅模塊三個極的鑒別方法周所周知，可控硅模塊通常被稱為功率半導體模塊。它是一種由三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件構(gòu)成的。我...

散熱器周長）×（散熱器長度）＋（截面積）×２可控硅還有一種別的名稱，叫做可控硅模塊，它在電子、電力行業(yè)的領域也是非常的。比如在可控整流、交流調(diào)壓、無觸點的電子開關以及變頻等電路中也是可以使用的。那么在這個提升可控硅模塊的抗干擾能力有什么方法呢？1.為了減少脈沖間的相互干擾，應該將可控硅電源與脈沖的電源分開，同樣的原因應該也將各路脈沖的電源分開。為了盡量的提高電源輸出的特性的硬度，一定需要采用大容量的電容進行濾波。2.地線要接好。“一點接地”的原則，另一個就是這個接地的電阻盡可能的去減少。因為在這個調(diào)試的過程中，需要減少“毛刺”上，而這就是因為這個地線沒有處理好。所以說：“一...

導致可控硅模塊失控的原因有哪些呢？正高可控硅模塊廠家告訴你。1.可能就是可控硅模塊的正向阻斷力降低，比如說在日常使用中，可控硅模塊長時間安放不用，同時，又因為密封不好，很可能會受潮，這種情況下的正向阻斷能力就會降低，如果降低到低于整流變壓器的二次電壓，可控硅模塊就可能會失控了。2.原因往往就是電路中的維持電流過小所致，因為發(fā)電機轉(zhuǎn)子是以電感為主的大電流負載，對于半控橋來說，電壓過零之后，電流不是零，即使半控橋在電感負載側(cè)設有續(xù)流管，不過要是續(xù)流管的管壓降高于導通的可控硅模塊的管壓降，電感上的電流除了大部分從續(xù)流管流過之外，仍然會有部分電流在原導通的可控硅上流過。3.造成可控硅模塊失控的原因就是...

不過要是續(xù)流管的管壓降高于導通的可控硅模塊的管壓降，電感上的電流除了大部分從續(xù)流管流過之外，仍然會有部分電流在原導通的可控硅模塊上流過。3丟失脈沖的情況發(fā)生在電路系統(tǒng)正常運行的前提下，如果三相脈沖正常，即使維持電流很小，可控硅元件也可以確保正常換相，不會出現(xiàn)失控的情況，但是，如果出現(xiàn)了丟脈沖的情況，那么可控硅模塊就不能保證正常換相，元件本身就可能會失控。其實，影響可控硅模塊失控的原因還有很多，正高的小編給大家整理的是常見的幾種原因，希望對大家有所幫助！可控硅模塊為什么沒有3C認證？我們都知道，產(chǎn)品如要想要有保障，除了自身產(chǎn)品合格之外，重要的是必須要有相關機構(gòu)發(fā)布的認證證書。在我國，目前被大眾所...

智能可控硅模塊具有相當不錯的智能水平和適應性，因此這種晶閘管模塊也能夠充分適應電氣控制系統(tǒng)的應用需要。在直流電機調(diào)速方面，單個的智能可控硅模塊可組成一不可逆雙閉環(huán)直流調(diào)速器，兩個模塊可以組成一可逆四象限運行的調(diào)速器。除此之外，可控硅智能模塊在電源和控制方面更有著普遍的應用，在加速器穩(wěn)壓穩(wěn)流電源設計中也時常能夠看到它的身影。各種類型的可控硅集成模塊的用途可控硅集成模塊在現(xiàn)代電氣行業(yè)的發(fā)展中發(fā)揮著非常重要的作用，它也分為很多類型，每個類型都有著不用的用途，下面正高電氣來給你介紹些各種類型的可控硅集成模塊的用途。1、普通的可控硅模塊。應用于各種電力半導體廠家，并使用效果非常突出。2、雙向可控硅。這種...

無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的觸發(fā)電路中，為了使每—周波重復在相同位置上觸發(fā)可控硅，觸發(fā)信號必須與電源同步，即觸發(fā)信號要與主回路電源保持固定的相位關系。否則，觸發(fā)電路就不能對主回路的輸出電壓Ud進行準確的控制。逆變運行時甚至會造成短路事故，而同步是由相主回路接在同一個電源上的同步變壓器輸出的同步信號來實現(xiàn)的。以上就是可控硅模塊觸發(fā)電路時必須滿足的三個必定條件，希望對您有所幫助。直流控制交流可以用可控硅模塊來實現(xiàn)嗎？可控硅模塊的功能很強大，因此在電氣行業(yè)以及生活中的應用都比較普遍，但是直流控制交流可以用可控硅模塊來實現(xiàn)嗎？想要知道就來看看接下來正高電氣分享的這篇文章吧?？煽毓枘K可以...

