汽車電子技術(shù)中的車身安全系統(tǒng):車身電子安全系統(tǒng)包括車身系統(tǒng)內(nèi)的電子設(shè)備,主要有汽車夜視、安全氣囊、自適應(yīng)前照燈、座椅自動(dòng)調(diào)節(jié)、碰撞警示與預(yù)防、輪胎壓力監(jiān)測(cè)、安全帶控制等。1、安全氣囊:傳感器感知撞車的烈度并傳送信號(hào)。氣體發(fā)生器根據(jù)信號(hào)指令開啟點(diǎn)火,并向氣囊充氣,使氣囊迅速膨脹后又立即泄氣,以防對(duì)乘員產(chǎn)生二次傷害。2、安全帶:預(yù)緊式安全帶在碰撞瞬間,乘員尚未前移時(shí)它會(huì)迅速拉緊,并鎖止織帶防止乘員身體前傾,有效保護(hù)乘員的安全。車速急變時(shí),能瞬即加強(qiáng)約束力,其可歸于主動(dòng)安全類。3、側(cè)門防撞鋼梁:車門被側(cè)撞容易變形,直接傷到乘員。在汽車側(cè)門夾層中間置放一兩根堅(jiān)固的鋼梁,能很大程度上減輕側(cè)門變形程度。4、夜視系統(tǒng):其使用熱成像攝像機(jī)或紅外線大燈,在駕駛室顯示屏上形成圖像。5、自動(dòng)感應(yīng)大燈:環(huán)境光線變化時(shí),會(huì)自動(dòng)識(shí)別并調(diào)整亮度。自適應(yīng)燈會(huì)在車輛轉(zhuǎn)向時(shí)隨之轉(zhuǎn)動(dòng)燈光;車速感應(yīng)燈可改變光束長度/高度,或?qū)Νh(huán)境光進(jìn)行補(bǔ)償。6、芯片防盜系統(tǒng):如鑰匙上加入防盜系統(tǒng),后箱改為遙控?zé)o鎖芯開啟,更好地保護(hù)了車主財(cái)產(chǎn)。 電動(dòng)汽車電機(jī)控制系統(tǒng)汽車電子國產(chǎn)替換。佛山智能家居系統(tǒng)芯片潤石芯片新技術(shù)推薦
怎樣選型國產(chǎn)電平轉(zhuǎn)換芯片?電平轉(zhuǎn)換芯片是連接兩個(gè)不同供電電壓的芯片,使這些芯片之間實(shí)現(xiàn)電平匹配而正常通信。評(píng)測(cè)一種電平轉(zhuǎn)換芯片的性能,可從維度來進(jìn)行:1、電平匹配并不局限于電平轉(zhuǎn)換,還有噪聲容限等抗干擾問題。2、轉(zhuǎn)換速度:因主芯片速率提升,需保證信號(hào)傳輸?shù)耐暾浴?、注意驅(qū)動(dòng)能力、電源時(shí)序的控制。RS020x系列器件為潤石自動(dòng)雙向電平轉(zhuǎn)換器系列。這一系列電壓轉(zhuǎn)換器提供1、2、4、8四種通道數(shù)和兩個(gè)單獨(dú)的可配置電源軌,對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行升/降壓轉(zhuǎn)換。RS020x轉(zhuǎn)換器適用于A端。這些器件比較高支持100Mbps的傳輸數(shù)據(jù)速率(詳情請(qǐng)參考站內(nèi)規(guī)格書)。VCC隔離、IOFF功能及具有5kVHBM(人體放電模型)的內(nèi)置ESD(靜電放電)保護(hù)功能。江蘇潤石RS0204替換TI-TXB0104;Nexperia-NXB0104,ON-NLSX3014,NLSX4014,NLSX5004,NLSX5014.汽車電子.電平轉(zhuǎn)換,運(yùn)放,比較器,模擬開關(guān),電壓基準(zhǔn)源。 佛山智能家居系統(tǒng)芯片潤石芯片新技術(shù)推薦電動(dòng)汽車板載充電器OBC汽車電子國產(chǎn)替換。
