光電探測(cè)器光電探測(cè)器的功能是把微弱的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),然后經(jīng)過放大器將電信號(hào)放大,從而達(dá)到檢測(cè)光信號(hào)的目的。光敏電阻是**早發(fā)展的一種光電探測(cè)器。它利用了半導(dǎo)體受光照后電阻變小的效應(yīng)。此外,光電二極管、光電池都可以用作光電探測(cè)元件。十分微弱的光信號(hào),可以用雪崩光電二極管來(lái)探測(cè)。它是把一個(gè)PN結(jié)偏置在接近雪崩的偏壓下,微弱光信號(hào)所激發(fā)的少量載流子通過接近雪崩的強(qiáng)場(chǎng)區(qū),由于碰撞電離而數(shù)量倍增,因而得到一個(gè)較大的電信號(hào)。除了光電探測(cè)器外,還有與它類似的用半導(dǎo)體制成的粒子探測(cè)器。
在當(dāng)?shù)乜诒?wù)是很不錯(cuò)的。普陀區(qū)半導(dǎo)體器件
本征半導(dǎo)體:不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下,半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶,受到熱激發(fā)后,價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過禁帶進(jìn)入能量較高的空帶,空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶,價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位,稱為空穴??昭▽?dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動(dòng),而是一種等效。電子導(dǎo)電時(shí)等電量的空穴會(huì)沿其反方向運(yùn)動(dòng)。它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流,分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。
這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴,電子-空穴對(duì)消失,稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射(發(fā)光)或晶格的熱振動(dòng)能量(發(fā)熱)。
在一定溫度下,電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí),將產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì),載流子密度增加,電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大,實(shí)際應(yīng)用不多。 崇明區(qū)哪些是半導(dǎo)體器件無(wú)錫微原電子科技,半導(dǎo)體器件行業(yè)的創(chuàng)新英雄,書寫輝煌篇章!
這一切背后的動(dòng)力都是半導(dǎo)體芯片。如果按照舊有方式將晶體管、電阻和電容分別安裝在電路板上,那么不僅個(gè)人電腦和移動(dòng)通信不會(huì)出現(xiàn),連基因組研究、計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)和制造等新科技更不可能問世。有關(guān)**指出,摩爾法則已不僅*是針對(duì)芯片技術(shù)的法則;不久的將來(lái),它有可能擴(kuò)展到無(wú)線技術(shù)、光學(xué)技術(shù)、傳感器技術(shù)等領(lǐng)域,成為人們?cè)谖粗I(lǐng)域探索和創(chuàng)新的指導(dǎo)思想。
毫無(wú)疑問,摩爾法則對(duì)整個(gè)世界意義深遠(yuǎn)。不過,隨著晶體管電路逐漸接近性能極限,這一法則將會(huì)走到盡頭。摩爾法則何時(shí)失效?**們對(duì)此眾說(shuō)紛紜。早在1995年在芝加哥舉行信息技術(shù)國(guó)際研討會(huì)上,美國(guó)科學(xué)家和工程師杰克·基爾比表示,5納米處理器的出現(xiàn)或?qū)⒔K結(jié)摩爾法則。中國(guó)科學(xué)家和未來(lái)學(xué)家周海中在此次研討會(huì)上預(yù)言,由于納米技術(shù)的快速發(fā)展,30年后摩爾法則很可能就會(huì)失效。2012年,日裔美籍理論物理學(xué)家加來(lái)道雄在接受智囊網(wǎng)站采訪時(shí)稱,“在10年左右的時(shí)間內(nèi),我們將看到摩爾法則崩潰?!鼻安痪茫柋救苏J(rèn)為這一法則到2020年的時(shí)候就會(huì)黯然失色。一些**指出,即使摩爾法則壽終正寢,信息技術(shù)前進(jìn)的步伐也不會(huì)變慢
把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上,稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個(gè)的稱為小規(guī)模集成電路,從 100個(gè)元件到1000 個(gè)元件的稱為中規(guī)模集成電路,從1000 個(gè)元件到100000 個(gè)元件的稱為大規(guī)模集成電路,100000 個(gè)元件以上的稱為超大規(guī)模集成電路。集成電路是當(dāng)前發(fā)展計(jì)算機(jī)所必需的基礎(chǔ)電子器件。許多工業(yè)先進(jìn)國(guó)家都十分重視集成電路工業(yè)的發(fā)展。集成電路的集成度以每年增加一倍的速度在增長(zhǎng)。每個(gè)芯片上集成256千位的MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器已研制成功,正在向1兆位 MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器探索。有機(jī)會(huì)去貴司進(jìn)行參觀學(xué)習(xí)。
將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體,并緩慢擠壓生長(zhǎng)成棒狀?;貧w型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來(lái)的,如果擠出速度快,則生長(zhǎng)出P型半導(dǎo)體,如果慢則生長(zhǎng)出N型半導(dǎo)體。因?yàn)榛鶚O區(qū)較厚,高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過程中添加到溶解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時(shí),根據(jù)晶體的位置,P型或N型半導(dǎo)體會(huì)生長(zhǎng)。通過這種方法,可以生產(chǎn)二極管的PN和用于二極管的PNP(或NPN),制作了一個(gè)晶體管。
端子電極形成在同一平面上,縮短了電流路徑,具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細(xì)加工和應(yīng)用照相技術(shù)排列許多元件來(lái)制造,因此可以精確地大量生產(chǎn),利用這一特點(diǎn),發(fā)明了單片集成電路。
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這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴,電子-空穴對(duì)消失,稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射(發(fā)光)或晶格的熱振動(dòng)能量(發(fā)熱)。在一定溫度下,電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí),將產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì),載流子密度增加,電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大,實(shí)際應(yīng)用不多。
半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。光伏應(yīng)用半導(dǎo)體材料光生伏***應(yīng)是太陽(yáng)能電池運(yùn)行的基本原理?,F(xiàn)階段半導(dǎo)體材料的光伏應(yīng)用已經(jīng)成為一大熱門,是目前世界上增長(zhǎng)**快、發(fā)展比較好的清潔能源市場(chǎng)。太陽(yáng)能電池的主要制作材料是半導(dǎo)體材料,判斷太陽(yáng)能電池的優(yōu)劣主要的標(biāo)準(zhǔn)是光電轉(zhuǎn)化率,光電轉(zhuǎn)化率越高,說(shuō)明太陽(yáng)能電池的工作效率越高。根據(jù)應(yīng)用的半導(dǎo)體材料的不同,太陽(yáng)能電池分為晶體硅太陽(yáng)能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池。
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