MEMS制作工藝-太赫茲特性:
1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動(dòng)的電偶極子振蕩產(chǎn)生,或又相千的激光脈沖通過(guò)非線性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生,因此有很好的相干性。THz的相干測(cè)量技術(shù)能夠直接測(cè)量電場(chǎng)振幅和相位,從而方便提取檢測(cè)樣品的折射率,吸收系數(shù)等。
2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級(jí),遠(yuǎn)小于X射線的10^3量級(jí),不易破壞被檢測(cè)的物質(zhì),適合于生物大分子與活性物質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究。
3.穿透性:THz輻射對(duì)于很多非極性物質(zhì),如塑料,紙箱,布料等包裝材料有很強(qiáng)的穿透能力,在環(huán)境控制與安全方面能有效發(fā)揮作用
4.吸收性:大多數(shù)極性分子對(duì)THz有強(qiáng)烈的吸收作用,可以用來(lái)進(jìn)行醫(yī)療診斷與產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)控
5.瞬態(tài)性:相比于傳統(tǒng)電磁波與光波,THz典型脈寬在皮秒量級(jí),通過(guò)光電取樣測(cè)量技術(shù),能夠有效抑制背景輻射噪聲的干擾,在小于3THz時(shí)信噪比達(dá)10人4:1。
6.寬帶性:THz脈沖光源通常包含諾千個(gè)周期的電磁振蕩,!單個(gè)脈沖頻寬可以覆蓋從GHz至幾+THz的范圍,便于在大的范圍內(nèi)分析物質(zhì)的光譜信息。 磁傳感器和MEMS磁傳感器有什么區(qū)別?采用MEMS加工的MEMS微納米加工哪里有
熱壓印技術(shù)在硬質(zhì)塑料微流控芯片中的應(yīng)用:熱壓印技術(shù)是實(shí)現(xiàn)PMMA、PS、COC、COP等硬質(zhì)塑料微結(jié)構(gòu)快速成型的**工藝,較傳統(tǒng)注塑工藝具有成本低、周期短、圖紙變更靈活等優(yōu)勢(shì)。工藝流程包括:首先利用光刻膠在硅片上制備高精度模具,微結(jié)構(gòu)高度5-100μm,側(cè)壁垂直度>89°;然后將塑料基板加熱至玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上(如PMMA為110℃),在5-10MPa壓力下將模具結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印至基板,冷卻后脫模。該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)0.5μm的特征尺寸分辨率,流道尺寸誤差<±1%,適用于微流道、微孔陣列、透鏡陣列等結(jié)構(gòu)加工。以數(shù)字PCR芯片為例,熱壓印制備的50μm直徑微腔陣列,單芯片可容納20,000個(gè)反應(yīng)單元,配合熒光檢測(cè)實(shí)現(xiàn)核酸分子的***定量,檢測(cè)靈敏度達(dá)0.1%突變頻率。公司開發(fā)的快速換模系統(tǒng)可在30分鐘內(nèi)完成模具更換,支持小批量生產(chǎn)(100-10,000片),從設(shè)計(jì)圖紙到樣品交付**短*需10個(gè)工作日,較注塑縮短70%周期。此外,通過(guò)表面涂層處理(如疏水化、親水化),可定制芯片表面潤(rùn)濕性,滿足不同檢測(cè)場(chǎng)景的流體控制需求,成為研發(fā)階段快速迭代與中小批量生產(chǎn)的優(yōu)先工藝。江蘇MEMS微納米加工加盟費(fèi)用基于 0.35/0.18μm 高壓工藝的神經(jīng)電刺激 SoC 芯片,實(shí)現(xiàn)多通道控制與生物相容性優(yōu)化。
加速度傳感器是很早廣泛應(yīng)用的MEMS之一。MEMS,作為一個(gè)機(jī)械結(jié)構(gòu)為主的技術(shù),可以通過(guò)設(shè)計(jì)使一個(gè)部件(圖中橙色部件)相對(duì)底座substrate產(chǎn)生位移(這也是絕大部分MEMS的工作原理),這個(gè)部件稱為質(zhì)量塊(proofmass)。質(zhì)量塊通過(guò)錨anchor,鉸鏈hinge,或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座。當(dāng)感應(yīng)到加速度時(shí),質(zhì)量塊相對(duì)底座產(chǎn)生位移。通過(guò)一些換能技術(shù)可以將位移轉(zhuǎn)換為電能,如果采用電容式傳感結(jié)構(gòu)(電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響),電容大小的變化可以產(chǎn)生電流信號(hào)供其信號(hào)處理單元采樣。通過(guò)梳齒結(jié)構(gòu)可以極大地?cái)U(kuò)大傳感面積,提高測(cè)量精度,降低信號(hào)處理難度。加速度計(jì)還可以通過(guò)壓阻式、力平衡式和諧振式等方式實(shí)現(xiàn)。
MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI:
柔性PI膜是一種由聚酰亞胺(PI)構(gòu)成的薄膜材料,它是通過(guò)將均苯四甲酸二酐(PMDA)與二胺基二苯醚(ODA)在強(qiáng)極性溶劑中進(jìn)行縮聚反應(yīng),然后流延成膜,然后經(jīng)過(guò)亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),如高絕緣性、良好的粘結(jié)性、強(qiáng)的耐輻射性和耐高溫性能,使其成為一種綜合性能很好的有機(jī)高分子材料。
柔性PI膜的應(yīng)用非常廣,尤其在電子、液晶顯示、機(jī)械、航空航天、計(jì)算機(jī)、光伏電池等領(lǐng)域有著重要的用途。特別是在液晶顯示行業(yè)中,柔性PI膜因其優(yōu)越的性能而被用作新型材料,用于制造折疊屏手機(jī)的基板、蓋板和觸控材料。由于OLED顯示技術(shù)的快速發(fā)展,柔性PI膜已成為替代傳統(tǒng)ITO玻璃的新材料之一,廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)和其他可折疊設(shè)備的制造。 太赫茲柔性電極以 PI 為基底構(gòu)建雙面結(jié)構(gòu),適用于非侵入式生物檢測(cè)與材料無(wú)損探測(cè)。
MEA柔性電極:MEMS工藝開發(fā)的MEA(微電極陣列)柔性電極,是腦機(jī)接口(BCI)與類***電生理研究的**技術(shù)載體。該電極采用超薄柔性基底材料(如聚酰亞胺或PDMS),厚度可精細(xì)控制在10-50微米范圍內(nèi),表面通過(guò)光刻與金屬沉積工藝集成高密度“觸凸”式微電極陣列。在腦機(jī)接口領(lǐng)域,柔性電極通過(guò)微創(chuàng)手術(shù)植入大腦皮層,用于癲癇病灶的精細(xì)定位與閉環(huán)電刺激***。在類***研究中,電極陣列與腦類***共培養(yǎng)系統(tǒng)結(jié)合,可長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的自發(fā)電活動(dòng)與突觸可塑性變化,為阿爾茨海默病藥物篩選提供高分辨率電生理數(shù)據(jù)。此外,公司開發(fā)的“仿生褶皺結(jié)構(gòu)”柔性電極,通過(guò)力學(xué)匹配設(shè)計(jì)進(jìn)一步降低植入后的機(jī)械應(yīng)力,延長(zhǎng)器件使用壽命至少5年以上。MEMS的超材料介紹與講解。標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工聯(lián)系人
電子束光刻是 MEMS 微納米加工中一種高分辨率的加工方法,能制造出極其微小的結(jié)構(gòu)。采用MEMS加工的MEMS微納米加工哪里有
柔性電極的生物相容性表面改性技術(shù):柔性電極的長(zhǎng)期植入性能依賴于表面生物相容性改性,公司采用多層涂層工藝解決蛋白吸附與炎癥反應(yīng)問(wèn)題。以PI基柔性電極為基底,首先通過(guò)等離子體處理引入羥基基團(tuán),然后接枝硅烷偶聯(lián)劑(如APTES)形成活性界面,再通過(guò)層層自組裝技術(shù)沉積PEG(聚乙二醇)與殼聚糖復(fù)合層,**終涂層厚度5-15nm。該涂層可使水接觸角從85°降至50°,蛋白吸附量從100ng/cm2降至<10ng/cm2,中性粒細(xì)胞黏附率下降80%。在動(dòng)物植入實(shí)驗(yàn)中,改性后的電極在體內(nèi)留置3個(gè)月,周圍組織纖維化程度較未處理組減輕60%,信號(hào)衰減<15%,而對(duì)照組衰減達(dá)40%。該技術(shù)適用于神經(jīng)電極、心臟起搏電極等植入器件,結(jié)合MEMS加工的超薄化設(shè)計(jì)(電極厚度<10μm),降低手術(shù)創(chuàng)傷與長(zhǎng)期植入風(fēng)險(xiǎn)。公司支持定制化涂層配方,可根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景調(diào)整親疏水性、電荷性質(zhì)及生物活性分子(如生長(zhǎng)因子)接枝,為植入式醫(yī)療設(shè)備提供個(gè)性化表面改性解決方案。采用MEMS加工的MEMS微納米加工哪里有