國產(chǎn)汽車電子元器件通過AEC-Q100Grade1認(rèn)證:潤石運(yùn)算放大器RS722P/RS724/RS721P、電平轉(zhuǎn)換RS8T245、邏輯芯片RS1G08通過車用IC可靠度AEC-Q100Grade1認(rèn)證。上述型號(hào)通過了環(huán)境應(yīng)力加速驗(yàn)證、壽命加速模擬驗(yàn)證、封裝驗(yàn)證、芯片制造可靠性驗(yàn)證、電性驗(yàn)證、失效篩選驗(yàn)證等系列車規(guī)級(jí)認(rèn)證測(cè)試。此次通過車規(guī)級(jí)的模擬芯片RS722P/RS724/RS721P/RS1G08/RS8T245,在生產(chǎn)制造質(zhì)量體系上符合IATF16949標(biāo)準(zhǔn),產(chǎn)品通過AEC-Q100Grade1標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,且達(dá)到MSL1濕敏等級(jí),并可提供全套交付件與DPA報(bào)告;適用于汽車電子的動(dòng)力域、車身域、座艙域,并能P2P兼容市場(chǎng)主流歐美車規(guī)級(jí)芯片。汽車電子對(duì)模擬芯片等電子元器件可靠性要求極高;潤石采用與國際頭部車規(guī)級(jí)芯片同等水準(zhǔn)的材料、制程、工藝,選取擁有IATF16949資質(zhì)、晶圓制程通過AEC-Q100認(rèn)證,且有實(shí)際車規(guī)量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的晶圓廠,國際Tier1車規(guī)級(jí)芯片量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的封測(cè)廠如日月新、通富微電合作;開發(fā)并導(dǎo)入符合AEC-Q100Grade1車規(guī)級(jí)產(chǎn)品,并由單獨(dú)第三方實(shí)驗(yàn)室做車規(guī)AEC-Q100認(rèn)證。2023年潤石科技將為汽車電子市場(chǎng)提供更多高性能車規(guī)芯片。
汽車電子的幾種常見應(yīng)用:1、電子轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng):用直流電機(jī)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的液壓助力缸,以蓄電池和電動(dòng)機(jī)提供動(dòng)力。相比傳統(tǒng)液壓助力系統(tǒng),其部件少、體積小、重量輕,更優(yōu)化的轉(zhuǎn)向作用力、轉(zhuǎn)向回正特性,增加了汽車低速機(jī)動(dòng)性和調(diào)整行駛時(shí)的穩(wěn)定性。2、電控自動(dòng)變速器:可根據(jù)發(fā)動(dòng)機(jī)的荷載、車速、轉(zhuǎn)速、制動(dòng)器狀態(tài)及駕駛參數(shù),實(shí)現(xiàn)比較合適的擋位和比較好的換擋時(shí)機(jī)。傳動(dòng)裝置電控能自動(dòng)保持發(fā)動(dòng)機(jī)以盡可能低的轉(zhuǎn)速工作。電子氣動(dòng)換擋可取代機(jī)械換擋,明顯地簡化了汽車操縱,且能優(yōu)化行駛動(dòng)力性和安全性。3、防抱死制動(dòng)系統(tǒng)(ABS):防止制動(dòng)時(shí)車輪抱死來保證車輪與地面達(dá)到比較好滑動(dòng)率,使汽車在各種路面上制動(dòng)時(shí),車輪與地面達(dá)到縱向峰值附著系數(shù),和較大的側(cè)向附著系數(shù),以使制動(dòng)時(shí)不發(fā)生抱死拖滑、失去轉(zhuǎn)向能力等危險(xiǎn)情況,提高汽車的操縱穩(wěn)定性和安全性,縮短制動(dòng)距離。4、自適應(yīng)懸掛系統(tǒng):能根據(jù)懸掛裝置的瞬時(shí)負(fù)荷,自動(dòng)調(diào)節(jié)懸架彈簧的剛度和減震器阻尼特性,以適應(yīng)當(dāng)時(shí)的負(fù)荷,保持懸掛既定高度。5、恒速控制:根據(jù)行車阻力自動(dòng)調(diào)整節(jié)氣門開度,駕駛員不必經(jīng)常調(diào)整車速。 電動(dòng)汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器汽車電子國產(chǎn)替換。
