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發(fā)布時間:2025-07-09
細胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細胞類型設(shè)計表面微結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫,難以滿足個性化需求。Polos 光刻機支持 STL 模型直接導(dǎo)入,某干細胞研究所在 24 小時內(nèi)完成了神經(jīng)干細胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm,適配不同分化階段的細胞黏附需求。實驗顯示,使用該支架的神經(jīng)細胞軸突生長速度提升 30%,為神經(jīng)再生機制研究提供了高效工具,相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實現(xiàn)量產(chǎn)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會?臻g友好設(shè)計:占地面積小于 1.2㎡,小型實驗室也能部署高精度光刻系統(tǒng)。重慶德國BEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
超表面通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場,傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)在石英基底上實現(xiàn)了亞波長量級的圖案曝光,將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實驗室利用該設(shè)備,研制出寬帶消色差超表面透鏡,在 400-1000nm 波長范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù),使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時,推動超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶德國BEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米Polos-BESM XL:130mm×130mm 曝光幅面,STL 模型直接導(dǎo)入,微流控芯片制備周期縮短 40%。
無掩模激光光刻技術(shù)為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具,可用于創(chuàng)建亞微米級特征,并促進電路和器件的快速原型設(shè)計。經(jīng)濟高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴展至微機電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計和制造,例如以下領(lǐng)域:醫(yī)療(包括微流體)、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預(yù)計在 2022 年達到 3.3606 億美元,預(yù)計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元,復(fù)合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長,預(yù)計未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。
柔性電子是未來可穿戴設(shè)備的core方向,其電路圖案需適應(yīng)曲面基底。Polos 光刻機的無掩模技術(shù)在聚酰亞胺柔性基板上實現(xiàn)了 2μm 線寬的precise曝光,解決了傳統(tǒng)掩模對準偏差問題。某柔性電子研究中心利用該設(shè)備,開發(fā)出可貼合皮膚的健康監(jiān)測貼片,其傳感器陣列的信號噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝,Polos 光刻機將打樣時間從 72 小時壓縮至 8 小時,加速了柔性電路的迭代優(yōu)化,推動柔性電子從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化落地。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。材料科學(xué):超疏水表面納米圖案化,接觸角 165°,防腐蝕性能增強 10 倍。
可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道,傳統(tǒng)工藝需多次掩模對準,良率only 30%。Polos 光刻機的多材料同步曝光技術(shù),支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道,將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實驗室利用該特性,開發(fā)出可實時切換流路的生化分析芯片,通過軟件輸入不同圖案,10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴增到蛋白質(zhì)檢測的模塊切換。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備,使現(xiàn)場快速檢測系統(tǒng)的體積縮小 60%,檢測時間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。未來技術(shù)儲備:持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝,lead微納制造前沿。重慶德國BEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
Polos-BESM:基礎(chǔ)款高性價比,適合高校實驗室基礎(chǔ)微納加工。重慶德國BEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
德國 Polos 光刻機系列是電子學(xué)領(lǐng)域不可或缺的精密設(shè)備。其無掩模激光光刻技術(shù),讓電路圖案曝光不再受限于掩模,能夠?qū)崿F(xiàn)超高精度的圖案繪制。在芯片研發(fā)過程中,Polos 光刻機可precise刻畫出納米級別的電路結(jié)構(gòu),為芯片性能提升奠定基礎(chǔ)。 科研團隊使用 Polos 光刻機,成功開發(fā)出更高效的集成電路,降低芯片能耗,提高運算速度。而且,該光刻機可輕松輸入任意圖案,滿足不同電子元件的多樣化設(shè)計需求。無論是新型傳感器的電路制作,還是微型處理器的研發(fā),Polos 光刻機都能以高精度、低成本的優(yōu)勢,為電子學(xué)領(lǐng)域的科研成果產(chǎn)出提供有力保障,推動電子技術(shù)不斷創(chuàng)新。重慶德國BEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
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