蘇州現(xiàn)代電子技術信息推薦

來源: 發(fā)布時間:2020-09-01

由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以,在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件,其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時,希望各元件能承受同樣的正、反向電壓;并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性,串、并聯(lián)時,各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以,在電力電子器件串聯(lián)時,要采取均壓措施;在并聯(lián)時,要采取均流措施。電力電子器件工作時,會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命,甚至燒毀,這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此,必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安,阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率,取決于器件關斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流子(簡稱少子)的復合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程,卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。電子技術研究的是電子器件及其電子器件構成的電路的應用。蘇州現(xiàn)代電子技術信息推薦

可平均節(jié)電20%以上,每年可節(jié)電400億千瓦時),因此電力電子技術的發(fā)展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單,逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內(nèi)容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調(diào)速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。80年代初期出現(xiàn)的MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。80年代發(fā)展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管,以及各種組合器件,綜合了晶閘管、MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點,在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性,又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能,它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優(yōu)點,結構上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程,所以比一般晶閘管有更高的開關速度。常州汽車電子技術基礎因通信容量的不斷增加,通信電源容量也將不斷增加。

80年代這類器件的高工作頻率在10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,其控制電流容量已達數(shù)百安,阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,限制它的抗浪涌能力。進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應晶體管,由于不受少子儲存效應的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性,不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象;需要擴大電流容量時,器件并聯(lián)簡單,且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動功率;在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大,制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80年代中、后期電流容量達數(shù)十安,阻斷電壓近千伏。從60年代到70年代初期,以半控型普通晶閘管為的電力電子器件,主要用于相控電路。這些電路十分地用在電解、電鍍、直流電機傳動、發(fā)電機勵磁等整流裝置中,與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比,不僅體積小、工作可靠,而且取得了十分明顯的節(jié)能效果(一般可節(jié)電10~40%,從中國的實際看,因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3,若采用交流電動機調(diào)速傳動。

變頻調(diào)速的關鍵技術是將直流電逆變?yōu)?~100Hz的交流電。在七十年代到八十年代,隨著變頻調(diào)速裝置的普及,大功率逆變用的晶閘管、巨型功率晶體管(GTR)和門極可關斷晶閘管(GT0)成為當時電力電子器件的主角。類似的應用還包括高壓直流輸出,靜止式無功功率動態(tài)補償?shù)取_@時的電力電子技術已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)整流和逆變,但工作頻率較低,局限在中低頻范圍內(nèi)。變頻器時代進入八十年代,大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路技術的迅猛發(fā)展,為現(xiàn)代電力電子技術的發(fā)展奠定了基礎。將集成電路技術的精細加工技術和高壓大電流技術有機結合,出現(xiàn)了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的問世,導致了中小功率電源向高頻化發(fā)展,而后絕緣門極雙極晶體管(IGBT)的出現(xiàn),又為大中型功率電源向高頻發(fā)展帶來機遇。MOSFET和IGBT的相繼問世,是傳統(tǒng)的電力電子向現(xiàn)代電力電子轉化的標志。據(jù)統(tǒng)計,到1995年底,功率M0SFET和GTR在功率半導體器件市場上已達到平分秋色的地步,而用IGBT代替GTR在電力電子領域巳成定論。新型器件的發(fā)展不僅為交流電機變頻調(diào)速提供了較高的頻率,使其性能更加完善可靠,而且使現(xiàn)代電子技術不斷向高頻化發(fā)展,為用電設備的高效節(jié)材節(jié)能,實現(xiàn)小型輕量化。變頻調(diào)速的關鍵技術是將直流電逆變?yōu)?~100Hz的交流電。

德國的VDE和TUV以及中國的CQC認證等國內(nèi)外認證,來保證元器件的合格。電子元器件發(fā)展史其實就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發(fā)展起來的新興技術,二十世紀發(fā)展迅速,應用,成為近代科學技術發(fā)展的一個重要標志。電子元器件1906年,美國發(fā)明家德福雷斯特(DeForestLee)發(fā)明了真空三極管(電子管)。代電子產(chǎn)品以電子管為。四十年代末世界上誕生了只半導體三極管,它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點,很快地被各國應用起來,在很大范圍內(nèi)取代了電子管。五十年代末期,世界上出現(xiàn)了塊集成電路,它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上,使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路,從而使電子產(chǎn)品向著高效能低消耗、高精度、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展。由于,電子計算機發(fā)展經(jīng)歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術發(fā)展的四個階段的特性,所以下面就從電子計算機發(fā)展的四個時代來說明電子技術發(fā)展的四個階段的特點。在20世紀出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個世界和人們的工作、生活習慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。電子技術是十九世紀末到二十世紀初開始發(fā)展起來的新興技術,二十世紀發(fā)展迅速。濱湖區(qū)通訊電子技術信息推薦

半導體器件是構成各種分立、集成電子電路基本的元器件。蘇州現(xiàn)代電子技術信息推薦

模擬集成電路設計主要是通過有經(jīng)驗的設計師進行手動的電路調(diào)試,模擬而得到,與此相對應的數(shù)字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產(chǎn)生。電子元器件數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元器件數(shù)量,可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集成(ULSI)電路。小規(guī)模集成電路包含的門電路在10個以內(nèi),或元器件數(shù)不超過100個;中規(guī)模集成電路包含的門電路在10-100個之間,或元器件數(shù)在100-1000個之間;大規(guī)模集成電路包含的門電路在100個以上,或元器件數(shù)在10-10個之間;超大規(guī)模集成電路包含的門電路在1萬個以上,或元器件數(shù)在10-10之間;特大規(guī)模集成電路的元器件數(shù)在10-10之間。它包括:基本邏輯門、觸發(fā)器、寄存器、譯碼器、驅(qū)動器、計數(shù)器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機、DSP等。電子技術是根據(jù)電子學的原理,運用電子元器件設計和制造某種特定功能的電路以解決實際問題的科學,包括信息電子技術和電力電子技術兩大分支。信息電子技術包括Analog。蘇州現(xiàn)代電子技術信息推薦

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