汽車逆變器功率元器件IGBT使用和保護(hù):汽車電子逆變器驅(qū)動(dòng)技術(shù),需保護(hù)功率開關(guān)晶體管以盡量提高其工作壽命。汽車電子逆變器為電動(dòng)機(jī)控制電源的關(guān)鍵部件,可把低壓直流電轉(zhuǎn)為高壓交流電,從而為動(dòng)力提供電能。一些新材質(zhì)功率器件如碳化硅、氮化鎵等,也有人研究是否適用于汽車逆變器。而目前仍以IGBT為佳。為把IGBT的功耗降到比較低,IGBT希望降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗,為此須在強(qiáng)固性上作出讓渡。IGBT短路檢測(cè)和保護(hù):單獨(dú)檢測(cè)每個(gè)IGBT的負(fù)載電流大小。檢測(cè)負(fù)載電流大小可用多種方法,如采用分流電阻、射極分離IGBT,可產(chǎn)生正比于IGBT負(fù)載電流的電壓信號(hào),當(dāng)信號(hào)超過設(shè)定閥值大小時(shí),則觸發(fā)保護(hù)機(jī)制??煽啃允瞧囯娮拥幕疽螅涸谄囯娮又袑?shí)現(xiàn)IGBT保護(hù)電路的要點(diǎn):小尺寸、低成本、強(qiáng)固性。汽車電子對(duì)可靠性的要求很高,因此強(qiáng)固性和穩(wěn)定性很重要。特別是惡劣環(huán)境如寒熱、幅射、沙塵、震動(dòng)、電磁干擾下的可靠性。 車身電子照明車身控制模塊BCM汽車電子國產(chǎn)替換。惠州家庭影院芯片潤石芯片業(yè)態(tài)現(xiàn)狀
邏輯門轉(zhuǎn)換芯片江蘇潤石電平轉(zhuǎn)換芯片國產(chǎn)替代。佛山智能家居系統(tǒng)芯片潤石芯片新技術(shù)推薦
汽車電子之高性能碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管新工藝:碳化硅(SiC)是電力電子中重要的半導(dǎo)體材料之一,在汽車電子、電力等領(lǐng)域廣為應(yīng)用。SiCMOSFET的技術(shù)瓶頸是其柵氧層界面質(zhì)量差導(dǎo)致溝道遷移率低。現(xiàn)國內(nèi)科研團(tuán)隊(duì)提出一種用低溫超臨界二氧化碳,或超臨界一氧化二氮流體的低溫退火工藝。以提高4H-SiCMOSFET中4H-SiC/SiO2界面的質(zhì)量。通過增壓,二氧化碳和一氧化二氮在接近室溫時(shí)更容易進(jìn)入超臨界流體狀態(tài)。SCF態(tài)是物質(zhì)的一種特殊相,它具有氣體一樣的高滲能力和液體一樣的高溶度,幾無表面張力。因此可將SCCO2或SCN2O流體引入界面來減小陷阱,而不會(huì)造成新的損傷。該研究成果不僅實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量SiO2/SiC界面、高的溝道遷移率和介電可靠性,更可喜的是,其高效低溫退火工藝與標(biāo)準(zhǔn)SiCMOSFET制造工藝兼容,為制備高性能SiCMOSFET器件提供了新的有效方法,方便用于商用器件和汽車電子器件的制備。上述研究成果論文在第67屆電氣電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)國際電子器件會(huì)議上發(fā)表。獲國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金等支持。 佛山智能家居系統(tǒng)芯片潤石芯片新技術(shù)推薦