有時可能是交流電的大值。根據(jù)電感的特性，其兩端電壓不可能突變，高電壓加到電感的瞬間產(chǎn)生反向自感電勢，反對外加電壓。外加電壓的上升曲線越陡，自感電勢越高，有時甚至超過電源電壓而擊穿可控硅。因此，可控硅控制電感負載，首先其耐壓要高于電源電壓峰值。此外，可控硅兩電極間還要并聯(lián)接入RC尖峰吸收電路。常用10—30Ω/3W以上電阻和—。交流調(diào)功電路中，可控硅是在交流電過零期間所關斷的，從理論上來講，關斷時候的電流變化狀況是零，沒有感應電壓的產(chǎn)生。加入RC尖峰電路，目的是為了可控硅導通時的自感電勢尖峰。如果不加入電路，不但可控硅極易擊穿，負載電路的電感線圈也會產(chǎn)生匝間、或電機繞組間擊穿，這個點是不能忽視的...

若用于交流電動機變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門極關斷可控硅模塊。若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG可控硅模塊。若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統(tǒng)及開關電源等電路，可選用逆導可控硅模塊。若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數(shù)器、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運行監(jiān)控電路，可選用光控可控硅模塊。2．選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應根據(jù)應用電路的具體要求而定。所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流?？煽毓枘K的正...

導致可控硅模塊失控的原因有哪些呢？正高可控硅模塊廠家告訴你。1.可能就是可控硅模塊的正向阻斷力降低，比如說在日常使用中，可控硅模塊長時間安放不用，同時，又因為密封不好，很可能會受潮，這種情況下的正向阻斷能力就會降低，如果降低到低于整流變壓器的二次電壓，可控硅模塊就可能會失控了。2.原因往往就是電路中的維持電流過小所致，因為發(fā)電機轉(zhuǎn)子是以電感為主的大電流負載，對于半控橋來說，電壓過零之后，電流不是零，即使半控橋在電感負載側(cè)設有續(xù)流管，不過要是續(xù)流管的管壓降高于導通的可控硅模塊的管壓降，電感上的電流除了大部分從續(xù)流管流過之外，仍然會有部分電流在原導通的可控硅上流過。3.造成可控硅模塊失控的原因就是...

效率高，成本低等等。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。以上就是淄博可控硅模塊廠家和大家講解的可控硅器件的工作原理。可控硅是可控硅整流元件的簡稱。與其他半導體器件一樣，晶閘管具有體積小，效率高，穩(wěn)定性好，運行可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)使半導體技術(shù)從弱電領域進入大功率領域，并已成為工業(yè)，農(nóng)業(yè)，運輸，研究，商業(yè)和民用電器的一個組成部分。可控硅（也稱為晶閘管）T工作中，其陽極A和陰極K連接到電源和負載，形成晶閘管的主電路，晶閘管的柵極G和陰極K以及控制晶閘管該裝置連接以形成晶閘管的控制電路。雙向可控硅晶閘管屬于NPNPN五層器件，三個電極分別為T1，T2和G.由于器件可以雙向連接，因此除了柵...

能夠用小功率的電壓來控制大功率的設備。從功能上來說，可控硅可分為單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。接下來，正高的小編就和大家聊聊可控硅的特點及應用：可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成...

由于雙向可控硅模塊自身特點，在應用時盡量避開Ⅳ象限。如果工作沒有Ⅳ象限，我們可以推薦客戶選用免緩沖三象限系列的雙向可控硅模塊。雙向可控硅模塊象限分布圖和說明：象限：T1(-)T2(+)，G相對T1為(+)第二象限：T1(-)T2(+)，G相對T1為(-)第三象限：T1(+)T2(-)，G相對T1為(-)第四象限：T1(+)T2(-)，G相對T1為(+)以上就是雙向可控硅模塊的工作象限，希望通過這篇文章可以對您有所幫助。可控硅模塊的導通條件有哪些可控硅模塊設備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。可控硅模塊的工作條件：1.當可控...

快速熔斷器可與交流側(cè)，直流側(cè)或與可控硅橋臂串聯(lián)，后者直接效果更好。通常來說快速熔斷器的額定電流（有效值IRD）應小于保護可控硅模塊額定方均通態(tài)電流（即有效值）Itrms即，同時要大于流過可控硅的實際通態(tài)方均根電流（即有效值）IRMS。以上就是可控硅模塊裝置中有可能可以采用呢的四種過電流保護管理措施。希望通過這篇文章對您有所幫助。正高講：雙向可控硅模塊的工作象限雙向可控硅模塊作為日常生活中比較常用的電子元器件，它的工作能力以及優(yōu)勢是有目共睹的，那么您知道雙向可控硅模塊公國在哪幾象限嗎？下面正高就給大家講解一下。雙向可控硅模塊有四個工作象限，在實際工作時只有兩個象限組合成一個完整的工作周期。組合如...